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• 存算一體芯片的壁壘體現(xiàn)在哪些方面?

  通常需要在芯片內(nèi)配置大容量的SRAM來減少片外DRAM的訪存需求，如何組織SRAM，并且配合上述計算流程，也是一個重要的設(shè)計內(nèi)容。...

  760次閱讀 · 0評論 芯片數(shù)據(jù)傳輸編譯器IPU存算一體
  

• NOR Flash的技術(shù)體系和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

  本文分析了NOR Flash的技術(shù)體系，結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并對實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的基本原理以及發(fā)展趨勢進(jìn)行介紹。...

  5497次閱讀 · 0評論 FlaSh存儲單元GNDNOR
  

• 數(shù)據(jù)存儲技術(shù)發(fā)展歷程簡述

  數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的發(fā)展，可以說是一段漫長而又充滿神奇色彩的歷程，承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始，它逐漸經(jīng)歷了磁存儲、硬盤、閃存，以及現(xiàn)在的云存儲；這一路的發(fā)展不僅見證了數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的飛速進(jìn)步，也反映了人類對信息記載與保存的不斷追求。...

  3204次閱讀 · 0評論 PCM存儲器數(shù)據(jù)存儲MRAM
  

• DDR4與DDR3的不同之處 DDR4設(shè)計與仿真案例

  相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面從而確保內(nèi)存穩(wěn)定，另外，DDR4內(nèi)存的金手指設(shè)計也有明顯變化，金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近...

  3412次閱讀 · 0評論 DDR3仿真內(nèi)存DDR4
  

• 存儲器的分類有哪些 常用的存儲器有哪些

  典型的SoC存儲體系包括處理器內(nèi)部的寄存器、高速緩存（Cache）、片內(nèi)ROM、片外主存。其中，內(nèi)部寄存器通常由十幾個到幾十個構(gòu)成，用于緩存程序運(yùn)行時頻繁使用的數(shù)據(jù)（局部變量、函數(shù)參數(shù)等）。...

  5288次閱讀 · 0評論 SDRAM寄存器存儲器ROMsoc
  

• SoC設(shè)計中常用的存儲器

  在SoC中，存儲器是決定性能的另一個重要因素。不同的SoC設(shè)計中，根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲器類型和大小。...

  861次閱讀 · 0評論 存儲器SoC設(shè)計Flash存儲器SDRAM控制器NOR
  

• 存儲器的分類及其區(qū)別

  存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM)。而ROM則是非易失性存儲器， ROM可分為EEPROM(Electrically Erasable...

  1494次閱讀 · 0評論 DRAMFlaSh存儲器sramDDR
  

• DDR3的規(guī)格書解讀

  以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。...

  1558次閱讀 · 0評論 DDR3DDR引腳低電平
  

• XMP DDR5 8000內(nèi)存性能測試詳解

  在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。...

  1602次閱讀 · 0評論 內(nèi)存散熱器DDR4SK海力士DDR5
  

• PCIe 5.0 SSD不用風(fēng)扇會怎么樣？

  PCIe 4.0 SSD初期就面臨嚴(yán)重的發(fā)熱問題，但至少被動散熱片都可以搞定。PCIe 5.0 SSD更是直接飛起，首批產(chǎn)品幾乎清一色都用上了主動風(fēng)扇，性能也無法滿血。...

  444次閱讀 · 0評論 散熱片風(fēng)扇SSDPCIe智能電源
  

• 升級版PCIe 5.0 SSD深度評測解析

  為了提升SSD的性能，HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了獨(dú)立緩存設(shè)計。本次測試的2TB產(chǎn)品配備了多達(dá)4GB獨(dú)立緩存（編號為H9HCNNNCPUML XRNEE的SK海力士LPDDR4內(nèi)存顆粒 ），用于存放記錄數(shù)據(jù)位置的FTL映射表。SSD的讀寫操作都需要查詢這張記錄表，要...

  928次閱讀 · 0評論 DRAMPWM散熱器SSDPCIe
  

• 致態(tài)新款SATA SSD產(chǎn)品SC001 XT評測

  近日，長江存儲旗下的致態(tài)即將發(fā)布新款SATA SSD產(chǎn)品SC001 XT，外觀尺寸為2.5寸，目前提供容量為500G/1TB，未來還會發(fā)布250GB/2TB的版本。...

  2514次閱讀 · 0評論 SATAcpuSSD長江存儲
  

• STEP7-壓縮用戶存儲器(RAM)解析

  在刪除和重新加載塊后，可能會在用戶存儲器(裝入和工作存儲器)中產(chǎn)生間隔，從而減少可使用的存儲器區(qū)域。使用壓縮功能，可將現(xiàn)有塊在用戶存儲器中無間隔地重新排列，并創(chuàng)建連續(xù)的空閑存儲 空間。...

  1267次閱讀 · 0評論 plc存儲器RAM可編程控制器壓縮機(jī)
  

• NAND Flash和NOR Flash的差別

  NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)存儲器，NOR 與NAND 存儲邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢在于隨機(jī)讀取與擦寫...

  8272次閱讀 · 0評論 NANDFlaSh存儲器NOR
  

• NAND Flash存儲原理詳解

  光盤的材質(zhì)是有鋁夾層的塑料，在上面燒洞就形成了數(shù)據(jù)，讀取時利用光在鋁層上的鏡面反射，有洞的地方光不能被反射('0')，沒有洞的地方光被反射('1')...

  5564次閱讀 · 0評論 NANDFlaSh存儲器
  

• 談一談存儲系統(tǒng)的分類

  NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪問存儲介質(zhì)， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計,通過浮柵來鎖存電荷，電荷被儲 存在浮柵中，在無電源供應(yīng)的情況下數(shù)據(jù)仍然可以保持。相對于HDD,具有讀寫速度快、訪問時延低等特點(diǎn)。...

  484次閱讀 · 0評論 晶體管SSD存儲系統(tǒng)數(shù)據(jù)庫Nand flash
  

• 一種簡單的、真實(shí)的基于循環(huán)序列的FIFO緩存設(shè)計

  FIFO緩存是介于兩個子系統(tǒng)之間的彈性存儲器，其概念圖如圖1所示。它有兩個控制信號，wr和rd，用于讀操作和寫操作...

  518次閱讀 · 0評論 控制器寄存器RTL觸發(fā)器fifo存儲器
  

• EPROM存儲器的基本結(jié)構(gòu) Flash存儲器和EEPROM存儲器的區(qū)別

  　　EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)是一種具有可擦除功能的ROM內(nèi)存，寫入前必須先把里面的內(nèi)容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類芯片比較容易識別，其封裝中包含有“石英玻璃窗”，一個編程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一...

  2089次閱讀 · 0評論 FlaSh存儲器ROMMOS管EPROM

• Flash存儲器的工作原理和基本結(jié)構(gòu)

  　　Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。...

  5426次閱讀 · 0評論 FlaSh存儲器MOS管存儲單元

• 存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)

  存儲器是計算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機(jī)存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。...

  5343次閱讀 · 0評論 存儲器硬盤ROMRAM計算機(jī)
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