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TSV（Through Silicon Vias）硅片通道通過硅通孔（TSV）銅互連的立體（3D）垂直整合，目前被認為是半導體行業最先進的技術之一。硅片通孔（TSV）是三維疊層硅器件技術的最新進展。
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談一談先進封裝中的互連工藝，包括凸塊、RDL、TSV、混合鍵合，有哪些新進展？可以說，互連工藝是先進封裝的關鍵技術之一。在市場需求的推動下，傳統封裝不斷...
天成先進發布“九重”先進封裝技術平臺，12英寸晶圓級TSV立體集成生產線通線
“方寸無垠 恒然天成 ”。在科技的廣袤星空中，先進封裝如一顆璀璨的新星，散發著獨特而迷人的光芒。2.5D/3D TSV 技術就像是一位神奇的建筑師，在微...
共讀好書 周曉陽 （安靠封裝測試上海有限公司） 摘要： 微電子技術的不斷進步使得電子信息系統朝著多功能化、小型化與低成本的方向全面發展。其中封裝工藝正扮...
隨著半導體技術的飛速發展，傳統的二維平面集成方式已經逐漸接近其物理極限。為了滿足日益增長的性能需求，同時克服二維集成的瓶頸，三維集成技術應運而生。其中，...
共讀好書 魏紅軍 段晉勝 (中國電子科技集團公司第二研究所) 摘要： 論述了 TSV 技術發展面臨的設備問題，并重點介紹了深硅刻蝕、 CVD/PVD 沉...
增強現實系統的設計存在諸多限制，尤其是眼鏡形態，AR 眼鏡身形狹小，所以搭載的芯片在能效和性能方面均有高度要求。
共讀好書 田苗，劉民，林子涵，付學成，程秀蘭，吳林晟 (上海交通大學 a.電子信息與電氣工程學院先進電子材料與器件平臺；b.射頻異質異構集成全國重點實驗...
格力集團宣布，康洪在春節前的最后幾天，帶領團隊對集團正在建設中的12英寸TSV立體集成生產基地一期與格創·壹號等項目進行實地考察，并針對安全生產問題提出...
1月14日，中微公司（SH688012）發布《2023年年度業績預告》。中微公司預計2023年營業收入約62.6億元，較2022年增加約15.2億元，同...
LDI設備有哪些劣勢？ LDI設備的WPS偏低，激光止血導致的工藝分辨率只有8到10微米，而線性公章的工藝分辨率在4到6微米。
先進封裝技術之爭 | 巨頭手握TSV利刃壟斷HBM市場，中國何時分一杯羹？
文章轉自:屹立芯創公眾號 “TSV是能實現芯片內部上下互聯的技術，可以使多個芯片實現垂直且最短互聯”，AI算力帶動TSV由2.5D向3D深入推進，HBM...
TVS是采用半導體擴散工藝制成的單個PN結或多個PN結集成的元件。TVS具有較高的可靠性，以及較低的動態內阻及低鉗位電壓，相較其他過壓保護元件，TVS具...
先進封裝占比不斷攀升，Chiplet持續推動2.5D/3D技術發展
電子發燒友網報道（文/李寧遠）在半導體生產流程中，半導體封裝是制造工藝的重要后道工序，是指將通過測試的晶圓加工得到獨立芯片的過程。封裝可以提供電氣連接，...
1后摩爾時代，先進封裝成為提升芯片性能重要解法1.1摩爾定律放緩，先進封裝日益成為提升芯片性能重要手段隨著摩爾定律放緩，芯片特征尺寸接近物理極限，先進封...
硅通孔（TSV）有望成為電子器件三維芯片堆疊技術的未來。TSV互連的結構是通過首先在晶片表面蝕刻深過孔，然后用所需金屬填充這些過孔來形成的。目前，銅基T...
12英寸深硅刻蝕機銷售突破百腔，北方華創助力Chiplet TSV工藝發展
隨著晶體管尺寸不斷向原子尺度靠近，摩爾定律正在放緩，面對工藝技術持續微縮所增加的成本及復雜性，市場亟需另辟蹊徑以實現低成本前提下的芯片高性能，以TSV（...
由于摩爾定律逐漸接近其物理極限，為進一步追求速度、功耗、功能與制造成本的平衡，后道封裝更加強調封裝集成度、I/O引腳密度及功能集成度，因此SiP、2.5...
工業以太網SPE連接器是一種全新的連接器，它可以實現標準以太網（例如，IEEE 802.3）上更高的帶寬，同時還能適應工業環境下的特殊要求。SPE連接器...
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