氮 化鎵（GaN）這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵（GaAs）和LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）器件變成昨日黃花？看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓（減少了阻抗變換損 耗），更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！

至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅（SiC）襯底或者金剛石襯底。

硅基氮化嫁：這種方法比另外兩種良率都低，不過它的優勢是可以使用全球低成本、大尺寸CMOS硅晶圓和大量射頻硅代工廠。因此，它很快就會以價格為競爭優勢對抗現有硅和砷化鎵技術，理所當然會威脅它們根深蒂固的市場。

碳化硅襯底氮化鎵：這是射頻氮化鎵的“高端”版本，SiC襯底氮化鎵可以提供最高功率級別的氮化鎵產品，可提供其他出色特性，可確保其在最苛刻的環境下使用。

金剛石襯底氮化鎵：將這兩種東西結合在一起是很難的，但是好處也是巨大的：在世界上所有材料中工業金剛石的熱導率最高（因此最好能夠用來散熱）。使用金剛石代替硅、碳化硅、或者其他基底材料可以把金剛石高導熱率優勢發揮出來，可以實現非常接近芯片的有效導熱面。

金 剛石襯底GaN主要是應用于美國國防部高級研究計劃署（DARPA）的近結熱傳輸項目（NJTT），始于2011年，在這個項目中TriQuint和布里 斯托大學第四研究室是合作伙伴，而且洛克希德·馬丁公司也是參與者。該團隊在2013年宣布他們已經實現了連續三次提高了GaN-on-SiC的功率密 度。這意味著可以把金剛石襯底氮化鎵芯片縮小三倍或把其射頻功率提升3倍，該項目完成了設計測試評估，很可能金剛石襯底GaN將在5年內滿足其制造性要求。

這里談下TriQuint公司，該公司的氮化鎵技術研發專長和在廣泛的高功率、高頻率工藝流程方面的領先地位為其贏得了美國國防部先進 研究項目局（DARPA） 的許多合同，包括最近與該局的Near Junction Thermal Transport （NJTT）、Microscale Power Conversion （MPC） 以及“NEXT”計劃有關的項目。另外，TriQuint還為Defense Production Act Title III氮化鎵計劃提供持續制造技術改進支持。還有其他一些先進的TriQuint氮化鎵研發項目受到Tri-Services實驗室（包括美國空軍、陸軍 及海軍）的資助。TriQuint研發人員是新型超快高功率直流-直流開關、集成式高效率放大器和復雜、高動態范圍混合信號器件研發領域的開路先鋒。

氮化鎵、砷化鎵和LDMOS將共存嗎？

在這些領域，砷化鎵和LDMOS技術將在可預見的未來繼續發揮作用：

無線基礎設施、工業和一些雷達應用項目：LDMOS 是一個完全成熟的技術，由于它可以提供單器件高射頻功率（大于1kW）因此在這些市場的基礎牢固。LDMOS可以無損的承受阻抗不匹配，并且采用先進的低 熱阻塑料封裝，同時可以保持低成本。其局限性是最高可用頻率低于4 GHz且只在一個窄帶能有最佳性能表現。LDMOS可用于有空間安置多級放大器（不是MMIC）且工作在窄帶頻率范圍的雷達上。

低功耗電池供電設備：智能手機、平板等幾乎所有產品都采用GaAs MMIC以及分立器件。砷化鎵很符合它們的接收和傳輸信號鏈，且得益于30年的發展積累，有眾多供應商可以提供系列產品，且成本低，外形小。

小單元，分布式天線系統和一些微波鏈路：砷 化鎵MMIC在這些市場的優勢是射頻功率低，TriQuint 半導體T2G4005528-FS（圖1）是GaN競爭的典型代表，這種碳化硅襯底的氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管）工作在從直流到3.5 GHz的頻率范圍，并在3.3 GHz頻率上提供64W 3dB增益壓縮（P3dB）。

一些軍事雷達可工作在高頻（HF）到超高頻（UHF）頻率：LDMOS仍是這些系統最佳候選，雖然隨著硅基氮化鎵器件可以覆蓋更廣的帶寬，可用于提供有競爭力的CW RF射頻輸出、增益、效率以及線性度，隨著成本的下降它們將更有吸引力。

還有許多其他應用項目，比如有線電視分配放大器，在這些應用中，砷化鎵和LDMOS的優勢無可替代。簡而言之，砷化鎵和LDMOS技術在這些領域不會消失。

圖1：TriQuint 半導體的寬頻帶的T2G4005528-FS封裝的GaN-on-SiC的射頻功率晶體管

GaN贏在哪里？

下面列出GaN的幾個突出優點：

1.有源相控陣（AESA）雷達和電子戰（EW）系統：這些是碳化硅襯底氮化鎵（或者是金剛石襯底）晶體管或者單片微波集成電路（MMIC）的關鍵應用，而且多年來已經成為這個領域的事實標準，因為當前或再過幾年都沒有其他技術可以可供碳化硅襯底氮化鎵的功率密度和其他優勢。

下 圖顯示了Ka波段砷化鎵和碳化硅襯底氮化鎵MMIC射頻功率放大器（如圖2所示）的構成。兩者都由TriQuint制造。每個放大器在30GHz提供6W 射頻功率，不過，氮化鎵所需的有源器件更少，所以MMIC只需要一個簡單的四路功率合成器。砷化鎵MMIC放大器需要更多的器件而且電路更復雜，因為它必 須包含32路功率合成器，它影響了MMIC的最終尺寸。砷化鎵MMIC大約是鉛筆橡皮擦頂部面積那么大小，而GaN 放大器則大約是生米粒大小。

圖2：砷化鎵MMIC大約是鉛筆橡皮擦頂部面積那么大小，而GaN 放大器大約是生米粒大小

顯 然籠統來看這兩個器件都不大，但當考慮應用的時候例如相控陣雷達時氮化鎵的優勢就很明顯了。AESA雷達可能有70000個部件，每一個由基于MMIC的 發射/接收模塊伺服，相對于砷化鎵MMIC來說，氮化鎵MMIC的尺寸可以更小，再結合氮化鎵的高功率輸出和更高的工作頻率，氮化鎵q器件在相控陣雷達中 取代砷化鎵是理所當然的了。

2.工作在4 GHz以上大功率、寬帶系統：除了氮化鎵沒有其他技術可以提供這些系統所需要的性能。從非常小的用于衛星通信合成孔徑終端（VSATs）到更高頻段的微波鏈路，氮化鎵將是其不二的選擇。

3.一些低噪聲放大器（lna）：盡管GaN和GaAs在噪聲性能方面不分伯仲，但是GaN可以處理已經失真或失效的更大幅度信號。氮化鎵在這些低噪聲放大器領域不會很快取代砷化鎵、硅鍺（鍺硅）或任何其他技術。然而在處理高電平信號時，GaN有其獨特的優勢。

4. 高功率射頻開關和其他控制組件：GaN的高擊穿電壓和電流處理能力使其比基于砷化鎵MMIC更適合做開關。它們也可以工作在高效寬帶領域，它們有相同的低 插入損耗和高隔離的PIN二極管開關，可以處理更高功率且電流消耗低，TriQuint的TGS2354 碳化硅襯底氮化鎵SPDT反射開關裸片（圖3）覆蓋了500MHz到6GHz頻段，可處理40 W射頻功率，開關速度不到50 ns，虧損僅為0.8 dB或更少并且隔離度大于25dB。

圖3：TriQuint的TGS2354 GaN-on-SiC開關die適合適合大功率應用的要求

前途一片光明

假 如將GaN在RF領域的發展分成幾個章節；在第一章完成初始開發之后，現在我們剛剛完成了第二章。到目前為止，已經建立了一個商業市場，已經確定了設備可 靠性和制造能力，晶圓尺寸已經達到6英寸，許多公司已經展示了材料的潛力，這一切都在2000年前后實現，自從1980年代開始發展砷化鎵MMIC以來， 這是取得的最矚目的成就。

在接下來的章節中，GaN將開始獲取更多發展潛力。熱管理技術，其技術進步的主要因素是解決使用金剛石作為襯底和 熱輥材料（在鋁-金剛石模型復合材料中），散熱片的進步通過使用高導熱系數的材料和其他技術。這些其他方法可讓功率密度增加。而今天晶體管門功率密度實際 是低于10 W / mm（砷化鎵不超過1.5 W /毫米），現在一個非常簡單的器件就可以有高達

圖4：Cree的碳化硅HEMT可提供比硅和砷化鎵晶體管更大的功率密度和更寬的帶寬。帶寬的系列范圍從10 Mhz通過18Ghz

氮化鎵就像之前的砷化鎵一樣，在國防系統中將是至關重要的，主要用于但不限于AESA雷達和電子戰以滿足下一代需求。有幾個非常大的項目在未來或多或少都依 賴它。因此，氮化鎵MMIC在商業市場將激增并且國防承包商將開始部署它們。GaN在商業應用未來如無線基礎設施一樣絕對是前途一片光明，但進一步的接受 程度取決于其成本是否進一步降低。

簡而言之，氮化鎵現在才是剛剛發力，十年內其前途輝煌。整個發展故事值得好好讀讀，隨著GaN所向披靡，那么砷化鎵和LDMOS終將會成為歷史。