MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態硬盤（SSD）可延長壽命
2024-03-18 10:24:36
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蔡司三坐標測量機是一種高精度測量設備。正確使用蔡司三坐標測量機可延長三坐標測量機的使用壽命。測量工件時獲得更精確的結果。也可以養成良好的工作習慣。
2024-03-12 15:41:2095 
意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
近日，Nexperia（安世半導體）宣布推出能量平衡計算器。這是一款功能強大的網絡工具，旨在幫助電池管理工程師最大限度地延長其應用的電池壽命或實現無電池應用。
2024-03-05 11:11:30182 
CR2032 和 CR2025 紐扣鋰電池的能量密度提高，保質期得到延長，因此，可廣泛應用于多種低功率應用，比如低功率Wi-Fi、LoRa、Sigfox、Zigbee、LTE-M1等技術的相關器件，以及NB-IoT收發器等。
2024-03-01 14:43:34188 
我正在開發一個使用 LoRa模塊的物聯網項目， 但我發現 LoRa 模塊的功耗比較高， 這可能會導致電池消耗得很快.我正在尋找一些建議來幫助我降低 LoRa 模塊的功耗以延長電池壽命.我已經考慮了
2024-03-01 07:38:34
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產品是根據ARINC 429總線規范設計的硅柵互補式金屬氧化物半導體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認證試驗廣電計量在SiC第三代半導體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰經驗，為您提供專業可靠的AEC-Q101認證服務，同時，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性，在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產能充裕，供應穩定，性價比高。
2024-01-20 17:54:00916 
中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例，續航里程可延長5到10公里，在夏冬兩季的效果尤為明顯。
2024-01-18 10:04:05276 MOSFET即金屬氧化物半導體場效應管，是電路設計中常用的功率開關器件，為壓控器件；其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，具備驅動電路簡單，驅動功率小，開關速度快，工作頻率高、熱穩定性高于GTR等優點
2024-01-09 10:22:43111 
半導體放電管是一種采用半導體工藝制成的PNPN結四層結構器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關特性。當浪涌電壓超過轉折的電壓VBO時，器件被導通，這時它呈現一般PN結二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152269 
場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。根據導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
隨著電池供電型應用的激增，人們對質優價廉的電池和電池包的需求持續猛漲。電池制造商們不斷采用新的化學物質，推出更小的尺寸，新的、復雜的限制和要求也隨之產生，但是對電池基本功能的要求未曾改變，即：在不影響系統性能的前提下，延長運行時間和貨架期。
2023-12-26 16:28:00238 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶閘管等等，主要用于工業和電力系統（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導體器件的迅速發展，現在功率半導體器件已經非常廣泛，在計算機、通行、消費
2023-12-03 16:33:191134 
讓IoT傳感器節點更省電：一種新方案，令電池壽命延長20%！
2023-11-30 17:12:17317 
按施敏教授的觀點，半導體器件有四個最基本的結構單元：金半接觸、PN結、異質結、MOS結構。所有的半導體器件都可以看作是這四種基本結構的組合，比如BJT由兩個背靠背的PN結構成，MOSFET由MOS結構和兩對PN結構成。
2023-11-30 15:56:171032 
MOS結構加上一對背靠背的PN結，就構成一個MOSFET。如果MOS結構在零柵壓時半導體表面不是反型的，此時由于PN結的反向截止效果，源漏之間不會導通。當外加柵壓使半導體表面反型時，源漏之間就有
2023-11-30 15:54:49398 
利用升壓轉換器延長電池使用壽命
2023-11-23 16:19:59147 
半導體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們在電子設備中發揮著重要的作用。本文將介紹半導體分立器件的基本概念、分類、應用和發展趨勢。
2023-11-23 10:12:56792 
解一下什么是溝道。溝道是在半導體材料中形成的電子流的通道。通過在材料中創建和控制溝道，我們能夠控制電流的流動，從而實現半導體器件的功能。在常見的場效應晶體管（Field-Effect Transistor, FET）中，溝道是連接源極和漏極的部分。 p溝道和
2023-11-23 09:13:422311 硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N溝道MOSFET截止，電感電流下降，電感中的能量轉移到電池中。當電感電流下降到外部電流檢測電阻設置的下限時，外置N溝道MOSFET再次導通，如此循環。當BAT管腳電壓第一次達到內部設置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
使用串聯方法延長鹵素燈的使用壽命及減少頻繁更換燈泡問題
2023-11-21 06:19:04
電子發燒友網站提供《如何延長醫療平板電池壽命.pdf》資料免費下載
2023-11-15 14:23:30
0 在電子工程和微電子技術的世界里，半導體器件建模是一個核心概念。它涉及對半導體器件如晶體管、二極管等的電氣行為進行數學和物理描述。這一過程對于設計高效、可靠的電子設備至關重要。本文旨在深入探討半導體器件建模的概念、其重要性以及在現代技術中的應用。
2023-11-13 10:48:27515 
鋰電池容易壞嗎？如何延長鋰電池的使用壽命？ 鋰電池是目前廣泛應用于電子產品和電動車等領域的一種重要電池類型。它具有高能量密度、輕巧、無記憶效應等優點，但是在一些特定使用條件下，鋰電池容易出現一些問題
2023-11-10 15:05:15711 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備
2023-11-09 15:19:57663 
一、功率器件在半導體產業中的位置功率半導體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導體產品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產品有【電源管理芯片】和【各類驅動芯片
2023-11-08 17:10:15822 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據導電溝道類型和柵極驅動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關和放大電路中，可以控制電流流動并放大信號。
2023-11-03 14:56:23293 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 如今，半導體元器件已成為電子應用中不可或缺的一部分。半導體元器件的需求主要受生命周期較短的消費電子影響。
2023-10-26 09:55:37368 如今，半導體元器件已成為電子應用中不可或缺的一部分。半導體元器件的需求主要受生命周期較短的消費電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 怎么才能延長這個讀寫壽命
2023-10-24 07:50:49
如何延長FLASH的讀寫壽命?
2023-10-23 06:46:23
功率半導體器件與普通半導體器件的區別在于，其在設計的時候，需要多一塊區域，來承擔外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區的普通半導體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21878 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 在讀寫次數不變的情況下，如何盡可能的延長flash讀寫壽命
2023-10-13 07:22:56
一 F-200A-60V 半導體器件測試機專為以下測試需求研制： 二 技術參數
2023-10-12 15:38:30
根據專利摘要，該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
在日常的電源設計中，半導體開關器件的雪崩能力、VDS電壓降額設計是工程師不得不面對的問題，本文旨在分析半導體器件擊穿原理、失效機制，以及在設計應用中注意事項。
2023-09-19 11:44:382578 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889 參考半導體行業可靠性試驗條件和抽樣原則，制定產品可靠性規范并依此對產品進行完整可靠性驗證。? 可靠性試驗目標： 模擬和加速半導體元器件在整個壽命周期中遭遇的各種情況(器件應用壽命長短)。 ?可靠性試驗目的： 使試制階段的產品
2023-09-12 10:23:45698 
本文介紹如何在現有系統中添加nanopower轉換器以延長器件的電池壽命，從而將電池運行時間延長多達20%。 采用電池供電的電路必須具備高能效，這樣電池才能長時間持續供電。為此，應當選擇節能型元器件
2023-09-05 18:10:03200 
穩定性和效率兼備，雷卯MOSFET改變您的產品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
。
為了最大程度地延長電池壽命，設計師需要將系統的平均電流消耗降至最低。要實現這個目的，采用多種低功耗工作模式及選用合適的元器件就非常重要。就低功耗工作模式而言，其中就包括關
2023-08-29 15:34:11255 ，減少人力資源消耗，為半導體行業降本增效。Novator系列全自動影像儀創新推出的飛拍測量、圖像拼接、環光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測量需求，解決各行業尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06
近日，基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款IC采用了具有突破意義的創新技術，是專為延長不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設
2023-08-14 16:03:15246 
隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
升高。根據電子設計規則，溫度每升高10°C，平均壽命將降低50%，因此正確評估半導體器件的熱應力或結溫非常重要。
2023-08-07 15:18:381962 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035041 
的優勢，以及PassThru模式如何延長儲能系統的使用壽命，特別是超級電容的總運行時間。 延長電池的使用壽命，意味著儲能系統性能更強、運行時間更長、成本更低。通常有三種方法可以延長電池壽命：改進電池技術，設計更優良的器件，以及提供創新的能源管理系統。
2023-07-21 18:15:02286 
具有 ULQ? 模式、可延長電池壽命的 4.5V 至 24V、8A 同步降壓穩壓器
2023-07-20 18:24:35
實現長達10倍電池壽命，擴展在物聯網設備中的應用范圍 ? 奈梅亨， 2023 年 7 月 12 日： 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款
2023-07-12 09:51:11276 
近日，基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款IC采用了具有突破意義的創新技術，是專為延長不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設
2023-07-11 11:09:30533 
金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種場效應晶體管（FET），由三個端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因此MOSFET是一種電壓控制器件。施加在柵極
2023-07-07 10:13:352972 
電池保護器對于延長電池壽命起著重要的作用。通過監測和控制電池的狀態，電池保護器可以防止電池過充、過放、過流等問題，從而減少對電池的損害。這樣可以避免電池過度充放電，保持電池在安全范圍內工作，延長電池的使用壽命。
2023-07-06 16:31:481437 隨著越來越多的人對替代能源和電動汽車感興趣，對可靠、持久電池的需求持續增長。LiFePO4電池因其令人印象深刻的性能和安全特性而成為許多應用的熱門選擇。然而，像所有電池一樣，LiFePO4電池的壽命有限。在本文中，我們將探討影響LiFePO4電池壽命的因素，并提供有關如何延長其使用壽命的提示。
2023-07-04 09:13:22599 
要延長設備電池壽命，至少需要使用低功耗微控制器、傳感器、無線電和高效電源等組件進行設計。通過高效的電源管理技術平衡電池容量和尺寸也至關重要，尤其是在設計變得越來越小、越來越輕的情況下。此外，當電池
2023-06-30 11:08:46362 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
（VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應晶體管發展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結型晶體管（BJT)自身的局限性驅動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
廣，不管是在居民區、商業區或是高速公路服務區，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導體功率器件和封裝領域的技術積累，研發出同類別性能優異的超級結MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
蘭奈梅亨--(美國商業資訊)--Nexperia(安世半導體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領導者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術實現具有史上最低導通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 日：基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET (ASFET) 新產品組合，重點發布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 分立器件行業概況
半導體分立器件是半導體產業的基礎及核心領域之一，其具有應用領域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場需求看，分立器件受益于物聯網、可穿戴設備、智能家居、健康護理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
由于聚合物鋰電芯采用膠體電解質，內阻較液態電芯更小。內阻降低意味著電池的自耗電減少，可延長電池待機時間，輸出更高的性能。目前世豹無人機鋰聚合物電池的內阻水平已達到行業優秀指標。
2023-05-17 11:36:51499 
據統計，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲能逆變器里占比高、數量多，是必不可少的半導體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
在太陽能發電系統中，大部分費用都在面板和電池上。任何具有成本效益的太陽能解決方案都可以最大限度地提高這些組件的容量利用率和使用壽命。例如，高質量的充電器可延長電池運行時間，降低容量要求，并延長電池
2023-04-19 11:32:341626 
?意法半導體的TSU111H 5V車規運算放大器具有微電流消耗和最高150°C的工作溫度，實現了一個器件兼具多種特性。 TSU111H 符合 AEC-Q100 零級溫度標準(-40°C 至150
2023-04-17 13:38:51817 
制造產業的轉移、下游行業需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導體分立器件行業已經進入快速發展通道。目前，我國已經成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據中國半導體行業協會
2023-04-14 13:46:39
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 鋰離子電池自然老化，預期壽命 大約三年。但是，這種生命可以很短—— 不到一年 - 如果電池處理不當。它變成了 電池通常在應用中被濫用 否則，智能調節將顯著延長電池壽命。LTC4099 電池 充電器
2023-04-12 10:57:57607 
評估，以改善動態特性和可靠性，并開發有助于實現碳中和的更具吸引力的高性能功率半導體器件。新研發的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
）和看門狗定時，以確保高系統可靠性。穩壓器必須在輕負載下具有高效率，以延長電池壽命。LT3689 采用纖巧型 16 引腳 3mm × 3mm QFN 封裝和 16 引腳 MSOP 封裝，可提供所有這些特性。
2023-04-10 11:57:46681 
金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 是一種場效應晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當壓控電流源，并主要用作開關或用于放大電信號。MOSFET的控制是通過向柵極施加特定的電壓來進行
2023-04-06 10:06:381381 對于鋰電池來說，充電方法對其性能影響很大，合理的充電方法可延長鋰電池的壽命、提高充電效率。本文分析了鋰電池的各種充電方法，并在充電速度、使用壽命和實現成本上對各自的優缺點進行了比較，供大家參考交流。
2023-03-31 15:14:524744 
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