轉(zhuǎn)變，不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來越大的影響力。 ? 器件設(shè)計(jì) GaN器件設(shè)計(jì)根據(jù)類型我們可以分為三個(gè)部分，分別是：射頻、功率和光電子，這次主要關(guān)注的是射頻以及功率方面的應(yīng)用。 ? ? GaN射頻器件設(shè)計(jì) GaN射頻器件主要可以分為三種：大
2022-07-18 01:59:45
4002 的功率密度。整板重量不足 230g。在穩(wěn)定的 950kHz 開關(guān)頻率下，可達(dá)到 97.6% 的峰值效率。 主要特色390V - 48V/1kW 高頻諧振轉(zhuǎn)換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2018-10-26 10:32:18
使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開關(guān)能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉(zhuǎn)換更高水平的功率，如圖1所示。GaN半導(dǎo)體能夠在交流/直流供電
2022-11-07 06:26:02
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設(shè)計(jì)的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計(jì)中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進(jìn)的GaN器件和驅(qū)動(dòng)器電路
2017-05-03 10:41:53
效率耐高溫，允許使用較小的散熱器高度集成，允許在芯片上集成GaN HEMT（與硅材料不同）較少BOM材料，簡化設(shè)計(jì)方案，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案中GaN HEMT可以處理各種電流，而不需要IGBT所需的反向二極管
2019-07-16 00:27:49
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
我想大多數(shù)聽眾都已經(jīng)了解了GaN在開關(guān)速度方面的優(yōu)勢，及能從這些設(shè)備中獲得的利益。縮小功率級(jí)極具吸引力，而更高的帶寬則更是錦上添花。電力工程師已考慮在正在開發(fā)的解決方案中使用GaN這一材料。既然如此
2022-11-16 08:05:34
所示），以證明GaN用于硬開關(guān)時(shí)完全合格。我們還在實(shí)際工作條件下運(yùn)行部件，以確定并修復(fù)新發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)場故障機(jī)制。這使我們能證明GaN在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中是可靠的。圖1：符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的測試工具適用于感應(yīng)開關(guān)
2018-09-10 14:48:19
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導(dǎo)通電阻降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)2.電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導(dǎo)率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨(dú)特的優(yōu)勢，其中，針對(duì)GaN功率器件的性能特點(diǎn)，該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無線充電、激光雷達(dá)等應(yīng)用場合。
圖1 半導(dǎo)體材料特性對(duì)比
傳統(tǒng)的D類
2023-06-25 15:59:21
”就是把手機(jī)收起來的意思；最后，我們終于可以起飛了。我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時(shí)間做好了準(zhǔn)備。”這個(gè)聲明似乎預(yù)示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準(zhǔn)備，或者說在大量的應(yīng)用中，已經(jīng)可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
產(chǎn)生過度加熱部位和過度烹飪的結(jié)果。烹飪應(yīng)用中的射頻能量在固體器件中，射頻的頻率、振幅、相位、脈沖寬度和調(diào)制度全部可以進(jìn)行精確的控制。通過對(duì)射頻功率放大器和射頻合成器之間的閉環(huán)控制，其反饋回路能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">射頻
2017-04-05 10:56:33
固態(tài)子系統(tǒng)在這種微波爐的應(yīng)用中，其固態(tài)射頻發(fā)生器這種子系統(tǒng)應(yīng)包括以下組成單元︰處于單片機(jī)同一位置的小信號(hào)發(fā)生器附有熱沉的大功率放大器功率電源此系統(tǒng)的框圖如上圖所示。“射頻輸出”通過 RF 發(fā)射頭進(jìn)入
2017-04-06 16:50:08
本帖最后由 刺客508 于 2017-4-18 15:03 編輯
可靠性和成本效益比較長的工作壽命在烹飪和加熱應(yīng)用中，射頻功率晶體管具有比磁控管長得多的工作壽命。磁控管典型的總工作壽命一般為
2017-04-17 18:19:05
的80%。除了在常規(guī)波爐中應(yīng)用以外，這種射頻能量器件所具有的緊湊外形尺寸，將會(huì)產(chǎn)生大量創(chuàng)新應(yīng)用的機(jī)遇。例如在亞洲，電飯煲具有無處不在需求，固體器件可以應(yīng)用于較小外形尺寸的新型桌上型炊具中，其他具有創(chuàng)新性理念的應(yīng)用還包括有車內(nèi)使用的迷你型微波爐，或徒步旅行者和游客使用的緊湊型炊具等。
2017-04-18 15:02:44
效率、緊湊尺寸和可靠性等方面取得恰當(dāng)?shù)钠胶猓?b class="flag-6" style="color: red">在價(jià)格上能與 LDMOS器件相媲美，才能進(jìn)入到主流的市場應(yīng)用中。固態(tài)器件的優(yōu)勢MACOM公司的硅上GaN 技術(shù)是所有這些射頻能量應(yīng)用的理想選擇，它能
2017-05-01 15:47:21
— 價(jià)格和效率抑制了增長在上世紀(jì)70 年代早期，磁控管首先在微波爐中進(jìn)入了廣泛的商業(yè)應(yīng)用，但整個(gè)射頻能量市場的發(fā)展相對(duì)還比較緩慢。如今，已經(jīng)有了各種各樣的應(yīng)用，包括在工業(yè)和消費(fèi)的烹飪、干燥、照明
2017-04-05 10:50:35
上要優(yōu)于傳統(tǒng)的磁控管，包括在烹調(diào)過程中能對(duì)爐內(nèi)的射頻功率電平和射頻能量投射方向進(jìn)行更高的精度的控制。而今的微波爐對(duì)其功率電平或射頻能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，這將導(dǎo)致產(chǎn)生過度加熱部位和過度烹飪的結(jié)果。那么大家知道GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量的？如何在烹飪中的應(yīng)用的嗎？
2019-07-31 06:04:54
晶體管與其驅(qū)動(dòng)器集成在一起（圖1b）可以消除共源電感，并且極大降低驅(qū)動(dòng)器輸出與GaN柵極之間的電感，以及驅(qū)動(dòng)器接地中的電感。在這篇文章中，我們將研究由封裝寄生效應(yīng)所引發(fā)的問題和限制。在一個(gè)集成封裝內(nèi)
2018-08-30 15:28:30
就可以將更多的主板裝入給定的機(jī)架中，最大限度地提高數(shù)據(jù)中心吞吐量和性能。在圖1所示的典型電信電源系統(tǒng)中，48VDC輸入電壓必須進(jìn)一步降低到中間母線電壓（在此例中為3.3V），然后用一個(gè)或多個(gè)降壓
2019-07-29 04:45:02
異步起動(dòng)永磁同步電動(dòng)機(jī)是怎樣實(shí)現(xiàn)自起動(dòng)的？并網(wǎng)運(yùn)行的同步發(fā)電機(jī)是怎樣調(diào)節(jié)無功功率的？在同步電機(jī)中怎樣才能實(shí)現(xiàn)機(jī)電能量轉(zhuǎn)換呢？
2021-10-22 09:08:53
`網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場對(duì)于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫。舉個(gè)例子，現(xiàn)在的無線基站里面，已經(jīng)開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件，在
2016-08-30 16:39:28
能量采集是實(shí)現(xiàn)低功耗電子器件(如無線傳感器)長期免維護(hù)工作的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。通過捕獲環(huán)境中的多余能量(如照明、溫差、振動(dòng)和無線電波(射頻能量))，完全可以讓低功耗電子器件正常工作。在這些微功率能源中
2019-07-04 08:02:48
高速和射頻電路有何差異？什么是射頻電路？隨著頻率的升高，相應(yīng)的電磁波波長變得可與分立電路元件的尺寸相比擬時(shí)，電路上的導(dǎo)線、電阻、電容和電感這些元件的電響應(yīng)開始偏移其理想頻率特性。一般將射頻定義在30
2019-07-08 08:02:55
Zhang則表示：“與之前的半導(dǎo)體工藝相比，GaN的優(yōu)勢在更高的功率密度及更高的截止頻率。在5G高集成的Massive MIMO應(yīng)用中，它可實(shí)現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN
2019-12-20 16:51:12
（包括射頻）用于生物治療的理論基礎(chǔ)。到目前為止,醫(yī)用射頻已有近 80 年的歷史, 但射頻在美容整形醫(yī)學(xué)中的應(yīng)用是本世紀(jì)的事情。1 射頻的作用機(jī)制1.1 射頻物理作用射頻設(shè)備的分類主要是根據(jù)電極的幾何
2021-12-22 14:58:32
能力和相關(guān)電路喚醒。直流/直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)面臨著進(jìn)一步的挑戰(zhàn)。收獲的能量通常以一種難以使用的形式。雖然在一個(gè)相對(duì)較高的電壓，壓電和靜電收割機(jī)通常操作，大多數(shù)能量捕獲技術(shù)產(chǎn)生的電壓低于1 V為例，小的光
2016-03-01 18:26:40
`現(xiàn)在的原件在進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換的時(shí)候通常伴隨著非常可惜的能量損失，能不能對(duì)現(xiàn)有的原件進(jìn)行行而有效地革新，從而達(dá)到節(jié)能高效的目的`
2012-07-31 16:15:23
的系統(tǒng)。所有這些任務(wù)都必須在極低的電源功率條件下實(shí)現(xiàn)，以便系統(tǒng)能夠采用小型采集器或傳感器。這些功能高度集成在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，有助于降低這類任務(wù)所需的電能。圖1中的系統(tǒng)顯示了一個(gè)用于無線環(huán)境傳感器
2018-11-01 10:44:36
Flex電源模塊（Flex Power Modules）宣布推出其DC-DC轉(zhuǎn)換器系列中的最新型號(hào)PKB4216HDPI，旨在用于電信市場領(lǐng)域的射頻功率放大器（RFPA）應(yīng)用。繼最近推出的750W
2020-10-30 06:17:55
演示測試版，2017年秋季開始供貨MACOM 近日宣布推出一款開發(fā)工具包，旨在幫助商業(yè)OEM快速、輕松地調(diào)整其產(chǎn)品設(shè)計(jì)，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點(diǎn)火
2017-08-03 10:11:14
材料和裸片焊接方法，有效消除了Si相對(duì)SiC在襯底中15%到30%的導(dǎo)熱性差異。Doherty功率放大器結(jié)構(gòu)因?yàn)楦呋赝诵识粡V泛采用，但由于其引入非線性失真，會(huì)導(dǎo)致信號(hào)放大的失真問題。這可以通過數(shù)字預(yù)
2017-08-30 10:51:37
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
的地方找到用武之地。因?yàn)樗軌?b class="flag-6" style="color: red">在保持或提升效率的同時(shí)，使電源更小巧。目前，GaN正被設(shè)計(jì)用于電子電源中，電子電源將電力在交流和直流形式間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，改變電壓電平，并執(zhí)行一定的功能來確保潔凈電能的可用性
2018-09-11 14:04:25
設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)。GaN將在電源密集的地方找到用武之地。因?yàn)樗軌?b class="flag-6" style="color: red">在保持或提升效率的同時(shí)，使電源更小巧。目前，GaN正被設(shè)計(jì)用于電子電源中，電子電源將電力在交流和直流形式間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，改變電壓電平，并執(zhí)行一定的功能
2018-09-10 15:02:53
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
）。因此，硅注入毫無疑問對(duì)ITO和GaN材料之間形成歐姆接觸非常有利。 工作晶體管 為了測試這種方法，我們將透明的源極和漏極歐姆接觸技術(shù)應(yīng)用到了真正的氮化鎵晶體管上，其設(shè)計(jì)如圖1所示。在這些器件中
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面對(duì)GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高
2022-04-12 11:07:51
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高
2022-06-14 10:14:18
實(shí)現(xiàn)的，該FET具有2.2 mΩ R上額定峰值直流電流為 90 A。兩相設(shè)計(jì)還降低了電感器所需的額定電流。 圖1： 采用eGaN FET的兩相雙向轉(zhuǎn)換器的簡化原理圖。 在該設(shè)計(jì)中，電感值和開關(guān)
2023-02-21 15:57:35
。因此，在整個(gè)美國，由于服務(wù)器用電源轉(zhuǎn)換造成的總浪費(fèi)電量為330億千瓦時(shí)，這幾乎相當(dāng)于十幾個(gè)發(fā)電廠產(chǎn)出的電量。但是，服務(wù)器場中浪費(fèi)的總電量更多，因?yàn)橥ㄟ^電源轉(zhuǎn)換的每瓦功率損耗實(shí)際上是被轉(zhuǎn)換成熱能的能量，而
2018-08-29 15:10:47
符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）替代技術(shù)。固態(tài)射頻能量技術(shù)具有從生活消費(fèi)品到工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎(chǔ)設(shè)施的全方位優(yōu)勢，有望在未來撼動(dòng)
2018-08-21 10:57:30
對(duì)磁控管是個(gè)很好地補(bǔ)充和優(yōu)化。通過使用RF能量代替磁控管，我們可以在微波爐中實(shí)現(xiàn)固態(tài)、高度可控的烹飪。微波爐內(nèi)的旋轉(zhuǎn)盤不需要均勻分配熱量。相反，微波爐可以通過程序設(shè)定以不同能量的特定區(qū)域，最終產(chǎn)生更徹底
2018-08-06 10:44:39
和電機(jī)控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請(qǐng)注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應(yīng)用場合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅(qū)動(dòng)器件成功的關(guān)鍵并介紹了減小柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)耦合噪聲技術(shù)。
2019-06-21 08:27:30
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個(gè)很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對(duì)于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
如圖所示，其中Vref=2Vcm,由1轉(zhuǎn)換到2的開關(guān)功耗求出是-0.5Vref^2*C，開關(guān)轉(zhuǎn)換不消耗能量反而產(chǎn)生能量，求大神指導(dǎo)！！我按照能量公式也算出了負(fù)的能量，相當(dāng)于給電壓源充電。是不是可以
2021-06-24 07:29:39
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
我們在“日常生活中的微波射頻能量”系列此前的技術(shù)知識(shí)分享中有提到氮化鎵(GaN)技術(shù)在固態(tài)烹飪和等離子照明應(yīng)用中的諸多優(yōu)勢以及普遍認(rèn)為的氮化鎵將對(duì)商業(yè)和工業(yè)市場產(chǎn)生變革的影響。在談?wù)撏黄菩缘陌雽?dǎo)體
2017-12-27 10:48:11
固態(tài)等離子燈由微波射頻能量供電，等離子體照明通常也稱為發(fā)光等離子體(LEP)，正快速發(fā)展成為主流技術(shù)，即將取代眾多應(yīng)用中的LED和高壓氣體放電(HID)照明，在這些應(yīng)用中，等離子照明的性能優(yōu)于傳統(tǒng)
2018-02-07 10:15:47
兼容基于射頻等離子的照明技術(shù)，無需改裝。無論在洛杉磯還是世界各地，我們都可以從超精確的照明中帶來巨大的節(jié)能效益！將等離子照明中的射頻能量與氮化鎵技術(shù)相結(jié)合，其價(jià)值近乎無窮。關(guān)于MACOMMACOM是一家
2017-12-14 10:24:22
微波射頻在生活中的應(yīng)用有哪些方面？ 1.網(wǎng)絡(luò)通信，信號(hào)覆蓋以及信息溝通。 2.微波射頻能產(chǎn)生均勻的能量，也用于烹飪或者加熱食物 3.因?yàn)槲⒉?b class="flag-6" style="color: red">射頻產(chǎn)生的能量可控，可用于穩(wěn)定照明。 4.在人體健康方面也有相關(guān)應(yīng)用。
2022-03-30 13:51:57
熱應(yīng)用。固態(tài)射頻晶體管能夠產(chǎn)生超精確、可控且響應(yīng)迅速的能量場，使射頻能量能夠精確、合理地分布，從而按照精確規(guī)范將食物加熱到理想狀態(tài)。例如，在小分量的典型烹飪食譜中，MACOM的硅基氮化鎵300W晶體管可在
2017-11-15 10:08:05
網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，目前已得到了廣泛應(yīng)用。但是采用傳統(tǒng)供電模式的傳感器節(jié)點(diǎn)一旦電池耗盡需要重新更換電池，如果傳感器節(jié)點(diǎn)大量分布，人工更換電池所需的工作將不容忽視。隨著超低功耗芯片技術(shù)的越發(fā)成熟，收集周圍環(huán)境中的無線射頻能量提供電能成為一種有效可行的新型能源供應(yīng)模式。
2019-08-13 06:53:48
。相反，我們談?wù)摰氖俏覀兛梢詮墓卜?wù)中收集到的能量。在城市和人口密集地區(qū)，有大量的射頻源，如廣播電臺(tái)和電視臺(tái)、移動(dòng)電話基站和無線網(wǎng)絡(luò)。人們有可能收集它們的部分能量，并將其轉(zhuǎn)化為有用的能量。圖1
2022-04-29 17:11:19
，射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW，自由空間距離為40m。在自由空間以外的環(huán)境中，信號(hào)的路徑損耗是不同的。表 1 顯示了不同的頻譜及其特殊的應(yīng)用。不同的頻段有不同的應(yīng)用，圖1
2021-12-28 09:53:09
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換。 此外，自動(dòng)駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
35年多來，功率MOSFET一直在低功率到中功率范圍內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。這得到了元件結(jié)構(gòu)和相關(guān)半導(dǎo)體技術(shù)不斷創(chuàng)新的支持。快速開關(guān)特性和低損耗以及各種電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的易用性也有
2023-02-27 15:53:50
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN
2018-08-17 09:49:42
信號(hào)集成到固件中。
正確驅(qū)動(dòng)LMG5200 GaN功率級(jí)
LMG5200 GaN半橋功率級(jí)對(duì)于其輸入信號(hào)有特別的需要。我已經(jīng)在上一篇博文中詳細(xì)介紹了這些信號(hào)。關(guān)鍵是創(chuàng)建2個(gè)相反的PWM信號(hào)。在特定點(diǎn)上
2018-08-31 07:15:04
描述這個(gè)教學(xué)演示了一個(gè)原型，它通過天線收集周圍環(huán)境的射頻輻射來收集能量。該電路放置在 Wi-Fi、手機(jī)等射頻發(fā)射源附近時(shí)，會(huì)從周圍收集射頻能量并將其轉(zhuǎn)換為直流電荷，存儲(chǔ)在超級(jí)電容器中，然后用于低壓應(yīng)用。
2022-08-31 06:13:08
毫微功耗級(jí)別時(shí)，選擇就變得有限了。幸運(yùn)的是，目前已經(jīng)有了可供設(shè)計(jì)師選擇的功率轉(zhuǎn)換和電池充電解決方案，其低于 1μA 的靜態(tài)電流可延長低功率傳感器以及新一代 WSN 中持續(xù)運(yùn)作電路的電池壽命
2016-02-23 15:09:39
串聯(lián)放置。圖1所示為實(shí)現(xiàn)此目的的兩種不同配置：共源共柵驅(qū)動(dòng)和直接驅(qū)動(dòng)。現(xiàn)在，我們將對(duì)比功耗，并描述與每種方法相關(guān)的警告所涉及的問題。在共源共柵配置中，GaN柵極接地，MOSFET柵極被驅(qū)動(dòng)，以控制
2023-02-14 15:06:51
GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。然而，在移動(dòng)終端領(lǐng)域GaN射頻器件尚未開始規(guī)模應(yīng)用，原因在于較高的生產(chǎn)成本和供電電壓。GaN將在高功率，高頻率射頻市場發(fā)揮
2019-04-13 22:28:48
耐受高電壓或承受大電流的半導(dǎo)體分立器件，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。在功率半導(dǎo)體的發(fā)展路徑中，功率半導(dǎo)體從結(jié)構(gòu)、制程、技術(shù)、工藝、集成化、材料等各方面進(jìn)行了全面提升，其演進(jìn)的主要
2021-12-01 13:33:21
未轉(zhuǎn)換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散（除非晶體管的效率為100%）。· 因此，GaN 晶體管變得非常熱，熱管理成為重要的設(shè)計(jì)考慮因素。幸運(yùn)的是，碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07
ADuM4121評(píng)估板當(dāng)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器用在高速拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中時(shí)，必須對(duì)其正確供電以保持其性能水平。ADI公司的LT8304/LT8304-1是單芯片、微功耗、隔離式反激轉(zhuǎn)換器。這些器件從原邊反激式波形直接對(duì)隔離
2018-10-22 17:01:41
，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點(diǎn)火系統(tǒng)等各種應(yīng)用之中。商業(yè)OEM將固態(tài)射頻能量作為高效、精確的能源，可使未來幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)全新的性能水平和承受能力。
2017-06-12 15:58:571001 當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用。現(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬臺(tái)，從低成本的消費(fèi)類產(chǎn)品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類型跨度很廣。
2019-03-07 10:51:04450 
鎵(Ga)是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品。 GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。GaN-on-SiC在射頻
2017-11-22 10:41:028545 能量采集是實(shí)現(xiàn)低功耗電子器件(如無線傳感器)長期免維護(hù)工作的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。通過捕獲環(huán)境中的多余能量(如照明、溫差、振動(dòng)和無線電波(射頻能量))，完全可以讓低功耗電子器件正常工作。在這些微功率能源
2017-11-24 10:14:317533 
半導(dǎo)體RF能量讓烹飪電器制造商有機(jī)會(huì)打造差異化的烹飪電器產(chǎn)品。結(jié)合新興餐飲服務(wù)，這些電器可以為消費(fèi)者提供更好的便捷性，同時(shí)提供一致的烹飪效果。本次會(huì)議將介紹半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)、優(yōu)勢及其如何結(jié)合IoT技術(shù)來提供更大差異化優(yōu)勢。
2018-06-28 18:45:002935 固態(tài)RF功率器件可以實(shí)現(xiàn)烹飪產(chǎn)品的功率調(diào)節(jié)和高能效。這需要設(shè)計(jì)師對(duì)尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會(huì)議將介紹恩智浦推出的一款可擴(kuò)展功率模塊，它可快速的集成到烹飪產(chǎn)品中，簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的功率擴(kuò)展。
2018-06-28 18:43:003506 半導(dǎo)體RF能量讓烹飪電器制造商有機(jī)會(huì)打造差異化的烹飪電器產(chǎn)品。結(jié)合新興餐飲服務(wù)，這些電器可以為消費(fèi)者提供更好的便捷性，同時(shí)提供一致的烹飪效果。本次會(huì)議將介紹半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)、優(yōu)勢及其如何結(jié)合IoT技術(shù)來提供更大差異化優(yōu)勢。
2018-06-28 10:47:002898 在現(xiàn)今人工智能的時(shí)代，智能、連接、可編程的烹飪設(shè)備即將上市，利用有關(guān)電器的數(shù)字化為消費(fèi)者提供便利性的烹飪優(yōu)勢。而RF無線射頻應(yīng)用在烹飪領(lǐng)域，意味著“吃貨”的春天已經(jīng)來了。
2018-08-31 17:46:001265 
典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0610616 當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用。現(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬臺(tái)，從低成本的消費(fèi)類產(chǎn)品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2020-09-29 10:44:00
0 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
2021-07-05 14:46:502779 
能量收集或能量收集的概念是一種使用不同方法從外部環(huán)境收集能量的技術(shù)，包括熱電轉(zhuǎn)換、振動(dòng)激發(fā)、太陽能轉(zhuǎn)換、壓力梯度和射頻信號(hào)。射頻無線能量收集為更換電池或延長電池壽命提供了巨大的潛力。目前，電池為大多數(shù)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備供電，包括可穿戴設(shè)備。電池的尺寸有限，從而限制了它們的使用壽命并需要定期更換。
2022-08-09 09:07:281867 
文章來源：新華網(wǎng) 老板電器高級(jí)副總裁何亞東在接受采訪時(shí)表示，用科技助力烹飪，降低烹飪門檻。老板電器認(rèn)為數(shù)字烹飪能夠降低烹飪的門檻，讓更多人有意愿、有動(dòng)力走進(jìn)廚房。同時(shí)，也可以增加烹飪的參與感，讓家人
2022-09-08 10:38:08237 采用GaN實(shí)現(xiàn)48V至POL單級(jí)轉(zhuǎn)換
2022-11-02 08:16:162
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