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電子發燒友網>通信網絡>光通信>4.5G基站所需25Gbps光模塊,Maxim率先實現量產

4.5G基站所需25Gbps光模塊,Maxim率先實現量產

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2018-01-10 14:36:47

易天光通信攜系列模塊產品參展CIOE 2018

,面向市場提供的產品涵蓋不同速率的光纖模塊、光纖收發器和直連線纜等系列通信連接產品。不同封裝的模塊覆蓋100Gbps、40Gbps25Gbps、10Gbps、8Gbps、6Gbps、2.5Gbps
2018-09-11 15:57:28

易飛揚200G QSFP DD PSM8模塊助力數據中心低成本持續演進

10KM,采用并行8路、單路25Gbps設計,低功耗優勢顯著,功耗小于6W,工作溫度滿足0~70℃。工藝精良。獨到設計的引擎,不僅提升生產效率,更大的優點在于大幅度降低產品成本。QSFP-DD憑借其
2019-02-15 17:22:37

易飛揚全新推出25G SFP28和100G QSFP28模塊誤碼測試儀

和檢查25GE SFP28和100GE QSFP28模塊或AOC工作狀態和性能, 極大地簡化集成商、工程商(渠道商)等用戶的操作時間,降低運營成本。 25G SFP28 AOC Checker 關鍵
2016-11-24 15:58:54

易飛揚宣布完成100G CWDM4&PSM4模塊量產線建設

`訊,易飛揚即日宣布量產兩款高性能的100G模塊:100G QSFP28 CWDM4 和100G QSFP28 PSM4。兩種產品采用同一個技術平臺和生產平臺。本次建設投產的CWDM4/PSM4
2017-12-04 11:03:01

本周推薦:關于200G PAM4模塊(推薦分享)

EML激光器,可通過一對單模光纖實現10km或者20km的212.5Gbps數據互連。 200GE QSFP56 ER4 在超長距離傳輸中,通常選用200GE QSFP56 ER4模塊。在開啟
2021-06-24 18:30:42

電信級25G CWDM 模塊技術要求有哪些?

2020 年我國5G 基站建設量將達到60-80 萬站,25G 前傳模塊需求將達到720 萬-960 萬個。5G 在前傳上使用的模塊在傳輸速率和使用數量上都得到了提升,而隨著運營商CRAN 部署
2020-04-30 13:50:24

解析100G QSFP28模塊定義

`QSFP28模塊屬于目前市場上比較主流的一種100G模塊。QSFP28模塊提供四個不同信號的信道,傳輸速率從25Gbps提高到40Gbps。QSFP28模塊的尺寸比其他100G模塊更小
2018-05-10 16:18:17

講解25G SFP28模塊的優勢及特征

`25GSFP28模塊就是傳輸速率是25Gbps模塊25G模塊的出現在一定程度上彌補了高速率模塊價格過高、功耗過大,而10G模塊速率又不能滿足用戶需求的缺陷。市場上常見的25G
2018-07-18 17:49:42

迎5G,國內模塊廠商大盤點

明確了5G網絡承載需求,明確指出25G/100G/400G模塊新需求將成為5G時代光通信的主流。那么國內有此資質的模塊廠商有哪些呢?公司主營業務備注迅科技器件國內無源器件生產規模大,品種多
2020-03-05 14:13:28

運營商引領5G建設,模塊市場價量齊升

需要200G及更高。并且數量也會大幅增加,出現量價齊升的情景。模塊數量提升:5G更高頻段帶來建站密度的提高,預計建站規模將是4G的1.5到2倍,模塊用量大大增加,室內小基站規模部署后,模塊用量
2020-05-09 13:52:21

25G高速無源通道的設計挑戰

雖然25Gbps背板規范并未被發布,相關的SerDes也還未量產,但光通信廠商早就開始了40Gbps DQPSK的應用,將PCB上單一通道的速率推進到20Gbps
2011-08-10 11:22:223272

三菱電機將推出用于移動通信系統基站的“25Gbps DFB激光器”樣品

三菱電機株式會社將于9月1日開始提供“25Gbps DFB激光器”的樣品。該新產品為一款光傳輸器件,應用于移動通信系統天線基站與負責收集基站發送的通信信號進行集中控制的交換中心之間的光纖通信。
2016-12-07 10:16:011362

對話曹明:華為已部署55張4.5G商用網絡 投資4.5G就是投資5G

4.5G在短短兩年中實現了跨越式發展,迅速走完了從概念提出到大規模商用的過程。截至目前,全球宣布商用的4.5G網絡已達55張,預計到年底將超過60張,華為無線產品線FDD產品線總裁曹明向C114表示。
2016-12-08 14:18:401900

基于新400Gbps CDFP2.0規范的模塊

通過將100Mbps的CFP4光模塊替換到基于新400Gbps CDFP2.0規范的模塊,您將能夠將1U前面板網絡程控交換機的帶寬從1.6Tbps提升到4.4Tbps。這種新的規范,今天剛由CDFP多源協議(MSA)公布——定義了使用16個工作于25Gbps的通道組成的400Gbps端口
2017-02-09 14:06:111945

華為P10Plus強大的通信實力將引領4G到4.5G的轉變,完成實質性飛躍

早在2013年,華為提出了面向LTE演進的4.5G概念,并于2014年10月首次發布了4.5G發展目標以及關鍵創新技術進展。按照華為的描述,4.5G應該能夠在5G之前提供Gbps的傳輸速率,實現超快速服務。
2017-04-11 23:10:321922

使用Xpeedic SnpExpert 分析25Gbps高速背板連接器

摘要:背板是電信傳輸設備基礎。在超大容量的骨干網傳輸設備中,25Gbps背板互連設計越來越普遍,通過背板傳輸的25G高速信號會表現出嚴重的信號完整性問題。本文以100GBase-KR4設計規范
2017-12-06 10:57:5412

華為布局4.5G,加碼未來市場

關鍵詞:4.5G , 華為 , 移動通信 4G方興未艾,4.5G呼之欲出。 盡管4G時代才剛剛來臨,但是4.5G技術的發展已成為全球信息和通信技術產業所關注的焦點。對此,國內通信業巨頭華為早已
2018-02-17 18:54:01421

華為布局4.5G,加碼未來市場

關鍵詞:4.5G , 華為 , 移動通信 4G方興未艾,4.5G呼之欲出。 盡管4G時代才剛剛來臨,但是4.5G技術的發展已成為全球信息和通信技術產業所關注的焦點。對此,國內通信業巨頭華為早已
2018-02-17 18:54:02531

羅德與施瓦茨聯手華為共同演示最新4.5G芯片平臺1.6Gbps高速下載

羅德與施瓦茨公司在華為最新發布的4.5G通信芯片巴龍765芯片平臺上成功驗證其下行傳輸速率達到LTE A-Pro 1.6Gbps。 羅德與施瓦茨公司(以下簡稱RS公司)和華為技術有限公司共同宣布
2018-02-27 16:30:01205

25G高速線纜和25G有源光纜之間的區別

25G高速線纜和25G有源光纜都可以實現25Gbps的數據傳輸,但是它們之間有什么區別呢?在本文中為大家重點介紹這兩種線纜的區別。
2018-07-24 11:08:127778

PRIZM LightTurn機械光學接口針對25Gbps及更高速率的鏈路進行了優化

在上個月的舊金山Photonics West展會上,US Conec展示了下一代PRIZM LightTurn機械光學接口(MOI)。該接口針對25Gbps及更高速率的基于VCSEL的鏈路進行了優化
2018-11-03 11:17:161395

Xilinx FPGA之間的25Gbps傳輸數據模式介紹

在本演示視頻中,請參閱兩個Xilinx FPGA之間以25 Gbps傳輸的數據模式,該模式跨越由Amphenol / FCI PCI Express CEM連接器和跟蹤卡組成的通道。
2018-11-28 06:53:003782

25G光模塊的四種分類,主要用在25G以太網和100G(4×25Gbps)以太網中

25G光模塊就是傳輸速率為25Gbps的光模塊,主要用在25G以太網和100G(425Gbps)以太網中,其功能是用于數據中心服務器和交換機的互連,25G光模塊能夠提供最節能的方式來滿足數據中心網絡
2020-03-27 14:14:3713033

山東硅片實現量產

集成電路用硅片項目通線量產啟動儀式在德州經濟技術開發區舉行,實現量產后,德州將成為我國北方最大的半導體材料生產基地。 中國工程院院士屠海令說:硅材料,是我們發展集成性半導體的最重要的一個基礎材料,通過跟德州的合作,將來對我們
2020-10-30 15:36:121568

LTM4650-1項目-雙25A降壓模塊調節器(4.5-14V至1.5V@25A和1V@25A)

LTM4650-1項目-雙25A降壓模塊調節器(4.5-14V至1.5V@25A和1V@25A)
2021-05-29 20:55:211

LTM4650項目-雙25A降壓模塊調節器(4.5-14V至1.5V@25A和1V@25A)

LTM4650項目-雙25A降壓模塊調節器(4.5-14V至1.5V@25A和1V@25A)
2021-05-30 08:23:020

臺積電2nm芯片預計將于2025年實現量產

  臺積電在北美技術論壇上公開了未來先進制程的信息,其3nm芯片將于2022年內量產,而首次采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術的2nm制程工藝芯片,預計將于2025年實現量產
2022-07-01 18:31:091391

臺積電2nm芯片計劃于2025年實現量產

臺積電正式公布2nm制造技術,該工藝廣泛使用EUV光刻技術,首次采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術和背面供電技術,計劃于2025年實現量產
2022-07-04 18:09:281281

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