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TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認為是半導體行業最先進的技術之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術的最新進展。
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類比積體電路設計也將進入三維晶片(3D IC)時代。在數位晶片開發商成功量產3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產線,期透過矽穿孔(...
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三星電子宣布開發出業界首個12層3D-TSV技術 將鞏固其在高端半導體市場的領先地位
10月7日,三星電子宣布已開發出業界首個12層3D-TSV技術。
2023年整體堆疊技術市場將超過57億美元 醫療和工業等領域的應用將是主力
根據產業研究機構Yole Développement(Yole)的研究指出,像HBM和CIS這樣的硬件創造了TSV的大部分收入。2023年整體堆疊技術市...
Sensor Hub(傳感器集線器)方案整合度將再次大幅提升。微控制器(MCU)供應商正借重系統級封裝(SiP)和硅穿孔(TSV)技術,整合微控制器和多...
無止境地追求更輕薄短小的智能型手機。TechInsights探討半導體封裝整合的創新能力,同時預測新上市的三星Galaxy S7和iPhone SE。
IC Insight指出在2007年至2012年期間,全球IC市場的年均增長率CAGR僅為2.1%,而2013年全球集成電路產業已度過最低增長的困難的5...
017年20nm、16nm及以下的先進工藝將成為主流,這對我們設計業、制造業是一個很大的啟示:我們怎么樣適應全球先進工藝。
導體業已經邁入14nm制程,2014年開始量產。如果從工藝制程節點來說,傳統的光學光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術可能達到10n...
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日推出一系列可為移動電子系統提供一流靜電釋放(ESD)保護的瞬態電壓抑制(TVS)...
可穿戴式電腦將會成為下一波主流趨勢,不僅是一種消費性電子產品,也會是全方位的運算解決方案;在過去數年,可穿戴式電子產品一直是產業界的熱門話題,以健身配件...
采用矽穿孔(TSV)的2.5D或3D IC技術,由于具備更佳的帶寬與功耗優勢,并能以更高整合度突破制程微縮已趨近極限的挑戰,是近年來半導體產業的重要發展...
TSV立體堆疊技術已在各式應用領域當中嶄露頭角。TSV堆疊技術應用于DRAM、FPGA、無線設備等應用上,可提升其效能并維持低功耗,因而獲得半導體廠及類...
TSV技術應用即將遍地開花。隨著各大半導體廠商陸續將TSV立體堆疊納入技術藍圖,TSV應用市場正加速起飛,包括影像感應器、功率放大器和處理器等元件,皆已...
在“NEPCON日本2013”的技術研討會上,英特爾和高通分別就有望在新一代移動SoC(系統級芯片)領域實現實用的 TSV(硅通孔)三維封裝技術發表了演...
Littelfuse推出新款TSV陣列SP1005-01ETG
全球電路保護領域的領先企業Littelfuse新推出兩款0402規格產品,可為現代集成電路(IC)提供更有效的靜電放電(ESD)保護,進一步擴展了其SP...
2012-12-11 標簽:電源芯片TSVLittelfuse 1768 0
GlobalFoundries 已開始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔(TSV)設備。如果一切順利,該公司希望在2013下半年開始採用 20n...
2012-05-01 標簽:TSV硅穿孔GlobalFoundries 1174 0
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