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2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
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2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 實(shí)時(shí)高性能需求尤其突出。面對(duì)以上挑戰(zhàn)，合作伙伴翌控科技基于米爾STM32MP135開(kāi)發(fā)板發(fā)布開(kāi)放式高實(shí)時(shí)高性能PLC控制器解決方案，將高精準(zhǔn)數(shù)據(jù)采集、預(yù)處理、存儲(chǔ)、通信與高實(shí)時(shí)控制融為一體，為控制系統(tǒng)
2024-03-07 20:06:14
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2024-03-06 10:17:540 使用SC584外擴(kuò)DDR3，no_boot啟動(dòng)模式，開(kāi)發(fā)環(huán)境CCES-2.2.0版本，在線調(diào)試過(guò)程，程序可正常下載，但是在A5預(yù)加載過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)SYS_FAULT拉高現(xiàn)象，經(jīng)實(shí)際匯編單步調(diào)試發(fā)現(xiàn)
2024-01-12 08:11:46
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28
195 
法人方面解釋說(shuō)：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無(wú)法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲，給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，介紹MAX?II系列即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD基于0.18-μ，6層金屬閃存工藝，密度從240到2210個(gè)邏輯元件（LE）（128至22
2023-10-24 15:38:16
package, 0.5mm pitch封裝。與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，擁有最高的功率密度。效率比市場(chǎng)上的其他解決方案高 2 倍、先進(jìn)的控制優(yōu)化了對(duì)電機(jī)的電流傳輸、節(jié)省高達(dá) 50% 的 PCB 空間、集成一流
2023-10-22 11:41:32
DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫(xiě)分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲(chǔ)密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們?cè)谫IDDR內(nèi)存條的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請(qǐng)看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
時(shí)，就需要外擴(kuò)DDR SRAM二級(jí)存儲(chǔ)來(lái)滿足需求。
本期的主角盤(pán)古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上，為我們配備了兩片DDR3的芯片，來(lái)完成二級(jí)存儲(chǔ)的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數(shù)據(jù)
2023-09-21 23:37:30
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
以MT41J128M型號(hào)為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3，每個(gè)bank的大小為16Mbit，一共有8個(gè)bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計(jì)算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462497 
一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個(gè)問(wèn)題點(diǎn),當(dāng)然其它3W，2H是基本點(diǎn)。
2023-09-15 11:42:37757 
內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機(jī)制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機(jī)制可以自動(dòng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)和接收電路的特性，以優(yōu)化信號(hào)完整性和時(shí)序。
2023-09-11 09:14:34420 飛思卡爾的Kinetis設(shè)備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強(qiáng)大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
本文介紹一個(gè)FPGA開(kāi)源項(xiàng)目：DDR3讀寫(xiě)。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開(kāi)源一個(gè)FPGA項(xiàng)目：基于AXI總線的DDR3讀寫(xiě)。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶接口的讀寫(xiě)方式：《DDR3讀寫(xiě)測(cè)試》，如果在某些項(xiàng)目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過(guò)MIG IP核提供的AXI接口來(lái)讀寫(xiě)DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
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2023-08-23 14:28:100 MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒(méi)有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡(jiǎn)略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒(méi)有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時(shí)，一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊(cè)中并沒(méi)有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒(méi)有提供，請(qǐng)問(wèn)這些信息應(yīng)該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夾）下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
，不知道出現(xiàn)啥問(wèn)題？求助解決方案，同時(shí)有個(gè)疑問(wèn)DDR4是否可以使用，論壇中都是使用DDR3的教程。
log如下
2023-08-11 06:17:58
xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
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2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫(xiě)，即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大，必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312 
型號(hào)的MT41J芯片）。該DDR3 存儲(chǔ)系統(tǒng)直接連接到了 PGL22G 的 Bank L1 及 Bank L2 上。PGL22G的DDR IP為硬核IP，需選擇正確的IP添加。
本次實(shí)驗(yàn)?zāi)康臑樯?b class="flag-6" style="color: red">DDR3 IP
2023-06-25 17:10:00
視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲(chǔ)資源無(wú)法滿足存儲(chǔ)需求，因此需要配置外部存儲(chǔ)器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 解決方案，配置方式比較靈活，采用軟核實(shí)現(xiàn) DDR memory 的控制，有如下特點(diǎn)：
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
?支持裁剪的 AXI4
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個(gè)序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
memory 控制器解決方案，配置方式比較靈活，采用軟核實(shí)現(xiàn) DDR memory 的控制，有如下特點(diǎn)：
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
2023-05-19 14:28:45
一種便攜式存儲(chǔ)設(shè)備，當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí)，被解析為內(nèi)置硬盤(pán)設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動(dòng)器是一種更受歡迎的可移動(dòng)存儲(chǔ)形式。
5、RAM
RAM是一個(gè)易失性內(nèi)存選項(xiàng)。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
你好 ：
專家，我們想使用S32R45和DDR3，你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎？
2023-05-17 08:13:46
在 i.MX6 SOLO 中有沒(méi)有辦法讀取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
車規(guī)級(jí)認(rèn)證，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的技術(shù)沉淀和積累，憑借著產(chǎn)品的創(chuàng)新、可靠的質(zhì)量和穩(wěn)定便捷的供應(yīng)和支持，兆易創(chuàng)新車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品累計(jì)出貨量達(dá)1億顆，這也進(jìn)一步凸顯了兆易創(chuàng)新持之以恒的投入和承諾。未來(lái)，兆易創(chuàng)新將緊跟市場(chǎng)，持續(xù)完善車規(guī)級(jí)相關(guān)產(chǎn)品和解決方案的布局，助力行業(yè)發(fā)展。
2023-04-13 15:18:46
HongKe—助力高性能視頻存儲(chǔ)解決方案-2—-虹科方案-上篇文章《虹科方案|助力高性能視頻存儲(chǔ)解決方案-1》，我們分享了虹科&ATTO和Avid共同創(chuàng)建協(xié)作解決方案，助力高性能視頻存儲(chǔ)
2023-04-11 11:24:50332 
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
的RAM或常規(guī)的非易失性存儲(chǔ)。該存儲(chǔ)器真正是非易失性的，而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設(shè)備替代了多個(gè)零件?串行非易失性存儲(chǔ)器?帶鬧鐘的實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）?低VDD檢測(cè)驅(qū)動(dòng)復(fù)位?看門狗窗口定時(shí)器
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲(chǔ)中，分為用戶應(yīng)用程序存儲(chǔ)區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲(chǔ)區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲(chǔ)區(qū)InfoFlash。一般在使用時(shí)
2023-04-07 11:46:50
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺(jué)有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867 
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
云存儲(chǔ)監(jiān)控工具正在成為電子監(jiān)控生態(tài)系統(tǒng)的支柱。云存儲(chǔ)監(jiān)控解決方案提供完全私有的云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和備份選項(xiàng)，并具有強(qiáng)大的安全措施。下面，我們來(lái)討論一下云存儲(chǔ)監(jiān)控解決方案的8大優(yōu)勢(shì)。
2023-03-29 16:37:291725 DDR2/3/3L/4 存儲(chǔ)器電源解決方案同步降壓控制器
2023-03-28 18:30:16
DDR2/3/3L/4 存儲(chǔ)器電源解決方案同步降壓控制器、2A LDO、緩沖基準(zhǔn)
2023-03-28 18:25:17
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