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標(biāo)簽 > VDS
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在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場效應(yīng)晶體管 3302 0
PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。它具有許多優(yōu)點,如低功耗、高輸入阻抗、易于集成等。本文我們將討論PM...
SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
首先,計算開通和關(guān)斷時間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...
如圖所示MOS管驅(qū)動電路,定性分析可知,當(dāng)MOS管關(guān)斷時,MOS管兩端應(yīng)力為Vds,此時Vds向Cgd和Cgs充電,可能導(dǎo)致Vgs達到Vgs(th)導(dǎo)致...
ADS導(dǎo)入導(dǎo)出數(shù)據(jù)的方法介紹
直接導(dǎo)出是不行的,圖形可以直接copy出去復(fù)制,但數(shù)據(jù)要采用Palette里的List,不是Rectangular Plot,生成后可以選中然后右鍵,就...
一種集成低功耗pH傳感器的離子敏感場效應(yīng)晶體管(ISFET)
據(jù)麥姆斯咨詢報道,德國弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所(Fraunhofer IPMS)開發(fā)出一種用于芯片式pH值測量的傳感層,并成功將其集成到離子敏感場效應(yīng)...
2024-03-11 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 1146 0
怎么通過SPICE仿真來預(yù)測VDS開關(guān)尖峰?
怎么通過SPICE仿真來預(yù)測VDS開關(guān)尖峰? SPICE仿真技術(shù)是電子工程師在設(shè)計和驗證電路時的必備工具。VDS開關(guān)尖峰是指在開關(guān)型功率器件的開關(guān)過程中...
功率管怎么看型號大???功率管上的數(shù)字代表什么意思?
功率管怎么看型號大???功率管上的數(shù)字代表什么意思? 功率管是電子元件領(lǐng)域中非常常見的組件,其主要功能是轉(zhuǎn)換電流和電壓。不同型號的功率管適用于不同的電子設(shè)...
場效應(yīng)管好壞測量方法 mos怎么測量好壞?? 場效應(yīng)管(MOS)是一種半導(dǎo)體器件,其被廣泛應(yīng)用于各種電路中。在使用場效應(yīng)管前,我們需要先測量其好壞,以確...
2023-09-02 標(biāo)簽:電容器MOSFET場效應(yīng)管 3321 0
虹科HiveMQ MQTT解決方案在奔馳汽車制造中的應(yīng)用
虹科HiveMQ 是一個基于 MQTT 數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ㄐ牌脚_,旨在將數(shù)據(jù)快速、高效、可靠地傳遞給連接的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,虹科HiveMQ 使用 MQTT 協(xié)議在...
2023-02-16 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)VDSMQTT 636 0
解決電力電子測試難題,泰克攜三大測試方案參展PCIM Asia
第三代半導(dǎo)體是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個“新基建”領(lǐng)域的重要材料,也是各國半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的熱點。
Lantiq推出支持全球VDSL2和ADSL/2/2+標(biāo)準(zhǔn)的
VINAX V3 芯片組重要特性如下: 功耗達到行業(yè)領(lǐng)先水平,每個通道只需0.9W,滿足了未來寬帶基礎(chǔ)設(shè)施的環(huán)保設(shè)計目標(biāo),其中包括歐盟寬帶設(shè)備...
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