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電子發燒友網>光電顯示>Vishay推出靜態dV/dt為1000 V/μs的新型光耦

Vishay推出靜態dV/dt為1000 V/μs的新型光耦

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器件均采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝,進一步擴展光電產品組合。Vishay Semiconductors VOT8026A和VOT8123A斷態電壓高達800 V,靜態dV/dt1000
2019-01-16 18:18:01442

電壓源型驅動dv/dt的表現

英飛凌電流源型驅動芯片,一種非常適合電機驅動方案的產品,將同時實現高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無核變壓器技術平臺的隔離式驅動芯片,能精準地實時控制開通時的dv/dt。下面我們來仔細看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:072945

Vishay推出六款新型高功率紅外發射器

Vishay 推出六款新型 3.4 mm×3.4 mm 表面貼裝 850 nm 和 940 nm 高功率紅外(IR)發射器,輻照強度達到同類器件先進水平,進一步擴充其光電產品組合。新款 Vishay
2022-02-21 13:31:351569

dV/dt失效是什么意思

dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2022-03-29 17:53:223889

MOSFET的失效機理:什么是dV/dt失效

MOSFET的失效機理本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2023-02-13 09:30:08829

擺脫高dV/dt電源的優勢

電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間,同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:01556

dv/dt”和“di/dt”值:這些值的水平對固態繼電器有什么影響?

di/dt水平過高是晶閘管故障的主要原因之一。發生這種情況時,施加到半導體器件上的應力會大大超過額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中,我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性,以及為什么在為您的應用選擇固態繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:572528

dV/dt對MOSFET動態性能的影響有哪些?

靜態dV/dt:會引起MOSFET柵極電壓變化,導致錯誤開通。在柵源間并聯電阻,可防止誤開通。
2023-07-14 14:39:26703

Vishay推出基于VCSEL的新型反射式光傳感器

Vishay 推出一種用于工業、計算機、消費和移動應用領域的新型反射式光傳感器。
2023-08-11 12:32:58538

Vishay推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦

Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦,有助于工業應用節能。
2023-12-08 09:27:10394

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