英飛凌科技股份公司,作為全球領先的半導體公司,近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29117 英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET,滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45203 高壓功率放大器是一種特殊類型的放大器,專門用于放大高電壓和高功率的信號。它在許多領域中具有重要的應用,下面安泰電子將詳細介紹高壓功率放大器適用的幾個主要場合。 高壓功率放大器適用于音頻放大
2024-02-29 14:21:03101 SMD封裝是一種表面貼裝封裝技術,用于封裝集成電路芯片或其他電子元件,以便直接安裝在PCB的表面上。
2024-02-21 18:15:36567 電子發燒友網站提供《TSOT23-6FC;用于SMD的卷筒干包裝信息.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:39:400 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 DFN封裝是一種先進的電子元件封裝工藝,與SMD封裝相比,DFN封裝提供了更高的靈活性和穩定性。
2024-01-28 17:24:551388 功率MOSFET是一種廣泛應用于電力電子轉換器的高性能開關器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度和良好的熱穩定性等特點,因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統中發揮著重要作用。 結構
2024-01-17 17:24:36294 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 一臺高壓電機額定功率5100KW,那它實際上能輸出多少功率?
輸出功率也就是有功功率,這個應該跟功率因數有關。
那它最大輸出功率也不會超出5100KW,它的總功率也就是5100KW.
我如果讓電機
2023-12-27 07:22:49
:IFNNY)順應系統層面的發展趨勢,推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
2023-12-12 18:04:37494 LED顯示屏SMD和COB封裝技術有何不同? LED顯示屏是一種廣泛應用于戶內和戶外廣告、信息發布、娛樂等領域的顯示設備。SMD(Surface Mount Device)和COB(Chip
2023-12-11 15:05:37781 SMD、IMD和COB三類;按芯片正反方向可分為正裝、倒裝兩類;按封裝基板材料可分為PCB基板封裝和玻璃基板封裝兩類。
2023-12-08 09:08:221305 如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 高壓功率放大器是一種關鍵性能器件,常用于不同領域的應用,包括聲音放大、通信系統、電力傳輸等。以下是關于高壓功率放大器產品參數和優勢的詳細介紹。 一、高壓功率放大器的產品參數 輸入/輸出電壓范圍:高壓
2023-12-06 10:26:43173 模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅(SiC)MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用,而傳統
2023-12-05 17:03:49446 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 問題1:在功率MOSFET管應用中,主要考慮哪些參數?在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算,通常取多少比較好?相應的PCB設計,銅箔面積布設多大散熱會比較好?漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣?有公式可以計算嗎?
2023-12-03 09:30:40408 (SiC)MOSFET芯片,采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiCMOSFET能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用,而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應
2023-12-02 08:14:01310 適用于下一代大功率應用的XHP?2封裝
2023-11-29 17:04:50265 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用
2023-11-24 14:57:39195 功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
2023-11-23 09:06:38407 高壓功率放大器 是一種專門用于放大高電壓和高功率信號的電子器件,其主要作用是將輸入信號放大到足夠的范圍內,以便后續電路進行進一步處理。在工業、醫療、軍事等領域中,高壓功率放大器有著廣泛的應用。 下面
2023-11-20 17:28:22299 日前,集設計研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出了用于電池
2023-11-13 18:11:28219 器件,能夠像IGBT一樣進行高壓開關,同時開關頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關頻率。之前的文章中,我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優化SiC柵極驅動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統性能和應用 。 封裝 WBG半導體使高壓轉換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:02333 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構,采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但是,導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長,導通電阻急劇增大,電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 TDK東電化推出適合高功率應用的SMD耦合電感器
2023-11-01 15:52:33238 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 功率MOSFET選型的幾點經驗在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數和性能的,這里不作贅述,只對實際
2023-10-26 08:02:47373 在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 和小功率MOSFET類似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 ,即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用,但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢,因此僅限用于較低的工作頻率。因此,硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作,而 IGBT 更適合高壓
2023-10-18 16:05:02328 眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅動功率,且開關速度優異??梢哉f具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構,采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但是,導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
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2023-09-27 11:05:310 電子發燒友網站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:22
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2023-09-18 08:09:45
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:42:05
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 07:30:53
說明
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2023-09-18 06:56:21
說明
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2023-09-18 06:47:35
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2023-09-18 06:28:58
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說明
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2023-09-18 06:08:07
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET,根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superp&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 08:12:36
說明
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2023-09-15 07:17:57
說明
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2023-09-15 07:12:49
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SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業和汽車應用,提供廣泛的封裝選項,包括長引線TO-247、TO-LL,以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容,此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案,在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 功率器件在工業應用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 功率MOSFET數據表參數
2023-08-24 09:13:06552 。超結MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性,對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸,其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。封裝特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 針對汽車DC 24V電源系統拋負載測試,東沃電子推出大功率更小封裝TVS管:SMD8S36CA,用于汽車DC 24V電源拋負載保護,可通過ISO 16750-2 P5a(Us=202V、Td
2023-08-02 17:17:11760 高壓功率放大器是一種能夠將低電壓信號轉換為高電壓輸出信號的設備。它通常由前置放大器和功率放大級組成,廣泛應用于雷達、醫療、半導體測試和工業自動化等領域。下面安泰電子將介紹高壓功率放大器的幾個主要
2023-07-19 17:38:33450 高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。
2023-07-10 15:09:39165 及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 華羿微電成立于2017年,是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業,主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 研發及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 ? 華羿微電成立于2017年,是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業,主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(對應GTR的截止區);飽和區(對應于GTR的放大區);非飽和區(對應于GTR的飽和區)。功率MOSFET在開關狀態下工作,即截止區域和不飽和區之間的轉換
2023-07-04 16:46:37975 MOSFET是開關和汽車應用中非常常見的元件,支持低壓或高壓擺幅,并具有寬范圍的電流驅動。高功率應用的數量正在增加,從而產生了對功率MOSFET的額外需求。為了生產數量不斷增加的功率MOSFET
2023-06-30 11:26:16878 功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:353665 功率MOSFET最常用于開關型應用中,發揮著開關的作用。
2023-06-27 17:41:20369 用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
高壓功率放大器是一種用于產生高電壓和高功率信號的電子設備,通常采用功率放大器電路來實現。它主要起到以下作用: 提供高電壓信號 在一些應用中需要產生高電壓信號,如高壓變頻器、醫療設備等。高壓功率
2023-06-14 17:01:02466 UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET,它結合了先進的溝槽MOSFET,設計具有更好的特性,如快速開關時間、低柵極電荷、低導通狀態電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關電源和適配器的高速開關應用。?
2023-06-14 16:45:450 引言: 隨著電力電子技術的迅猛發展,高壓功率MOSFET已成為現代電力系統和能源轉換領域的關鍵組件之一。在這方面,CMZ120R080APA1作為一款創新的N型硅碳化物功率MOSFET,以其卓越
2023-06-12 17:42:13317 高壓功率放大器是一種能夠提供高電壓、高功率輸出的設備,被廣泛應用于無損檢測中。無損檢測是一種非破壞性檢測技術,通常用于測試工業產品的缺陷、材料組成和品質等方面。下面將詳細介紹高壓功率放大器在無損檢測中的應用。
2023-06-12 09:14:52287 PRISEMI芯導產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671 功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關元件的功率半導體產品,所述開關元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31287 分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 TOLL(Transistor Outline Leadless)封裝的MOSFET,由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點,已經在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 ,
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風筒專用電機驅動芯片其浮動通道可
用于驅動高壓側 N 溝道功率 MOSFET,浮地通道最高
工作電壓可達 700V。高速風筒專用電機驅動芯片采用
SOIC8 封裝,可以在-40℃至 125℃溫度范圍內工作
2023-05-10 10:05:20
功率MOSFET怎樣關斷?能否用PWM實現?怎樣實現?
2023-05-08 16:16:27
在本文中,我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路,該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 不久前,英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱(TSC)封裝技術正式注冊為JEDEC標準。
2023-04-29 03:28:004585 —兩焊盤之間的間距 W—器件管腳寬度 注:A, T, W 均取數據手冊推薦的平均值 圖3-39 無引腳延伸型SMD貼片封裝 定義: T1為T尺寸的外側補償常數,取值范圍:0.3~1mm T2
2023-04-17 16:53:30
用于低功率離線SMPS的汽車高壓開關
2023-04-06 21:52:21
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET,特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET,這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 ,不受走線的影響,適用于小零件焊盤,如0402,0201,01005 2、SMD焊盤維修時不容易撕裂和脫落,因為SMD焊墊的實際銅箔尺寸相對NSMD要來得大,而且綠油蓋住了部分焊盤,所以焊墊與基板
2023-03-31 16:01:45
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
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