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整流電路是將交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動性直流電，這就是交流電的整流過程，整流電路主要由整流二極管組成。經(jīng)過整流電路之后的電壓已經(jīng)不是交流電壓，而是一種含有直流電壓和交流電壓的混合電壓，習慣上稱單向脈動性直流電壓。...
電感是閉合回路的一種屬性。當線圈通過電流后，在線圈中形成磁場感應，感應磁場又會產(chǎn)生感應電流來抵制通過線圈中的電流。這種電流與線圈的相互作用關(guān)系稱為電的感抗，也就是電感，單位是“亨利（H）”。...
石英晶體振蕩器中使用的石英晶體是一塊非常小的、薄的石英切割片或晶片，其兩個平行表面被金屬化以進行所需的電連接。一塊石英晶體的物理尺寸和厚度受到嚴格控制，因為它會影響振蕩的最終頻率或基本頻率。...
二極管是一種允許電流流經(jīng)一個方向但不允許另一方向流過的器件，因此，它可以用于電路中，僅允許電流僅在正向流動，而在反向流動中阻止電流。當電路中的組件可能會因反向（錯誤）方向上流過的電流而嚴重損壞時，這特別有用。...
當 3.3V 器件輸出高電平信號，由于上拉 5V 作用，信號輸入器件被上拉為 5V 電平。 當 3.3V 器件輸出低電平信號，使 OUTPUT 信號被拉低，從而信號輸入器件信號被拉低。...
MOS管的話題雖說是老生常談，但這份資料幾年前就有人給我分享過，這是網(wǎng)上評價非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解，從管腳的識別，到極性的分辨，再到常用功能，應用電路等等...
在電阻元件的交流電路中，電流和電壓是同相的。 在電阻元件電路中，電壓的幅值（或有效值）與電流的幅值（或有效值）之比值，就是電阻R。...
電路設(shè)計時，不同的子系統(tǒng)之間無可避免的需要數(shù)字信號傳遞，不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間，數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致，故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路；...
溫度相同區(qū)間不同的B值，說明材料可能不一樣，因為NTC熱敏電阻是負溫度系數(shù)溫度升高阻值成規(guī)律下降，B值代表曲線的彎曲程度或者說溫度的敏感指數(shù)，單位溫度變化的這時阻力值設(shè)施程度就代表B值。...
半波整流電路由單個二極管和降壓變壓器組成，在降壓變壓器的幫助下將高壓交流電轉(zhuǎn)換為低壓交流電。此后，連接在電路中的二極管將在交流周期的正半部分中正向偏置，并在負半部分中反向偏置。...
功率循環(huán)加速老化試驗中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗條 件等。...
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優(yōu)勢被放大。...
三極管有兩種基本類型，即NPN型和PNP型。在這兩種類型中，NPN型的三極管更為常用，所以我們將主要討論NPN型的三極管。...
有兩個晶體管(transistor)，一個NPN和一個PNP，連接方式下圖所示。假設(shè)此晶體管是硅(Si)，并顯示0.6伏特(V)基極至發(fā)射極電壓，且兩個晶體管的?值非常高，使得基極電流幾乎為零。求電壓V？？...
短路引起的 SiC MOSFET 電學參數(shù)的退化受到了電、熱、機械等多種應力的作用，其退化機理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進行論證分析。...
繞線電阻是將鎳鉻合金導線繞在氧化鋁陶瓷基底上，一圈一圈控制電阻大小。 繞線電阻可以制作為精密電阻，容差可以到0.005%，同時溫度系數(shù)非常低，缺點是繞線電阻的寄生電感比較大，不能用于高頻。...
電阻器顏色代碼是一種標準化系統(tǒng)，用于表示電阻器的電阻值、容差，有時甚至表示電阻器的溫度系數(shù)。它們由涂在電阻器主體上的彩色帶組成，每個彩色帶代表電阻器值中的特定數(shù)字或乘數(shù)。...
功率MOS管的驅(qū)動電路中會分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路：對開關(guān)驅(qū)動信號中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振，進而引起功率管輸出電壓的波動。...
目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作為開關(guān)。如IGCT其耐壓可達6.5kV，通斷電流可達4000A。但在輸電系統(tǒng)中，其電壓電流等級仍然偏小，需要依靠多電平拓撲或器件串聯(lián)，來提高耐壓能力。...
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