電橋電路柵驅動器和MOSFET柵驅動器產品介紹
2024-03-19 09:43:3645 電子發燒友網站提供《帶有集成功率二極管的白光發光二極管 (WLED) 驅動器TPS61158數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 09:33:380 電子發燒友網站提供《集成功率二極管和快速爆發模式的白光LED驅動器TPS61166數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 09:23:010 榮湃半導體近日宣布推出其最新研發的Pai8265xx系列柵極驅動器,該系列驅動器基于電容隔離技術,集成了多種保護功能,專為驅動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設計。這款產品的推出,標志著榮湃半導體在功率半導體領域的技術創新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 意法半導體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器,這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性,還致力于提供高度的系統集成性和靈活性,以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日,全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝”)近日宣布,其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源,展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
2024-03-12 10:27:36255 Holtek新推出BS67F2432具備觸控按鍵、高精準度HIRC與LCD驅動器Flash MCU。
2024-03-08 10:35:07211 為了在空間受限的應用中實現高效、實時的嵌入式電機控制系統,MicrochipTechnologyInc.(微芯科技公司)推出基于dsPIC數字信號控制器(DSC)的新型集成電機驅動器系列。該系列器件
2024-03-08 08:22:30114 意法半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 所有的分立式開關功率器件都需要驅動器,無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC
2024-01-01 13:25:00401 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 電子發燒友網站提供《40V/1.2A集成功率管LED驅動器SN3360中文手冊.pdf》資料免費下載
2023-12-22 11:31:390 一體成型功率電感的感量受到哪些條件影響 編輯:谷景電子 一體成型功率電感作為一種特別重要的電感元件,它的感量是選型的一個重要考量原因。經常會有咨詢關于電感感量方面的問題,今天我們就來簡單討論一下
2023-12-18 20:04:23141 報告內容包含:
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
驅動器進化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57156 PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅動器,新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04361 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出全新系列的即插即用型門極驅動器,新驅動器適配額定耐壓在1700V以內
2023-12-14 11:37:10287 圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列,一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側柵極驅動器。 該系列器件被廣泛應用于 DC/DC 轉換器、太陽能和電機驅動器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 功率器件驅動器是電力電子系統的低壓信號控制電路和高壓主電路之間的接口,是功率器件應用的關鍵技術與難點之一。
2023-12-07 09:30:26216 如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 ,如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)等。它們主要在電源、變頻器、電機驅動等功率電子領域中使用。 集成電路是將大量電子器件(如晶體管、電阻、電容等)集成在單個芯片上,形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 問題1:在功率MOSFET管應用中,主要考慮哪些參數?在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算,通常取多少比較好?相應的PCB設計,銅箔面積布設多大散熱會比較好?漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣?有公式可以計算嗎?
2023-12-03 09:30:40408 方法,包括驅動方案、應用實例以及性能評估。 一、驅動方案 基本連線方法 8通道功率驅動芯片通常使用SPI、I2C或者串行總線接口與主控器件進行通信,因此需要主控器件具備相應接口。通過這些接口,主控器件可以向功率驅動芯片發送
2023-12-01 14:38:35346 功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
2023-11-23 09:06:38407 電子發燒友網站提供《現代IGBT/MOSFET柵極驅動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 電子發燒友網站提供《5.76W高功率因數LED驅動器.pdf》資料免費下載
2023-11-21 09:26:260 EVAL-6ED2742S01QM1評估套件包括一塊三相逆變功率板,內含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅動器,驅動六個額定電壓為150V
2023-11-17 17:08:41534 電路使用,也可由分立元件構成。集成電路形式的 H 橋一般用于中小功率需求的應用,或者是對電路面積有要求的場合。 分立元件形式的 H 橋通常用于大功率或者超大功率需求的應用,主要由 MOSFET 或 IGBT 晶體管組成。 不過 MCU 的引腳是無法直接驅動 MOS 管等元
2023-11-16 16:28:48561 電子發燒友網站提供《功率驅動器件與MCU/DSC接口電路設計技巧.pdf》資料免費下載
2023-11-13 09:25:530 功率MOSFET選型的幾點經驗在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數和性能的,這里不作贅述,只對實際
2023-10-26 08:02:47373 在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 和小功率MOSFET類似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 在電源與充電樁等高功率應用中,通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管? 電源與充電樁等高功率應用通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管,主要是出于以下幾個方面的考慮。 首先,最后一級
2023-10-22 14:47:33409 汽車電子MOSFET發展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關的性能。功率器件正集成到智能化車載系統中。現在在最低功率級別,MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅動功率,且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 發現,像 Arduino 或樹莓派這樣的設備不能直接驅動重負載。在這種情況下,我們需要一個“驅動器”,也就是一個可以接受來自微控制器的控制信號,并且具有足夠功率來驅動負載的電路。在許多情況下,MOSFET
2023-10-16 09:19:231185 使用安森美半導體制造的CAT4106集成多通道LED驅動器和高功率DC-DC轉換器,可以設計出非常簡單且高效的LED驅動器,適用于為總功率高達6瓦的背光應用供電。
2023-10-15 10:03:41922 1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內部集成兩個N溝道功率MOSFET和兩個P溝道功率MOSFET,并組成橋式連接方式。芯片內部集成振蕩器提供一對高精度互補信號,能有效確保兩路功率MOSFET驅動
2023-10-12 10:04:51
伺服驅動器中可以集成多少種電機驅動控制電路?
2023-10-08 07:07:48
管輸入端(柵極)的驅動電路要比雙極型晶體管的基極驅動電路簡單得多。而且MOSFET管沒有存儲時間,就避免了復雜的 Baker 鉗位電路和比例基極驅動電路。另外,雙極型晶體管β值在制造過程中可能相差達4
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制,采用節省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率,STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間,并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
英集芯IP2189全集成旅充協議是市場上性價比最高的協議芯片,采用SOP8封裝設計,全集成可任意搭配前級電源芯片即可,支持20WPD方案。英集芯IP2189具備自動檢測設備的插入和拔出
2023-08-26 21:09:260 2ED020I06-FI是一款高電壓,高速功率MOSFET和IGBT驅動器,具有聯鎖高側和低側參考輸出。浮動高側驅動器可以直接供電,也可以通過二極管和電容供電。除了每個驅動器的邏輯輸入外
2023-08-24 18:21:45
功率MOSFET數據表參數
2023-08-24 09:13:06552 隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 主要因素。德
州儀器 (TI) 的 DRV 器件非常適合此類系統,因為它們高度集成并配備完善的保護電路。本應用報告旨在重點介紹
使用 DRV 器件進行電機驅動器布局時需要注意的主要因素,并提供相關的最佳實踐
2023-08-11 17:16:13
安捷倫81635A雙光功率傳感器
Agilent81635A雙光功率傳感器
特性說明:<±0.015 dB 偏振相關性
±3% 功率不確定度
高達62.5 μm 內核大小的標準 SM
2023-08-10 13:49:18
TI大功率電機驅動器應用的系統設計注意事項
2023-08-08 15:48:090 在電機驅動系統中,柵極驅動器或“預驅動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅動電機所需的大電流。在選擇驅動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關無源元件時,有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹,將導致實現方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34807 這是使用IC MD7120作為MOSFET驅動器的D類功率音頻放大器的電路設計。 MD7120 用于驅動在 H 橋開關兩側運行的四個 N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉換器
2023-07-28 16:20:50801 森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優點。
2023-07-26 17:34:13355 通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅動功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設計電機驅動器時,通常需要搭配外部的MOSFET驅動器
2023-07-25 10:13:59683 介紹
在設計電源開關系統(例如電機驅動器或電源)時,設計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器?以及哪種柵極驅動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 、更高效的系統設計。 開 發 背 景 全球清潔能源市場要求汽車和工業領域的功率系統設計師更高效地產生、儲存和使用能源,而寬帶隙碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)能夠在系統級提供明顯的效率優勢,但往往也伴隨著一些巨大的集成挑戰。 傳統柵極驅動器的實現需要隔離柵極驅動器和
2023-07-13 16:05:02416 MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(對應GTR的截止區);飽和區(對應于GTR的放大區);非飽和區(對應于GTR的飽和區)。功率MOSFET在開關狀態下工作,即截止區域和不飽和區之間的轉換
2023-07-04 16:46:37975 臺慶 | 科熱壓式一體成型功率電感
2023-06-30 16:27:40329 該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器,可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動的功率轉換器等領域。
2023-06-30 09:58:50263 ),漏極( Drain )和源極( Source )。功率 MOSFET 為電壓型控制器件,驅動電路簡單,驅動的功率小,而且開關速度快,具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結構有:橫向導電雙擴散
2023-06-28 08:39:353665 功率MOSFET最常用于開關型應用中,發揮著開關的作用。
2023-06-27 17:41:20369 納芯微全新推出120V半橋驅動NSD1224系列產品,該系列產品具備3A/-4A的峰值驅動電流能力,集成 高壓自舉二極管 ,提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本,有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
GaN功率半導體集成驅動性能
2023-06-21 13:24:43
先進的單片集成能力調節柵極驅動最大限度地減少電感和振鈴邏輯和保護功能完全集成提高可靠性在GaN分立器件中是不可行的
2023-06-16 10:53:42
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例:高密度手機充電器?應用實例:高性能電機驅動器?應用示例;高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
)模塊。由于閘極驅動器的阻抗基本為零,因此集成后可實現關斷時的零損耗。此外,可以根據具體的應用要求,定制和控制開啟性能。
2023-06-15 16:03:16
eMode硅基氮化鎵技術,創造了專有的AllGaN?工藝設計套件(PDK),以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器,邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548 為保證出貨質量,公司要求對目前公司的驅動器需要上功率老化,但是公司的產品功率等級不一樣,沒有合適的負載和老化方式,請教大神們有沒有合適的老化方式。
2023-06-06 10:47:55
),漏極(Drain)和源極(Source)。功率MOSFET為電壓型控制器件,驅動電路簡單,驅動的功率小,而且開關速度快,具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有:橫向導電雙擴散型場效應晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 高速雙功率MOSFET驅動器 SOIC8
2023-06-01 09:23:05
分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
基于Siliconix應用以及串聯插入運算放大器驅動器電壓供應商的2個電阻的電壓變化。MosFET晶體管必須安裝在至少1K/W的散熱器上。
2023-05-23 16:50:331164 功率放大器在壓電驅動器中的作用是將低功率信號放大為足夠大的電力信號,以驅動壓電陶瓷材料產生相應的機械振動。
2023-05-23 16:25:55483 常規的雙極晶體管是電流驅動器件,而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:54:02518 常規的雙極晶體管是電流驅動器件,而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:52:08747 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET,通常須將一個電壓施加于柵極(相對于源極或發射極)。使用專用驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。
2023-05-17 10:21:391473 矽力杰SA52270是一款用于車身控制模塊的15A全橋電機驅動器。高度集成的H橋驅動模塊由內含邏輯控制、門驅動和功能保護的兩個半橋組成。通過PWM控制,集成上管電流采樣功能,具有全面的保護以及故障診斷功能。
2023-05-16 15:30:51603 功率MOSFET怎樣關斷?能否用PWM實現?怎樣實現?
2023-05-08 16:16:27
概述LTK8833 是一種雙橋電機驅動器,具有兩個 H 橋驅動器,可以同時驅動兩個直流有刷電機、一個雙極步進電機、電磁閥或其他的電感負載。每個 H 橋的輸出驅動器模塊由配置為 H橋的 N 溝道功率
2023-05-08 14:18:440 推薦一款雙功率橋電機驅動芯片,帶有精確的電流監控,電流控制和電流限制徹底解決傳統功率橋芯片電流控制復雜的問題。提高控制感性線圈負載的電流精度。內置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
在本文中,我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路,該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 TMI8723是一款專為H橋驅動器應用而設計的柵極驅動器集成電路。它能夠驅動由四個高達40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個可調節的電荷泵來產生柵極驅動功率,峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時,TMI8723可以通過引腳VDS設置過電流點的值。
2023-04-20 15:00:311 您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器,但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先,是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
每個 H 橋的輸出驅動器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET 組成,用于驅動電機繞組。每個 H 橋均具備調節或限制繞組電流的電路。
2023-04-07 12:26:21311 控制器的輸出信號為雙脈沖,能否控制單脈步進驅動器驅動兩相步進電機?
2023-04-04 16:42:23
在電源及其負載之間放置開關和保險絲可以控制和保護電源。對簡單開關和保險絲的改進是集成電路,它在單個封裝中實現相同的功能,無需移動部件,也無需維修。本文將展示MAX5976熱插拔電源方案中的內部功率MOSFET和驅動器電路如何提供開關控制和保護。所需的過流保護水平由單個接地外部電阻器設置。
2023-04-04 11:31:42699 氮化鎵(GaN)是一種具有寬帶隙的半導體,其開關速度比硅元件快20倍,并且可以處理高達三倍的功率密度。如果在電機驅動器的PFC和轉換器級中使用GaN開關,則可以顯著降低功率損耗和系統尺寸 - 最終,轉換器甚至可以集成到電機中。
2023-04-04 10:19:151470 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391000 的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應用)兩種產品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
1.5A雙高速功率MOSFET驅動器
2023-03-28 18:24:29
驅動器 - 全集成,控制和功率級,半橋,I2C,2.8V ~ 5.5V,12-QFN(3x3)
2023-03-28 15:16:09
和2024年,隨著AI大數據領域、以及超級計算機或者超級計算單元等應用的迅猛發展,大電流和高功率密度模塊、以及高能量密度的Power Block模塊也將會迎來爆發式的需求增長。MPS最新推出的雙路輸出系列
2023-03-24 15:42:26
3A雙高速功率MOSFET驅動器
2023-03-24 14:48:59
1.5A雙高速功率MOSFET驅動器
2023-03-24 14:48:59
6A高速功率MOSFET驅動器
2023-03-23 04:51:16
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