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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Diodes發(fā)布采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的產(chǎn)品

Diodes發(fā)布采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的產(chǎn)品

Diodes發(fā)布采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的產(chǎn)品

Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的雙極型晶體三極管產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用Diodes的第五代矩陣射極工藝，率先面世的12款NPN及PNP晶體管有助于設(shè)計(jì)人員大幅提高功率密度并縮減解決方案的尺寸。

PowerDI5的占板空間僅有26mm²，比SOT223小47%，比DPAK小60%；板外高度僅為1.1mm，遠(yuǎn)薄于1.65mm高的SOT223和2.3mm高的DPAK 封裝。

PowerDI5最小的銅板電功率額定值 (minimum copper power rating) 為0.74W，可在小面積上體現(xiàn)極佳的熱性能，大幅度提高了功率密度。它在25×25mm的銅和FR4物料上的額定熱電阻為75℃/W，額定功率為1.7W，足以在一些較依賴封裝熱性能的應(yīng)用中取代SOT223 封裝。

首批采用新型PowerDI5封裝的NPN及PNP晶體管產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)通信、電信、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池充電器應(yīng)用。

新器件中的DXT2013P5、DXT2014P5及DXTP03200BP5的額定電壓分別為100V、140V和200V。這些器件的飽和電壓低，具有快速開關(guān)的特性，有助于改善用戶接線口電路直流-直流轉(zhuǎn)換器 (SLIC DC/DC converter) 的效率。在線性電池充電器中，具有低飽和電壓的20V DXTP19020DP5能夠幫助充電器即使在較低的輸入電壓下，也能確保電池完全充滿。

額定電壓為100V的DXTN07100BP5，憑借小巧的封裝尺寸和低熱阻，完全滿足 48V穩(wěn)壓器應(yīng)用的需要；DXT5551P5則可在需要較高電壓的條件下，用作電信線路驅(qū)動(dòng)器，以滿足較長通信線路的需求。

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PowerDI5(7863) PowerDI5(7863)

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2023-10-19 12:39:54

BAS40WQ 表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管

BAS40WQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的BAS40WQ這是一款采用 SOT323 封裝的 200mA 表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管。它提供低正向壓降和快速開關(guān)功能，設(shè)計(jì)有用于瞬態(tài)

2023-10-19 11:52:02

BAS40-06Q-13-F 表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管

BAS40-06Q-13-F 產(chǎn)品簡介DIODES 的BAS40-06Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管（標(biāo)準(zhǔn)）封裝提供低正向電壓降和快速切換能力，采用PN結(jié)保護(hù)環(huán)

2023-10-19 11:44:26

BAS40-05Q-13-F 表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管

BAS40-05Q-13-F 產(chǎn)品簡介DIODES 的BAS40-05Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管（標(biāo)準(zhǔn)）封裝提供低正向電壓降和快速切換能力，采用PN結(jié)保護(hù)環(huán)

2023-10-19 11:40:43

BAS40-04Q-13-F 表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管

BAS40-04Q-13-F產(chǎn)品簡介DIODES 的BAS40-04Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管（標(biāo)準(zhǔn)）封裝提供低正向電壓降和快速切換能力，采用PN結(jié)保護(hù)環(huán)設(shè)計(jì)，用于瞬態(tài)

2023-10-19 11:34:56

D28V0H1U2P5Q 1800W 瞬態(tài)電壓抑制器

D28V0H1U2P5Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 D28V0H1U2P5Q 這款 1800W TVS 采用熱效率 PowerDI5 封裝，旨在保護(hù)汽車應(yīng)用中的敏感電子電路免受感性負(fù)載

2023-10-10 12:38:30

采用HLGA表面貼裝封裝的MEMS傳感器產(chǎn)品提供PCB設(shè)計(jì)和焊接工藝的通用指南

本技術(shù)筆記為采用 HLGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產(chǎn)品提供 PCB設(shè)計(jì)和焊接工藝的通用指南。

2023-09-13 08:03:50

HLGA封裝中MEMS傳感器的表面貼裝指南

表面貼裝 MEMS 傳感器的通用焊接指南在焊接 MEMS 傳感器時(shí)，為了符合標(biāo)準(zhǔn)的 PCB 設(shè)計(jì)和良好工業(yè)生產(chǎn)，必須考慮以下三個(gè)因素：? PCB 設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能對(duì)稱：? VDD / GND 線路上的走

2023-09-13 07:42:21

HLGA封裝中MEMS傳感器的表面貼裝指南

本技術(shù)筆記為采用 HLGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產(chǎn)品提供 PCB 設(shè)計(jì)和焊接工藝的通用指南。

2023-09-05 08:27:53

LGA封裝中MEMS傳感器的表面貼裝指南

本技術(shù)筆記為采用 LGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產(chǎn)品提供通用焊接指南。

2023-09-05 07:45:30

AN1165-LFPAK56/PowerDI5060兼容封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN1165-LFPAK56/PowerDI5060兼容封裝.pdf》資料免費(fèi)下載

2023-07-24 15:19:47

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SBR3U60P5Q 整流器 (SBR) 車用二極管

SBR3U60P5Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR3U60P5Q 采用緊湊型熱效率 PowerDI5 封裝，在高溫下提供低 V F和低反向泄漏。 產(chǎn)品規(guī)格品牌

2023-06-19 13:56:59

SBR8E60P5 整流器 (SBR) 二極管

SBR8E60P5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR8E60P5 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，在高溫下提供超低正向壓降 (V F ) 和出色的低反向泄漏穩(wěn)定性。

2023-06-16 16:42:34

SBR8E20P5 整流器 (SBR) 二極管

SBR8E20P5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR8E20P5 采用緊湊型熱效率 PowerDI5 封裝，在高溫下提供超低正向壓降 (V F ) 和出色的低反向泄漏穩(wěn)定性。它非常適合

2023-06-16 16:32:45

SBR8B60P5 整流器 (SBR) 二極管

SBR8B60P5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR8B60P5 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，在高溫下提供超低正向壓降 (V F ) 和出色的低反向泄漏穩(wěn)定性。

2023-06-16 16:27:47

SBR5E60P5 整流器 (SBR) 二極管

SBR5E60P5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR5E60P5 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，在高溫下提供超低正向壓降 (V F ) 和出色的低反向泄漏穩(wěn)定性。

2023-06-16 16:10:22

SBR3U60P5 整流器 (SBR) 二極管

SBR3U60P5產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR3U60P5 采用緊湊型熱效率 PowerDI5 封裝，在高溫下提供低 V F和低反向泄漏。 產(chǎn)品規(guī)格品牌

2023-06-16 13:19:58

請(qǐng)問新唐ARM內(nèi)核的QFN32封裝2腳5V供電的單片機(jī)?

請(qǐng)問新唐ARM內(nèi)核的QFN32封裝2腳5V供電的單片機(jī)?謝謝

2023-06-16 06:38:16

SBR15U50SP5 整流器 (SBR) 二極管

SBR15U50SP5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR15U50SP5 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，可提供極低的 V F并在高溫下提供出色的反向泄漏穩(wěn)定性。它非常適合

2023-06-15 09:51:12

SBR15A30SP5 整流器 (SBR) 二極管

SBR15A30SP5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR15A30SP5 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，提供極低的 VF 并在高溫下提供出色的反向泄漏穩(wěn)定性。它非常

2023-06-14 21:33:08

SBR12M120P5-13D 整流器 (SBR) 二極管

SBR12M120P5-13D 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR12M120P5-13D 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，在高溫下提供超低反向泄漏穩(wěn)定性，并提供低正向壓降 (VF

2023-06-14 21:00:19

SBR12M120P5-13 整流器 (SBR) 二極管

SBR12M120P5-13 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR12M120P5-13 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，在高溫下提供超低反向泄漏穩(wěn)定性，并提供低正向壓降

2023-06-14 20:50:27

SBR10B45P5 整流器 (SBR) 二極管

SBR10B45P5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR10B45P5 采用緊湊型熱效率 PowerDI5 封裝，在高溫下提供超低正向壓降 (V F ) 和出色的低反向泄漏

2023-06-14 18:10:15

SBRT20U60SP5 整流器 (SBR) 二極管

SBRT20U60SP5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBRT20U60SP5 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，提供超低正向壓降 (V F ) 并在高溫下提供出色的低反向泄漏穩(wěn)定性

2023-06-13 20:22:09

SBRT20M60SP5 整流器 (SBR) 二極管

SBRT20M60SP5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBRT20M60SP5 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，提供低正向壓降 (V F ) 并在高溫下提供出色的低反向

2023-06-13 18:59:42

SBRT15U50SP5 整流器 (SBR) 二極管

SBRT15U50SP5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBRT15U50SP5 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，提供超低正向壓降 (V F ) 并在高溫下提供出色的低

2023-06-13 18:53:55

SBRT15U100SP5 整流器 (SBR) 二極管

SBRT15U100SP5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBRT15U100SP5 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，提供極低的 V F并在高溫下提供出色的反向泄漏穩(wěn)定性。它非常適合

2023-06-13 18:45:38

SBRT10U50SP5 整流器 (SBR) 二極管

SBRT10U50SP5 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBRT10U50SP5 采用緊湊型熱效率 POWERDI5 封裝，提供超低正向壓降 (V F ) 并在高溫下提供出色的低反向泄漏穩(wěn)定性

2023-06-13 18:21:59

關(guān)于表面貼裝技術(shù)（SMT）的最基本事實(shí)

PCB另一側(cè)的引腳。THT具有以下屬性：　　1）。焊接點(diǎn)是固定的，技術(shù)相對(duì)簡單，允許手動(dòng)操作。　　2）。體積大，重量高，難以實(shí)現(xiàn)雙面組裝。　　然而，與通孔技術(shù)相比，表面貼裝技術(shù)包含了更多的優(yōu)勢(shì)：a.

2023-04-24 16:31:26

MADL-011092 寬帶表面貼裝限幅器

MADL-011092寬帶表面貼裝限幅器MADL-011092 是一款無鉛寬帶表面貼裝限幅器，將多個(gè)限幅器級(jí)和阻塞電容器集成到一個(gè)緊湊的層壓封裝中。該器件在 100 MHz

2023-04-23 13:14:13

SBRT10U50SP5-13

PowerDI5

2023-03-28 14:58:47

IPP-7043 是一款表面貼裝 90 度混合耦合器

6800 MHz（2 至 6.8 GHz），平均額定功率為 100 瓦。IPP-7043 采用 0.20 x 0.56 英寸表面貼裝封裝。IPP-7043 的幅度平

2023-03-27 14:53:23

IPP-7018 一款表面貼裝 90 度混合耦合器

至 4 GHz），平均額定功率為 100 瓦。IPP-7018 采用 0.35 x 0.56 英寸表面貼裝封裝。IPP-7018 的幅度平衡小于 0.5dB，插入

2023-03-24 14:42:33

PDS5100-13

PowerDI5

2023-03-24 13:55:58

PDS5100H-13

PowerDI5

2023-03-24 13:55:58

PDS560-13

PowerDI5

2023-03-24 13:55:58

PDS760-13

PowerDI5

2023-03-24 13:55:58

已全部加載完成

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