對于多芯片射頻功放產品，由紅外掃描測量到的最高的芯片表面溫度（“熱點”）被用作熱阻計算里的TJ。產品的總功率耗散計算公式為：
Pdiss=（RF input power + DC power（ID*VD））—（RF output power + RF reflected power）
結到殼的熱阻計算公式為：
θJC = (TJ - TC) / Pdiss
對于一個多級射頻集成電路產品，每一級最高的芯片表面溫度由紅外掃描測量并在計算中作為那一級的熱阻（θJC-stage）。每一級的功率耗散都由那一級的熱阻計算決定和使用。

數據手冊θJC值

飛思卡爾射頻功放技術數據手冊列出的熱阻數據報告基于一個包含十個器件的一份樣品，這些樣品源于不同的制造批次。每一個芯片都加載到預定的射頻條件然后測量。那份樣品的平均熱阻值被用到數據手冊里。

θJC的置信度

使用了量測系統再生性和再現性評估以證明測量中使用的方法和報告飛思卡爾高功率射頻功放精確的熱阻特性。這份評估表明測量的標準偏差以測量均值百分比表示為5%。

總結

熱阻測量方法已經發展和實施到精確的描述高功率射頻功放。完整的測量方法如下：

 使用紅外顯微鏡精確確定在射頻測試條件下的高頻（~2GHZ）芯片溫度（TJ）；

使用最大的芯片溫度計算結-殼熱阻（θJC）

建立測量的θJC值的置信度水平

應用這種方法以決定飛思卡爾射頻功放技術數據手冊中的θJC數據。

這個溫度測量方法被應用到多芯片射頻功放管產品和多級功率射頻集成電路產品。

附錄：射頻功放紅外熱測量涂料方法

這份附錄描述了金屬-陶瓷和塑封射頻功放的紅外溫度檢測方法中涂于目標物體使輻射系數值固定的涂抹技巧。我們已經評估了當應用于無涂層的紅外半透明物體，例如硅器件，紅外顯微鏡的輻射系數矯正過程不起作用[1]。在某些情況下，芯片的非活動區域呈現出更高的溫度區域，相比于活動區域。當在芯片上涂高輻射系數的涂層后，這個問題立刻得到解決。另外一個問題是未覆蓋涂層的器件相比于覆蓋了涂層的器件來說，在相同的操作環境下，檢測到的溫度更低一些。

金屬-陶瓷產品測量中去除和更換保護層

在紅外溫度檢測中，為了能夠看到芯片，金屬-陶瓷封裝產品的保護層必須被去除。為了達到這一點，金屬-陶瓷封裝被放置于加熱板上，加熱板的溫度為~280℃，放置時間約45s。繼續放置在加熱板上直到保護性陶瓷層的環氧樹脂密封膠已經有效融化，可以被除去。這個器件被一個經過改造過的，具有一個窗口的蓋子重新覆蓋。這時這個器件就可以涂涂層了。

塑封產品評估中去除塑封化合物

為了能夠對一個塑封包裝的產品進行熱估計，包裝中心的塑封的化合物將被腐蝕掉，腐蝕的過程中不能損傷芯片和連線。

選擇應用于封裝的涂層

基于一份國內的研究，這份研究比較了6個不同的涂層，對射頻性能（1GHZ和2GHZ的增益、效率、互調衰減）具有最小影響的一種被選用。噴涂過程由噴槍實施。

使用噴槍對器件噴涂

使用噴槍噴涂會精確甚至覆蓋物進入器件。噴槍里用來噴射的氣壓約20-25磅/平方英寸。在作業的過程中噴槍離器件約1/2英寸。一個新的噴涂應用被用于所有器件。為了加快噴涂之間的干燥過程，關閉涂料的供應僅允許空氣通過。然后僅僅干燥后的器件被噴涂。噴涂過程不斷重復直到活躍的芯片被充分覆蓋。在這個噴涂過程中被測量直到輻射系數為0.98。然后，然后，0.98這個固定的輻射系數值被輸入紅外顯微鏡以進行有這種涂層的器件的溫度測量。

參考文獻

1. M. Mahalingam and E. Mares, .Infrared Temperature Characterization of High Power RF Devices,. Proceedings of IEEE MTT-S International Microwave Symposium, May 2001.
2. Mahalingam and E. Mares, .Infrared Temperature Characterization of High Power RF Devices,. Proceedings of IEEE MTT-S International Microwave Symposium, May 2001.