近日，比特幣價格瘋漲已破2.7萬大關，創下歷史新高！與此同時，“挖礦”業也是高燒不退。此前眾多媒體曾曝光過很多“比特幣工廠”，一些大的工廠，一小時耗電就高達幾萬度，令人咂舌。不過，今天我們要介紹的則是另一個耗電大戶——芯片代工龍頭臺積電。

　　根據《天下雜志》報道，全***過去5年用電的增長量，約有1/3都是由臺積電貢獻的。而隨著新一代的可生產5nm工藝的EUV （極紫外光）微影技術的導入，用電量還將會暴增，可達目前主流制程的1.48倍。

　　據了解，目前半導體制程的主流光源是氬氟雷射，波長為 193 納米，當晶體管尺度已微縮到幾十納米時，就像用一支粗毛筆寫蠅頭小字一般，生產起來有點力不從心。而極紫外光的波長僅有 13.5 納米，這也使得 EUV光刻機成為了攻克7nm、5nm甚至更高制程工藝的關鍵。

　　目前能夠生產的EUV光刻機的只有荷蘭ASML一家，而EUV光刻機的造價也是非常之高昂。ASML目前最先進的EUV光刻機一臺售價高達1.1億美金，而且還供不應求。據報道顯示，此前ASML接到了5臺EUV光刻機的訂單，其中臺積電訂走了5臺，耗資5.5億美元。這個價錢，幾乎可以買下兩臺世界最大民航機──空巴 A380。

　　而EUV光刻機除了售價高昂之外，其耗電也是非常之驚人！

　　雖然，艾司摩爾ASML并未公布 EUV光刻機機臺的耗電功率，但世界第二大內存制造商、南韓的 SK 海力士曾在 2009 年的 EUV Symposium 表示，“EUV 的能源轉換效率（wall plug efficiency）只有 0.02% 左右。”

　　而造成轉換率低的一大原因是，極紫外光本身的損耗過大。

　　“極紫外光物理特性與一般常見的紫外光差異極大。這種光非常容易被吸收，連空氣都不透光，所以整個生產環境必須抽成真空；同時，也無法以玻璃透鏡折射，必須以硅與鉬制成的特殊鍍膜反射鏡，來修正光的前進方向，而且每一次反射仍會損失 3 成能量，但一臺 EUV 機臺得經過十幾面反射鏡，將光從光源一路導到晶圓，最后大概只能剩下不到 2% 的光線。”這也是 EUV 機臺如此耗電的主因之一。

　　如果按照前面的EUV能源轉換效率只有0.02% 來計算，目前先進的能輸出 250 瓦功率的 EUV的機臺，需要輸入0.125萬千瓦的電力才能達到，這個耗電量是傳統氬氟雷射的 10 倍以上。換句話來說，就是一臺輸出功率250W的EUV機器工作一天，將會消耗3萬度電，這個數字確實嚇人。

　　根據芯智訊了解，要想達到 250 瓦功率的 EUV輸出，需要將多臺13kW CO2激光器串聯接通達到所需的功率要求，最終從等離子體源產生所需的EUV光輸出。高科技產生極紫外光的過程非常低效，過去被人們比擬為“用核反應堆提供動力”，但也成為了滿足半導體工業批量生產要求擴展EUV輸出功率的唯一可行方式。

　　另外需要指出的是，如此大的耗電量也不可避免的帶來了很大的發熱量，因此需要部署相應的冷卻系統，而這也將非常的耗電。