12月19日晚間，中國首臺ASMLNXT2000i正式搬入SK海力士位于無錫的工廠。 據(jù)ASML證實，此次入駐SK海力士無錫工廠確為NXT2000i，也即NXT2000。ASML解釋
2018-12-21 14:08:53
2384 一季度，全球第二大記憶芯片制造商利潤創(chuàng)下2012年來的最大跌幅。公司預(yù)計DRAM芯片需求將從二季度起復蘇。 芯片銷售仍然疲弱， SK海力士一季度營業(yè)利潤同比下跌69%，創(chuàng)下2012年以來的最大
2019-04-25 18:25:103629 SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:415518 ，2019年12月提升為開發(fā)制造總裁。 DRAM和NAND Flash市場密不可分，SK海力士相關(guān)人士表示：SK海力士首席執(zhí)
2019-12-07 00:53:004052 2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標準JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:281523 日本知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）近日面向車內(nèi)電源插座用AC逆變器和充電設(shè)備，開發(fā)出世界首款※車用漏電檢測IC“BD9582F-M”。
2013-05-16 15:02:181262 ，隨即開始加強在中國晶圓代工事業(yè)的布局。而其中的重點，就是將 SK 海力士旗下負責晶圓代工的子公司 SK Hynix System IC，其為在南韓清州的代工廠設(shè)備出售給 SK 海力士與中國企業(yè)合資的公司，以持續(xù)進行該公司部屬中國的計劃。
2020-11-11 10:12:402654 3月12日，據(jù)韓聯(lián)社報道，韓國半導體廠商SK海力士公司收購英特爾NAND閃存部門收購案現(xiàn)后獲得了美國監(jiān)管機構(gòu)聯(lián)邦貿(mào)易委員會（FTC）和美國外國在美投資委員會（CFIUS）的批準。距離成功收購又近了
2021-03-13 09:27:457908 ，并討論購買存儲芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已經(jīng)完成了符合博世要求的規(guī)格的存儲芯片的開發(fā)。 ? 與消費類設(shè)備中使用的DRAM相比，汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:015332 4月16日消息 據(jù)悉，SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據(jù)稱，SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內(nèi)存芯片的開發(fā)。與消費類設(shè)備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472527 近日，SK海力士官網(wǎng)發(fā)布新聞消息稱，公司已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10nm（1a）級工藝的8Gb LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。值得注意的是，這是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進行DRAM量產(chǎn)
2021-07-13 06:36:582938 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471479 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）據(jù)外媒報道，SK海力士希望在中國工廠無錫使用EUV光刻機，提高存儲芯片的生產(chǎn)效率，然而該工廠升級改造計劃卻遇到極大阻礙，因為美國官員不允許SK海力士將ASML 的EUV
2021-11-24 09:28:344521 SK海力士（或‘公司’）今日宣布，公司已開發(fā)出具備計算功能的下一代內(nèi)存半導體技術(shù)“PIM（processing-in-memory，內(nèi)存中處理）”1）。
2022-02-16 11:04:511469 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002617 
1. 韓國：三星、SK 海力士中國工廠獲得美國無限期許可，無需單獨批準即可獲取芯片制造設(shè)備 ? 據(jù)報道，韓國總統(tǒng)辦公室周一宣布，美國政府決定無限期延長對三星電子和 SK 海力士公司在華工廠進口美國
2023-10-10 10:59:13688 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087 
1. 傳三星等韓國存儲廠商考慮在美國生產(chǎn)HBM 芯片 ? 隨著人工智能對AI芯片的需求不斷增長，三星、SK海力士都致力于擴大HBM高帶寬存儲芯片業(yè)務(wù)，以加強與英偉達、AMD等客戶的合作。美國
2023-12-15 11:14:45573 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）近日，SK海力士發(fā)布2023年第四季度財報顯示，公司2023財年第四季度結(jié)合并收入為11.3055萬億韓元，營業(yè)利潤為0.3460萬億韓元，凈虧損為1.3795萬億韓元
2024-01-27 00:03:004990 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）日前，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準備。“雖然2024年計劃要讓HBM的產(chǎn)能實現(xiàn)翻番，不過生產(chǎn)配額依然全部
2024-02-28 00:16:002233 1. SK 海力士砸900 多億美元建半導體廠 政府相挺 ? 全球第二大存儲器芯片制造商SK海力士，預(yù)計于2046年前在其龍仁（Yongin）半導體聚落，投入逾120兆韓元（907億美元）建造全球
2024-03-22 10:47:38350 SK海力士也宣布，2018年下半將投資重心集中于NAND Flash，NAND Flash新廠投資進度正在加速，DRAM只會進行小規(guī)模補強與轉(zhuǎn)換投資。如何看待這兩則新聞？筆者認為這屬于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
22和24位。
在Top24的榜單排行中，共有七家中國公司入圍。
華為（海思）位列這份榜單的第12位；
聯(lián)發(fā)科（MediaTek）排名第14位；
Imagination排名第15位
2018-05-07 09:26:47
最新Gartner的統(tǒng)計顯示，有4家中國公司躋身全球十大芯片采購商之列，分別是華為、聯(lián)想、小米、步步高(Vivo和OPPO)。其中華為2018年半導體采購支出超過210億美元，全球排名冠亞季軍分別為
2021-07-29 08:17:54
市場的35%。明年，至少兩家中國集成電路供應(yīng)商（睿力集成電路和晉華集成電路）將成功進入DRAM市場。盡管國產(chǎn)廠商的產(chǎn)能和制造流程最初不會與三星、SK 海力士或美光等公司匹敵，但看看中國的初創(chuàng)企業(yè)表現(xiàn)如何，將是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
。韓媒分析，一旦中國決定對DRAM三巨頭開罰，韓國產(chǎn)業(yè)將受到巨大的影響，或成中美貿(mào)易摩擦的受害者之一。2018年11月16日，中國國家市場監(jiān)督管理總局反壟斷局局長吳振國表示，對三星、海力士、鎂光三家公司
2018-11-22 14:49:22
，長江存儲宣布，公司已開始量產(chǎn)3D NAND閃存，這也是中國首款64層3D NAND閃存。據(jù)長鑫存儲官網(wǎng)消息，新列出的長鑫筆記本和臺式機內(nèi)存，容量都是8GB，速率都是DDR4-2666，公司還計劃建造
2020-02-27 10:45:14
近日，制造商Hynix半導體公司更名為SK海力士公司，早在今年二月，移動網(wǎng)絡(luò)運營商SK電信有限公司以3.34萬億韓元(約30億美元)收購海力士21%的股份。
2012-03-28 10:25:311592 工研院 IEK認為，為替代進口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。
2016-05-16 08:55:02807 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:48800 
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12749 據(jù)海外媒體報道，韓國SK集團（SK Group）為了提升股東價值，針對五大新事業(yè)領(lǐng)域加強對外購并。但身為集團金牛的SK海力士（SK Hynix）卻位在疊床架屋的組織框架底部，引發(fā)外界猜測SK集團將進行整體結(jié)構(gòu)調(diào)整，讓SK海力士升格為直屬于集團的子公司。
2017-01-11 09:46:483335 海力士在全球NAND Flash的市占率為12%。 東芝半導體擬釋出存儲器業(yè)務(wù)股份，吸引各界覬覦。先前傳鴻海已經(jīng)投標，最新消息指出全球第二大存儲器廠SK海力士也想搶下這塊肥肉，提升NAND Flash
2017-02-08 02:01:10128 據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619 今年的閃存技術(shù)峰會，美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長江存儲稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:286689 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:494361 今年11月15日，SK海力士發(fā)布第一個符合JEDEC規(guī)格的DDR5 DRAM，而三星則在7月份成功開發(fā)出10nm級別的LPDDR5 DRAM，在技術(shù)上進一步領(lǐng)先于世界同類企業(yè)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，SK
2018-11-23 17:27:117379 受到移動舍必需求鈍化、庫存屯積的影響，SK海力士主力產(chǎn)品DRAM的價格正急劇下跌，外界觀測指出，接連刷新營業(yè)利益紀錄的SK海力士，這次恐怕無法再締新猷。
2019-01-22 15:35:13790 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56845 據(jù)路透社報道，韓國SK海力士今日表示，將投資1070億美元建設(shè)四家工廠。報道稱，SK海力士此舉是要在中國力圖成為芯片制造領(lǐng)先國家的背景下，繼續(xù)保持競爭力。
2019-02-22 14:24:443933 4月18日，SK海力士半導體（中國）有限公司（下簡稱“SK海力士”）舉行主題為“芯的飛躍、芯的未來”的竣工儀式，宣布SK海力士二工廠項目竣工。
2019-04-19 16:30:372947 據(jù)報道，由于中美貿(mào)易摩擦愈演愈烈，韓國內(nèi)存芯片大廠SK海力士有意放緩在中國工廠的投產(chǎn)計劃。
2019-06-24 17:21:582989 海力士則是宣布成功開發(fā)出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經(jīng)進入量產(chǎn)階段。不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產(chǎn)品，但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:122382 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:362869 在推進DRAM的制造技術(shù)上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來沒有停止過前進的步伐。
2019-10-24 17:09:541343 本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:542729 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124
2020-07-03 08:42:19432 7月2日消息，據(jù)外媒報道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。
2020-07-03 14:48:332549 最新消息，據(jù)韓媒報道，由于美國禁令，三星電子和SK海力士將從下周二（9月15日）開始停止向華為出售芯片！ 雖然三星和SK海力士是韓企，但問題在于，美方禁令要求非美國公司不能向華為出售含有美國設(shè)備
2020-09-11 15:54:1717817 這兩家韓國公司將于 9 月 15 日終止與華為的交易。 根據(jù)美國商務(wù)部的制裁方案，三星電子和 SK 海力士將從 15 日開始停止向華為供應(yīng)半導體。不僅是存儲芯片，連 5G、移動通信 （AP）等系統(tǒng)芯片也將無法供應(yīng)，華為的存儲芯片獲取將十分艱難。 不僅是手機
2020-09-15 16:41:402328 來源：中國經(jīng)濟周刊 記者：楊琳 9月15日，美國針對華為的最新制裁令正式生效：凡是使用美國的制造設(shè)備、基于美國技術(shù)開發(fā)設(shè)計生產(chǎn)的芯片，如果沒有美國許可，均不得供貨華為。 作為華為的重要供貨商，制裁
2020-09-17 15:15:131926 SK海力士的代工子公司SK hynix System IC已將其位于韓國忠清北道清州工廠的所有半導體生產(chǎn)設(shè)備出售給該集團在中國無錫的合資公司。
2020-11-11 10:16:092091 據(jù)etnews報道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過并未透露
2021-01-20 18:19:202146 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com ）在韓國京畿道利川總部以“We Do Technology，開啟幸福”為主題舉行M16新廠竣工儀式。為遵守防疫規(guī)定，公司縮小了本次活動規(guī)模
2021-02-03 09:44:241822 額將達到 415 萬平方米，計劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度開工，2025 年建成投產(chǎn)。這一大型工廠將包含四個晶圓加工廠，每個月產(chǎn)量為 80 萬片。 IT之家此前報道，SK 海力士近日表示，將在未來 10 年內(nèi)開發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片，以及 600 層堆疊的
2021-04-13 11:29:492188 去年10月份，Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價格出售給SK海力士。這筆交易在3月份通過了美國審批，日前通過了歐盟的審批，中國的審批會是未來的關(guān)鍵之一。 ? 上周末歐盟
2021-05-27 09:23:571847 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 SK海力士和Solidigm 今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD（eSSD）產(chǎn)品-P5530。
2022-04-07 15:35:276467 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:251176 2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'， www.skhynix.com )今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:311447 韓國首爾,2023年1月6日 – SK海力士今日宣布,SK海力士副會長兼聯(lián)合CEO樸正浩在美國拉斯維加斯CES 2023開幕前一天與高通公司舉行會談探討加強合作。
2023-01-06 11:47:571252 繼SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*，將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%，運行速度高達9.6Gbps（Gb/s）。公司為了強調(diào)其超高速度特性，命名時在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo（渦輪增壓）”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:331074 需要復雜的生產(chǎn)過程和高度先進的技術(shù)。人工智能服務(wù)的擴展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“與性能最高的DRAM相比，HBM3的價格上漲了五倍。” ? 據(jù)了解，目前SK海力士在HBM市場處于領(lǐng)先地位，約有60%-70%的份額。HBM（高帶寬存儲器）是高價值、高性能存儲器，垂直互連
2023-02-15 15:14:444689 
4月26日新聞，DigiTimes援引韓國媒體報道稱，SK海力士正在推遲其位于中國大連的第二個3D NAND工廠的完工。據(jù)悉，這一決議是為了應(yīng)對市場需求萎縮以及美國限制向中國出口先進晶圓廠工具
2023-05-05 15:22:001644 
熱點新聞 1、三星、SK海力士在華晶圓廠將獲美國延長“豁免期” 據(jù)最新報道，美國拜登政府已經(jīng)向韓國領(lǐng)先的芯片公司發(fā)出信號，表示將延長允許它們將美國芯片制造設(shè)備運往中國的許可，稱這是對盟友的讓步，也是
2023-05-11 20:16:37632 
在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下，美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據(jù)臺灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39686 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535 據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47704 據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱，去年第四季度在dram領(lǐng)域，三星以45.1%的世界市場占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領(lǐng)域，三星以世界第1位占據(jù)了第4季度的世界市場占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占據(jù)了第3位。
2023-08-17 09:38:58292 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49563 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導地位。
2023-08-22 16:24:41541 與此同時，SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:13461 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:33504 隨著ai產(chǎn)業(yè)的增長，hbm需求劇增，sk海力士不得不增加人力和生產(chǎn)。hbm存儲器是將多個dram芯片垂直堆疊起來，因此封裝技術(shù)的防熱性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:55356 美國商務(wù)部產(chǎn)業(yè)安全局（bis） 13日公布了一項規(guī)定，內(nèi)容是更新對三星和sk海力士的一般許可證，將兩家公司的中國工廠包括為“實證最終使用者（veus）”。如果包括在該名單中，今后三星和sk海力士無需另外得到許可也可以向中國工廠供應(yīng)設(shè)備。
2023-10-16 10:50:29436 
SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計，由于DDR5需求高漲，拉動產(chǎn)品平均銷售單價，SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16174 速度。SK海力士表示，最近獲得了將LPDDR5T DRAM適用于美國高通技術(shù)公司（Qualcomm Technologies，以下簡稱高通）最新第三代驍龍8移動平臺（Snapdragon?8 Gen 3
2023-10-25 18:17:54711 
SK海力士稱，由于高性能半導體存儲器產(chǎn)品的市場需求增加，公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產(chǎn)品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比，營業(yè)收入增長了24%，營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28413 SK海力士明年計劃的設(shè)施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn)，觀察人士預(yù)計嚴格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌，SK海力士預(yù)計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:05457 ? 近日，瀾起科技榮獲全球知名存儲器廠商SK海力士頒發(fā)的“最佳供應(yīng)商獎”。此前，瀾起科技曾于2020年12月榮獲SK海力士“質(zhì)量管理優(yōu)異獎”。 ? 作為SK海力士多年的合作伙伴，瀾起科技一直致力于
2023-12-04 09:02:37471 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22389 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 10:45:25109 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:05332 韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠，專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達（NVIDIA）的AI GPU進行深度整合，共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:29664 在全球存儲半導體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品，并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08612 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00249 近日，全球存儲解決方案領(lǐng)導者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉
2024-02-25 11:22:21374 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00250 SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:44333 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導者地位。
2024-03-19 15:18:21252 SK海力士，作為全球知名的半導體公司，近期在中國業(yè)務(wù)方面進行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報道，SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務(wù)布局，計劃關(guān)閉運營了長達17年的上海銷售公司，并將其業(yè)務(wù)重心全面轉(zhuǎn)移到無錫。這一決策的背后，反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:25349 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312126 
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