射頻（RF）前端方案將成為長程演進計劃（LTE）芯片商拓展市占的重要武器。高通（Qualcomm）為持續提升于全球LTE市場的影響力，除已推出支援Category 6傳輸速度的進階長程演進計劃（LTE-A）芯片組外，更讓旗下處理器及高通參考設計（QRD）皆開始支援其自有的RF360射頻前端方案，藉此協助移動設備制造商更簡單地推出支援多頻多模的終端產品。

　　高通全球副總裁暨***區總裁張力行（圖1）表示，美國AT&T、德國電信（Deutsche Telekom）、法國Orange等全球多家電信商，皆計劃于今年第四季推出LTE-A CAT6商用網路，最高可以利用載波聚合（Carrier Aggregation）技術支援300Mbit/s的數據傳輸率，因此下半年消費者將可以購買到內建支援CAT6標準數據機（Modem）的智能手機及平板電腦等。

　　圖1　高通全球副總裁暨***區總裁張力行指出，Snapdragon 810與808處理器均采用20納米制程制造，同時支援RF360前端方案。

　　張力行進一步指出，隨著應用市場持續推展，LTE-A技術亦須不斷演進，以完善使用者體驗。有鑒于此，第三代合作伙伴計劃（3GPP）已于去年第四季定義超過六十五種的載波聚合頻段組合，其中包括五十一種跨頻（Inter-band）及十四種同頻（Intra-band）排列組合，可讓電信營運商就自有頻段區間選擇兩個或三個載波，甚至是跨分頻雙工（FDD）/分時多工（TDD）-LTE頻段進行整并，以提升傳輸速度表現。事實上，由于LTE-A時代各家電信商所采用的蜂巢式通訊技術（Cellular Mode）及頻段將益趨復雜（圖2），移動設備制造商多半的做法係依照不同地區支援的多頻多模情形，以覆蓋不同頻段的射頻前端方案推出超過十種的單品 （SKU），但此舉將造成額外的終端開發成本。

　　圖2　LTE網路頻段的多樣性將提高RF元件及數據機的設計復雜度。資料來源：高通

　　張力行強調，處理器廠商于LTE-A市場競技的重點已不局限于數據機與應用處理器的技術，更將延伸至射頻前端，因此，高通自去年開始跨足射頻前端解決方案設計，并推出RF360方案。

　　高通的RF360前端解決方案分為三大部分（圖3）--天線調諧器（Antenna Tuner）、封包功率追蹤芯片（Envelope Power Tracker），以及采用互補式金屬氧化物半導體（CMOS）制程的整合型功率放大器；其中，功率放大器又分為整合天線切換器的多頻多模功率放大器 （Multi-band Power Amplifier， MMMB PA）--QFE2320，以及整合發送器/接收器（Transmitter/Receiver）模式切換器的高頻MMMB PA--QFE2340。

　　圖3　高通RF360前端解決方案優勢? 資料來源：高通

　　據了解，去年底Google推出的Nexus 5手機已率先導入高通的封包追蹤芯片組--QFE1100，藉此降低移動設備PA發熱及耗電情形；而今年2月中興發布的旗艦手機Grand S II LTE，則采用了整套的RF360方案。

　　高通指出，RF360方案不僅擁有小尺寸優勢，且可覆蓋全球所有的2G/3G/4G蜂巢式通訊技術及頻段組合，包括LTE TDD/FDD、寬頻分碼多工/演進式高速封包存取（WCDMA/HSPA+）、CDMA 1x、分時-同步分碼多重存取（TD-SCDMA）及全球移動通訊系統/增強數據率演進（GSM/EDGE），以及700MHz？2，700MHz的頻段，因此制造商可以單一SKU向全球市場銷售。

　　展望未來，高通驍龍（Snapdragon）410、Snapdragon 610、Snapdragon 615等處理器系列的QRD平臺皆已支援RF360前端解決方案，而該公司針對高端移動設備所推出的64位元芯片組Snapdragon 810及808系列亦支援該方案。顯而易見，高通將以RF360前端解決方案與其他處理器廠拉開競爭差距，于頻段日益復雜的LTE-A市場中站穩腳步。

　　值得一提的是，高通RF360前端解決方案正式獲中興旗艦級手機Grand S II LTE采用，意味其CMOS PA技術已可滿足LTE市場的高頻操作性能需求。未來在高通大力推廣RF360方案的推助下，CMOS PA將于支援LTE及LTE-A載波聚合技術的移動設備市場中快速提高滲透率。