摘要：“VCXO” (壓控晶體振蕩器)是由晶體決定振蕩頻率的振蕩器，可用控制電壓在小范圍內(nèi)進(jìn)行頻率調(diào)整。VCXO時鐘(CLK)發(fā)生器已在多種系統(tǒng)中得到應(yīng)用，如數(shù)字電視，數(shù)字音頻，ADSL和STB。此應(yīng)用筆記介紹VCXO CLK發(fā)生器的結(jié)構(gòu)，關(guān)鍵參數(shù)測量，PCB設(shè)計指南，以及對一個應(yīng)用于MPEG2和AC-3音頻設(shè)備的VCXO CLK發(fā)生器MAX9485的測試結(jié)果。

VCXO CLK發(fā)生器的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

“VCXO”，即壓控晶體振蕩器，其振蕩頻率由晶體決定，但可用控制電壓在小范圍內(nèi)對頻率進(jìn)行調(diào)整，控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調(diào)諧范圍為±100ppm至±200ppm。圖1為一個典型VCXO CLK發(fā)生器的結(jié)構(gòu)和晶振電路模型。


圖1. 典型VCXO CLK發(fā)生器的結(jié)構(gòu)圖

變?nèi)?a target="_blank">二極管CV1和CV2的容值變化會影響到晶振模型，從而改變振蕩頻率。兩個外接并聯(lián)電容CS1和CS2用來調(diào)整諧振范圍和中心頻率的偏移。按照圖1所示的晶振電路，諧振頻率可用下式表示：



其中CL是由CV1，2和CS1，2決定的等效負(fù)載電容。可準(zhǔn)確地表示為：CL = (CV1+CS1) || (CV2 + CS2)。取一階近似并考慮到C1 << C0和CL，可得到fC的頻率增量。



圖2為CS1 = CS2時，fC隨CS1值變化的典型曲線圖。


圖2. VCXO頻率與并聯(lián)電容CS1 (CS1=CS2)

利用這一微調(diào)特性，可使用VCXO和PLL構(gòu)成一個具有微調(diào)特性的CLK發(fā)生器。

VCXO CLK已經(jīng)在多種系統(tǒng)中得到應(yīng)用，如數(shù)字電視，數(shù)字音頻，ADSL和STB。Maxim的MAX9485就是這樣一款CLK發(fā)生器芯片，專為MPEG-2和杜比數(shù)字音頻(AC-3)應(yīng)用設(shè)計[1]，它幾乎可以提供數(shù)字音頻到模擬轉(zhuǎn)換所采用的所有頻率，支持從12kHz到96kHz的采樣頻率。 Maxim還為其它應(yīng)用設(shè)計了各種VCXO CLK發(fā)生器。

VCXO CLK發(fā)生器的關(guān)鍵參數(shù)

有許多參數(shù)用來描述VCXO CLK發(fā)生器。其中最重要的是調(diào)諧電壓范圍、中心頻率、牽引范圍以及時鐘輸出抖動。

調(diào)諧電壓范圍為VCXO控制電壓的變化范圍，此電壓控制變?nèi)荻O管的電容。通常為0V至2V或3V。中心頻率為VCXO輸出頻率范圍的中點。牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值。此比值一般用ppm表示(百萬分之一)，代表VCXO的相對頻率牽引范圍。通常牽引范圍大約為100ppm至200ppm，取決于VCXO的結(jié)構(gòu)和所選擇的晶體。

時鐘抖動是CLK發(fā)生器的一個重要參數(shù)，有多種關(guān)于抖動的定義。兩個最常用的抖動參數(shù)稱為“周期”抖動和“周期間”抖動，我們將在第四節(jié)詳細(xì)討論這些問題。抖動取決于CLK發(fā)生器的結(jié)構(gòu)，芯片之間會有差異，不同的應(yīng)用對抖動的要求也不相同。

晶體選擇和電路板設(shè)計

晶體的選擇和PCB布局會對VCXO CLK發(fā)生器的性能參數(shù)產(chǎn)生一定的影響。選擇晶體時，除了頻率、封裝、精度和工作溫度范圍，在VCXO應(yīng)用中還應(yīng)注意等效串聯(lián)電阻和負(fù)載電容。串聯(lián)電阻導(dǎo)致晶體的功耗增大。阻值越低，振蕩器越容易起振。負(fù)載電容是晶體的一個重要參數(shù)，首先，它決定了晶體的諧振頻率。一般晶體的標(biāo)稱頻率指的是其并聯(lián)指定負(fù)載電容后的諧振頻率。應(yīng)當(dāng)指出，此處的標(biāo)稱頻率是當(dāng)CL等于指定負(fù)載電容時利用公式(1)計算出的值，但不是利用計算出的值1/(2 π √L1C1)。因此，VCXO的調(diào)諧范圍與CL的值緊密相關(guān)。當(dāng)負(fù)載電容值較小時，VCXO的調(diào)諧范圍限制在上端；同樣，電容值較大時，調(diào)諧范圍將限制在下端。負(fù)載電容的適當(dāng)取值取決于VCXO的特性。例如，MAX9485設(shè)計中，為了均衡調(diào)諧范圍、調(diào)諧曲線中點、同時簡化電路板設(shè)計，我們選擇Ecliptek (ECX-5527-27) [2]具有14pf負(fù)載電容的27MHz晶體。使用這樣的晶體時，MAX9485具有±200ppm的牽引范圍，見圖3。應(yīng)該指出，封裝會導(dǎo)致晶體牽引范圍的差異。一般金屬殼封裝比表貼器件(SMD)的牽引范圍更大。但是最近DAISHINKU Corp. [5]生產(chǎn)的一款新SMD晶體可達(dá)到與金屬殼晶體近似的牽引范圍。我們測試了這款SMD晶體(DSX530GA)，發(fā)現(xiàn)外接兩個4pf的并聯(lián)電容時可以實現(xiàn)±200ppm頻率牽引范圍，見圖4。


圖3.


圖4.

為了限制VCXO的調(diào)諧范圍，可通過改變外部并聯(lián)電容設(shè)置向上的調(diào)節(jié)范圍。并聯(lián)電容取值范圍為4ps至7ps，取決于電路板寄生電容。另一方面，向下的調(diào)節(jié)范圍取決于內(nèi)部變?nèi)荻O管值，不能由外部改變。為了降低寄生電容對向上頻率調(diào)節(jié)范圍的影響，在電路板布局中應(yīng)盡可能的減少晶體引腳對地的寄生電容，保證引腳與地層和電源層之間的清潔。詳細(xì)的電路板布局，請參考MAX9485評估板[4]。

測量輸出時鐘抖動的設(shè)備

對振蕩器而言，抖動是一個重要的性能參數(shù)。有兩個最常用的抖動定義：周期抖動和周期間抖動，詳細(xì)信息見圖5。為了測量抖動，可用高速數(shù)字示波器采樣一批數(shù)據(jù)，按照定義計算抖動。Tektronix公司的示波器(TDS 7254)或Lecroy公司的示波器(Wavepro 960)都提供了這類測量軟件。我們還可使用高速數(shù)字示波器在時域測量周期抖動[3]。圖5為裝置圖。在時域中無法測量周期間抖動。但是，如果每個周期的抖動噪聲相互獨立并均勻分布，則周期間抖動是周期抖動的1.414倍。MAX9485能產(chǎn)生21種不同的輸出頻率，取決于不同的音頻采樣頻率和頻率比例因數(shù)。我們使用圖6所示設(shè)備測量了各種可能輸出的時鐘頻率的周期抖動，表1為測量結(jié)果。


圖5. 輸出抖動測量


圖6. 自觸發(fā)抖動測量裝置

表1. 周期抖動與輸出頻率

FOUT	Scaling Factor	Fs	JP (RMS)
(MHz)	?	(kHz)	(ps)	(UI)
73.728	768	96	21	0.00155
67.7376	768	88.2	23.2	0.00157
49.152	768	64	42.6	0.00209
36.864	768	48	40	0.00147
36.864	384	96	37	0.00136
33.8688	768	44.1	44	0.00149
33.8688	384	88.2	41.3	0.00140
24.5760	768	32	66	0.00162
24.5760	384	64	92	0.00226
24.5760	256	96	50	0.00123
22.5792	256	88.2	55.1	0.00124
18.4320	384	48	59	0.00109
16.9344	384	44.1	69	0.00117
16.3840	256	64	134	0.00220
12.2880	256	48	84.8	0.00104
12.2880	384	32	170	0.00209
11.2896	256	44.1	100	0.00113
9.126	768	12	106	0.00097
8.1920	256	32	250	0.00205
4.608	384	12	198	0.00091
3.072	256	12	324	0.00100

從表中可以看出，一般情況下，頻率越高、抖動越低。但如果我們用相對參數(shù)描述抖動，如單位間隔(UI)，見表的最后一列，則抖動是可比擬的。此外，可以注意到輸出頻率36.864MHz、33.8688MHz、24.5760MHz和12.288MHz可通過不同的采樣頻率和比例因數(shù)實現(xiàn)，這導(dǎo)致了不同的抖動值。因此，當(dāng)使用這些頻率時，用戶可通過選擇不同的Fs和比例因數(shù)獲得最低抖動。