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受惠晶片,三星電子Q3業績創新高,計劃明年繼續擴產DRAM

崔灝然? 2017年10月31日 15:49 ? 次閱讀

  明年的DRAM市場將會迎來一場局變,因前段時間的存儲晶片價格上漲,三星電子在第三季度的凈利潤再創新高,所以三星計劃明年將會繼續擴大DRAM的產能,此舉有望改變明年DRAM供給緊俏的格局。

  三星電子日前發布第三季度財報,數據顯示,受惠于晶片事業,三星電子第三季營收62兆韓元,年增29.8%,營業盈利較去年同期增長近2倍、凈利增長逾1倍,再創新高。市場調查機構預測,三星有可能擴大明年的DRAM產出,有望改變明年DRAM供給緊俏的格局。

  受惠晶片,三星電子Q3凈利創新高

  受惠于強勁的晶片事業,三星電子第三季營業盈利較去年同期增長近2倍、凈利增長逾1倍,再創新高。三星并宣布,在2018至2020年期間,將發放股利共約29兆韓元。

  三星電子公布,第三季營收年增29.8%,為62兆韓元,符合本月初公布的初估值。營業盈利為14.53兆韓元,較去年同期的5.2兆韓元大幅增長近2倍,符合先前公布的初估值。凈利為11.1兆韓元,較去年同期的4.53兆韓元增長逾1倍。

  第三季晶片部門營業盈利為10兆韓元,較去年同期的3.4兆韓元增長近2倍,創歷史新高。移動事業第三季營業盈利為3.3兆韓元,相較去年同期的1000億韓元。

  三星表示,存儲晶片需求仍將穩健、供應仍然緊俏。軟性(flexibe)OLED面板出貨增長,以及推出新的硬式(rigid)OLED面板將增進業績表現。零組件事業仍將是2018年的增長引擎。存儲市場的景氣依然看好,2018年DRAM市場仍將呈現正增長。第四季年終旺季的智慧手機和平板電腦的需求都可望增長。今年總資本支出估算為46.2兆韓元,其中,半導體事業資本支出預估為29.5兆韓元,顯示器面板事業資本支出估為14.1兆韓元。

  三星并宣布將回購1.9兆韓元自家普通股,并勾銷2.3兆韓元的自家股票,第三季股利為每股7000韓元,2018至2020年期間將發放股利共約29兆韓元。2018年的股東回報將較今年提高100%。

  考慮明年擴大DRAM產能

  市場調查機構集邦科技發出預警,指出三星有可能擴大明年的DRAM產出,將其明年位元產出供給量由原本預估的18%成長上升至23%,此舉有望改變明年DRAM供給緊俏的格局。

  由于DRAM廠近兩年來產能擴張幅度有限,加上制程轉換的難度,DRAM供給成長明顯較往年放緩,配合著下半年終端市場消費旺季的推波助瀾,DRAM合約價自2016年中開啟漲價序幕。然而,三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻下,可能將擴大DRAM產能,恐將改變DRAM供給緊俏格局。

  集邦指出,以主流標準型存儲模組(DDR4 4GB)合約價為例,從去年中開始起漲,由當時的DDR4 4GB 13美元均價拉升至今年第四季合約價30.5美元,報價連續六個季度向上,合計漲幅超過130%,帶動相關DRAM大廠獲利能力大幅提升。截至目前為止,三星第二季度DRAM事業營業盈利率來到59%,SK海力士也有54%的表現,美光亦達44%。展望第四季,DRAM合約價持續上漲,各家廠商的獲利能力亦可望繼續攀升。

  正因DRAM產業已進入寡占格局,理論上廠商對于高獲利的運作模式是樂觀其成。然而,在連續數季存儲價格上升的帶動下,SK海力士、美光皆累積許多在手現金。有了豐沛的資源,SK海力士將在年底進行18奈米制程轉進,無錫二廠也將在明年興建,預計2019年產出;美光藉著股價水漲船高之際宣布現金增資,代表未來在蓋新廠、擴張產能與制程升級上預做準備,此舉無疑激起三星的警戒心,使得三星開始思索DRAM擴產計畫。

  三星可能採取的擴產動作,除了是因應供給吃緊狀況,最重要的是藉由提高DRAM產出量,壓抑存儲價格上漲幅度。雖然短期內的高資本支出將帶來折舊費用的提升,并導致獲利能力下滑,但三星著眼的是長期的產業布局與保有其在DRAM市場的領先地位,以及與其他DRAM大廠維持1-2年以上的技術差距。此外,明年堪稱中國存儲發展的元年,三星透過壓低DRAM或是NAND的價格,將能提升中國競爭者的進入門檻,并使競爭對手虧損擴大、增加發展難度并減緩其開發速度。

  集邦指出,三星有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產線,部分轉往生產DRAM,并全數採用18奈米制程,加上原有Line17還有部分空間可以擴產,預計三星此舉最多將2018年DRAM產出量8萬片到10萬片,也代表三星的DRAM產能可能由2017年底的39萬片一口氣逼近至50萬片的水準,亦將帶動三星明年位元產出供給量由原本預估的18%成長上升至23%。

  從整體DRAM供給來看,2018年供給年成長率將來到22.5%,高于今年的19.5%,亦即明年DRAM供需缺口將可能被彌平,預期SK海力士與美光將加入軍備競賽以鞏固市占可能性高,為DRAM市場增添新的變數。

  然而,集邦認為,三星此舉將可能改變DRAM市場供給緊俏格局,只是修正目前競爭對手的超額利潤,降為較合理獲利結構;再者,隨著大廠將部分投資重心由NAND Flash轉往DRAM,將可望降低明年NAND Flash供過于求的情形,并進而減緩整體NAND Flash平均售價(average selling price)下滑的速度。三星擴廠或許對2018年DRAM市場將帶來部分衝擊,但就整體存儲產業的長期發展來看,未必是負面訊息。

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發表于 2023-03-29 07:51? 121次閱讀
LGE-CTO使用OPTE的4G DRAM啟動失敗的原因?

LS1046A u-boot不穩定是怎么回事?

嗨,我正在啟動我們自己的董事會。 U-boot 不穩定,每次都卡在不同的地方。 這是3個卡住的日志 1.卡在DRAM I...
發表于 2023-03-23 08:10? 68次閱讀
LS1046A u-boot不穩定是怎么回事?

如何將新的LPDDR3 Micron RAM連接到我們的定制i.MX7ULP板?

我們開發了基于 i.MX7ULP EVK 板的定制板,并希望將我們的新 LPDDR3 RAM 添加到板上,我們看到在 DR...
發表于 2023-03-21 06:49? 72次閱讀
如何將新的LPDDR3 Micron RAM連接到我們的定制i.MX7ULP板?

結合卷積層與全連接層創建一個完整的推理函數

  模型實現   下面是在第 2 篇文章中創建的推理模型的圖表。   首先輸入一張1x28x28的圖片,然后兩次通過C...
發表于 2023-03-17 16:19? 1066次閱讀
結合卷積層與全連接層創建一個完整的推理函數