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STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器,是磁性存儲(chǔ)器MRAM 的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)單元的核心仍然是一個(gè)MTJ,由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個(gè)納米厚的非磁性隔離層組成,它是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的。
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Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)
Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存...
Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商,在包括40nm,28nm及更高的技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙...
北航大與微電子所成功研制出國內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩
近日,北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一...
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