光電倍增管分類

　　硅光電倍增管

　　硅光電倍增管（Silicon photomultiplier，國際上簡稱SiPM），HAMAMATSU根據原理叫做MPPC（multi-pixel photon counter）是一種新型的光電探測器件，由工作在蓋革模式的雪崩二極管陣列組成，具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對磁場不敏感、結構緊湊等特點。它發明于二十世紀九十年代末，廣泛應用于高能物理及核醫學（PET）等領域，最近幾年來在核醫學領域發展迅速，被廣泛認為是可以未來極微弱光探測器的發展方向。

　　高溫光電倍增管

　　常規的光電倍增管一般的使用溫度是-30℃-50℃，如果常規的光電倍增管超過50℃工作，首先噪聲會變的非常大；其次高溫也會加速光電倍增管陰極和倍增級材料的性能退化，降低光電倍增管壽命。在我國一般的石油勘探都要達到3500m左右的地層，而在這個地層下溫度高達175℃，常規的光電倍增管就無法滿足要求了，為了這樣的應用環境，我們開發了耐高溫、耐振動的高溫光電倍增管產品。

　　低溫光電倍增管

　　低溫作用下光電倍增管的陰極面電阻會變的非常大，面電阻增大會阻礙陰極電流的流出，所以常規的光電倍增管在低溫下工作時候，陰極線性電流會變的非常小，極大限制了光電倍增管的應用，尤其是在一些類似液氙、液氬環境中進行的直接暗物質探測的試驗中。濱松公司通過低溫堿源技術，以及在陰極面內部鑲嵌金屬輻條技術，大大的降低了低溫下陰極面的面電阻，使光電倍增管低溫下使用成為了可能。

　　低本底輻射光電倍增管

　　低輻射光電倍增管是隨著宇宙射線探測、暗物質探測應用而生的，在我們自然界中存在著大量的天然放射性物質，鈾系、釷系、鉀等物質是自然輻射的主要來源，當然在我們常規的玻璃管殼中也存在較高的自然輻射本底，然而由于輻射與光陰極面反應截面很小，自然輻射對于我們常規的光探測幾乎是沒有影響的，但是對于閃爍測量，尤其是對本底要求很高的暗物質檢測的試驗中，這些本底輻射可能就是致命的，會對有效信號造成干擾，從而影響實驗的效果。濱松公司一方面采用無鉀玻璃作為光電倍增管管殼來降低本底，另一方面為了進一步降低本底，濱松公司采用金屬作為光電倍增管外殼、用陶瓷作為基板，通過這樣的措施可以將本底降到常規光電倍增管的１／１０以下。

　　位置檢出型光電倍增管

　　光電倍增管大多數情況下是作為點探測器使用的，然而像pet、伽馬相機等既要判斷入射光電強度，又要判斷光斑位置的應用，我們可以采用在閃爍體技術以及計算機數據處理等方法，用常規光電倍增管實現應用；如果我們要達到更好的位置分辨效果，就需要位置檢測型光電倍增管了。位置檢測型光電倍增管一般采用通道式的打拿極結構，這樣的結構可以有效地把電子倍增過程約束到一個很小的空間內，這樣可以降低通道間的串擾，根據陽極結構的不同我們也把位置檢測型的光電倍增管分為多陽極光電倍增管和位敏型的光電倍增管，多陽極光電倍增管采用多個獨立的陽極作為輸出，而位敏型的光電倍增管則采用十字金屬板的陽極，通過x、y軸信號的大小來判斷光的位置和強度。

　　mcp型光電倍增管

　　時間響應特性和時間分辨能力是光電倍增管非常重要的參數，尤其是用在一些熒光壽命檢測或者是快速時間響應的應用中，例如系統事業部生產的Ｑ－τ（熒光壽命分析儀），就利用了mcp－pmt的高時間分辨能力。mcp（微通道板）是一種通道式的電子倍增系統，能夠對帶點粒子、X射線、極紫外等射線進行探測，同時作為電子倍增系統具有極高的時間分辨率，可以達到Ps級別，利用MCP作為倍增系統的光電倍增管，不僅可以探測光，同時也具有時間分辨率高的特點。

　　混合型光電倍增管

　　混合型光電倍增管在我們銷售過程中不太常見，不過由于其能量分辨率高、時間響應速度快等特點，在高能物理研究領域有著非常重要的地位。從結構上看混合型光電倍增管由前級的光電陰極、電子加速系統、半導體雪崩系統、輸出系統構成。混合型光電倍增管陰極接收光子產生光電子，電子在高壓加速系統中加速，高能量的電子轟擊半導體，利用雪崩效應產生大的增益，最后電子由輸出系統輸出。

　　μ-PMT是mems技術和真空電子管技術的完美結合，他利用mems技術在硅晶片上加工打拿極，利用真空電子管技術形成光陰極以及倍增級。雖然他僅僅手指大的體積，但是他可以實現106倍的增益。μ－pmt為光電倍增管的發展開辟了一條新的道路，使我們看到光電倍增管微小化、集成化、柔軟化成為了可能，也使我們看到了光電倍增管更廣的發展和未來。

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