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IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉換或充電泵電路，使其成為系統/負載開關應用非常理想的解決方案。

產品規格

器件編號	封裝	BV (V)	最大 V_gs ?(V)	10V下的典型 / 最大RDS(on) (m?)	4.5V下的典型 / 最大RDS(on) (m?)
	SO-8	-30	20	3.9 / 4.6	5.8 / 6.8
	SO-8	-30	20	5.4 / 6.6	8.3 / 10.2
	SO-8	-30	20	5.9 / 7.2	9.3 / 11.2
	SO-8	-30	20	10.0 / 11.9	16.1 / 19.7
	SO-8	-30	20	13.6 / 17.5	22.5 / 28.1
	SO-8	-30	20	15.6 / 19.4	25.6 / 32.5
	SO-8	-30	20	48 / 59	83 / 110
	SO-8 (dual)	-30	20	17.0 /?21.0	25.7 / 32

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MOSFET(209657) MOSFET(209657)
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AO4470-VB

MOSFETs N-溝道 SO-8

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FDD306P-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析

：** P-Channel 溝道 MOSFET- **電壓等級：** -30V- **電流等級：** -26A- **導通電阻（RDS(ON)）：** 33mΩ @ V

2024-02-20 10:05:47

STP9527-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

**STP9527-VB**- **絲印：** VBA2412- **品牌：** VBsemi- **參數：** - 封裝：SOP8 - 溝道類型：P—Channel

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SDM9433-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

**SDM9433-VB 詳細參數說明和應用簡介：**- **參數：** - 絲印：VBA2216 - 品牌：VBsemi - 封裝：SOP8 - 類型：P

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FDS6675BZ-NL-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

**VBsemi FDS6675BZ-NL-VB****詳細參數說明:**- 類型: P溝道場效應管 (P-Channel MOSFET)- 額定電壓(VDS): -30V- 最大電流(ID

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SPP80P06P-H-VB一款P溝道TO220封裝MOSFET應用分析

**VBsemi SPP80P06P-H-VB****詳細參數說明:**- 類型: P溝道場效應管 (P-Channel MOSFET)- 額定電壓(VDS): -60V- 最大電流(ID

2024-02-19 14:20:14

TPC8119-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

**詳細參數說明：**- **型號:** TPC8119-VB- **絲印:** VBA2311- **品牌:** VBsemi- **參數:** - 封裝類型: SOP8

2024-02-19 11:04:38

MDS3754ARH-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

VBsemi MDS3754ARH-VB P—Channel MOSFET 參數：- 封裝：SOP8- 溝道類型：P—Channel- 最大電壓：40V- 最大電流：11A- RDS(ON)：13m

2024-02-19 10:59:41

IRF9953TRPBF-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

VBsemi IRF9953TRPBF-VB P—Channel MOSFET 參數：- 封裝：SOP8- 溝道類型：P—Channel- 最大電壓：-30V- 最大電流：-7A- RDS

2024-02-19 10:28:44

IRF9310TRPBF&5-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

VBsemi IRF9310TRPBF&5 P—Channel MOSFET 參數：- 封裝：SOP8- 溝道類型：P—Channel- 最大電壓：-30V- 最大電流：-15A- RDS

2024-02-19 10:06:13

RSS090P03-TB-VB場效應管一款P溝道SOP8封裝的晶體管

VBsemi RSS090P03-TB-VB MOSFET 參數：- 封裝：SOP8- 溝道類型：P—Channel- 最大電壓：-30V- 最大電流：-11A- RDS(ON)：10m

2024-01-03 17:33:52

NCE55P05S-VB場效應管一款P溝道SOP8封裝的晶體管

, 61mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：-1.5V- 封裝類型：SOP8應用簡介：NCE55P05S-VB是一款P溝道MOSFET

2023-12-21 17:30:26

IM4435G-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

, 20Vgs (±V); -1.37Vth (V)封裝: SOP8詳細參數說明和應用簡介：1. 溝道類型：P溝道 - 這表示這是一種P溝道MOSFE

2023-12-21 11:33:08

AO4423-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：-1.5V- 封裝類型：SOP8應用簡介：AO4423-VB是一款P溝道場效應晶體管（FET），適

2023-12-20 16:14:40

IRF9317TRPBF-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-1.7V- 封裝：SOP8**詳細參數說明：**IRF9317TRPBF-VB是一款P溝道MOSFET，最大耐壓為-30V，最

2023-12-20 15:25:28

BSO301SP-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

)；SOP8封裝：SOP8詳細參數說明：- 型號：BSO301SP-VB- 絲印：VBA2309- 品牌：VBsemi- 溝道類型：P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大

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50P06-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號：50P06-VB絲印：VBE2625品牌：VBsemi參數：- P溝道 MOSFET- 額定電壓：-60V- 最大持續電流：-50A- 靜態導通電阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 10V

2023-12-20 15:07:09

AO4413-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

, 15mΩ @ 4.5V- 門源極電壓 (Vgs)：最大±20V- 閾值電壓 (Vth)：-1.5V封裝：SOP8詳細參數說明：AO4413-VB是一款P溝道M

2023-12-20 14:54:56

AO4443-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

, 17mΩ @ 4.5V- 門源極電壓 (Vgs)：最大±20V- 閾值電壓 (Vth)：-1.7V封裝：SOP8詳細參數說明：AO4443-VB是一款P溝道M

2023-12-20 11:16:05

FDS4935A-NL-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

)；-1.8Vth(V)；SOP8封裝：SOP8詳細參數說明：- 型號：FDS4935A-NL-VB- 絲印：VBA4317- 品牌：VBsemi- 溝道類型：2個P溝道- 最大

2023-12-20 10:51:23

IRF7324TRPBF-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-0.5Vth(V)封裝：SOP8該型號的IRF7324TRPBF-VB是一種具有兩個P溝道MOSFET的集成器件，適用于多

2023-12-19 10:51:57

AO4801-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: AO4801-VB絲印: VBA4338品牌: VBsemi封裝: SOP8詳細參數說明:- 構件類型: P溝道MOSFET- 最大耐壓(VDS): -30V- 最大持續漏電流(ID

2023-12-19 10:47:48

P1203ED-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析

根據提供的型號和參數，以下是對該 MOSFET 型號 P1203ED-VB 的詳細參數和應用簡介：**型號：** P1203ED-VB**絲印：** VBE2311**品牌：** VBsemi

2023-12-18 17:31:41

AP9579GM-HF-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

Ω @ 4.5V- 門源電壓（Vgs）范圍：±20V- 閾值電壓（Vth）：-1.92V- 封裝：SOP8應用簡介：AP9579GM-HF-VB是一款P溝道MOSFET，適用于

2023-12-18 17:28:04

APM4953KC-TRL-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-1.5V封裝：SOP8該型號的APM4953KC-TRL-VB是一種具有兩個P溝道MOSFET的集成器件，適用于多種應用

2023-12-18 17:11:43

HAT1024R-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號：HAT1024R-VB絲印：VBA4338品牌：VBsemi參數說明：- **雙P溝道：** 該器件包含兩個P溝道MOSFET，電流在P溝道中流動，通常用于不同類型的應用，如電源開關等

2023-12-18 17:03:12

CES2301-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

型號：CES2301-VB絲印：VB2290品牌：VBsemi參數說明：- **P溝道：** 該器件是一種P溝道MOSFET，電流在P溝道中流動，通常用于不同類型的應用，如電源開關等。- **工作

2023-12-18 11:45:33

IRF9310TRPBF-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-1.5V封裝：SOP8該型號的IRF9310TRPBF-VB是一種P溝道MOSFET晶體管，適用于多種應用領域。以下是該產品

2023-12-18 10:55:29

MMSF7P03HDR2G-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號：MMSF7P03HDR2G-VB絲印：VBA2333品牌：VBsemi參數說明：- **P溝道：** 該器件是一種P溝道MOSFET，電流在P溝道中流動，通常用于不同類型的應用，如電源開關等

2023-12-18 10:18:54

NTMS4177PR2G-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-1.42V封裝：SOP8該型號的NTMS4177PR2G-VB是一種P溝道MOSFET晶體管，適用于多種應用領域。以下是該產

2023-12-16 10:35:51

CEM4953-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

Ω @ 10V, 48mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓（Vth）：-1.5V- 封裝：SOP8應用簡介：CEM4953-VB是一款包含兩個P溝道MOSFET的器件

2023-12-15 11:51:48

FDD6685-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析

, 25mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓（Vth）：-1.7V- 封裝：TO252應用簡介：FDD6685-VB是一款P溝道MOSFET，適用于多種電

2023-12-15 10:28:26

HM4447-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: HM4447-VB絲印: VBA2305品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: P溝道- 額定電壓: -30V (負值表示P溝道)- 最大電流: -15A (負值表示P溝道)- 靜態導通電

2023-12-15 09:44:05

IRF9328TRPBF-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

Ω @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓（Vth）：-1.42V- 封裝：SOP8應用簡介：IRF9328TRPBF-VB是一款P溝道MOS

2023-12-15 09:37:38

SUD50N04-8M8P-4GE3-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB絲印：VBE1405品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 導通電阻（RDS

2023-12-14 16:25:40

SM4953KC-TRG-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

, 48mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth)：-1.5V- 封裝：SOP8應用簡介：SM4953KC-TRG-VB是一款雙P溝道MOSFET

2023-12-14 15:10:18

CHMP830JGP-A-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號：CHMP830JGP-A-VB絲印：VBA2317品牌：VBsemi參數說明：- 極性：P溝道- 額定電壓：-30V- 最大連續漏極電流：-7A- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：23m

2023-12-14 14:54:32

IRF7241TRPBF-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

Ω @ 10V, 17mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓（Vth）：-1.7V- 封裝：SOP8應用簡介：IRF7241TRPBF-VB是一款P溝道MOSF

2023-12-14 14:37:30

APM4303KC-TRL-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth)：-1.5V- 封裝：SOP8應用簡介：APM4303KC-TRL-VB是一款P溝道MOSFET

2023-12-14 14:21:51

IRF9335TRPBF-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth)：-1.5V- 封裝：SOP8應用簡介：IRF9335TRPBF-VB是一款P溝道MOSFET，適用

2023-12-14 14:06:39

FDS6681Z-NL-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

Ω @ 10V, 8mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓（Vth）：-1.7V- 封裝：SOP8應用簡介：FDS6681Z-NL-VB是一款P溝道MOSFET，適

2023-12-14 13:53:36

HAT3029R-VB一款N+P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

(ON)）：15mΩ @ 10Vgs (N溝道) / 42mΩ @ 10Vgs (P溝道)- 閾值電壓（Vth）：±1.65V- 封裝類型：SOP8應用簡介：HAT

2023-12-14 11:06:10

IRF7404TRPBF-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: IRF7404TRPBF-VB絲印: VBA2216品牌: VBsemi詳細參數說明:- 溝道類型: P溝道- 額定電壓: -20V- 最大電流: -8A- 靜態導通電阻 (RDS

2023-12-14 10:45:59

RRR040P03TL-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

Ω @ 10Vgs、56mΩ @ 4.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：-1V- 封裝類型：SOT23應用簡介：RRR040P03TL-VB是一款P溝道MOSFET（金屬氧化物半

2023-12-14 10:25:49

AO4441-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

Ω @ 4.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：-1.5V- 封裝類型：SOP8應用簡介：AO4441-VB是一款P溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），

2023-12-13 17:57:43

AO4447-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: AO4447-VB絲印: VBA2309品牌: VBsemi詳細參數說明:- 溝道類型: P溝道- 額定電壓: -30V- 最大電流: -11A- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 11m

2023-12-13 17:13:37

FQT5P10TF-VB一款P溝道SOT223封裝MOSFET應用分析

Ω @ 10Vgs、240mΩ @ 4.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：2V 到 4V 可調- 封裝類型：SOT223應用簡介：FQT5P10TF-VB是一款P溝道MOSFET

2023-12-13 16:15:14

AO4401-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

Ω @ 4.5V- 門源電壓范圍：20Vgs (±V)- 靈敏度門源電壓：-1.5Vth (V)- 封裝形式：SOP8應用簡介：AO4401-VB是一種P溝道MOSFE

2023-12-13 15:21:56

FDS6875-NL-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號： FDS6875-NL-VB絲印： VBA4338品牌： VBsemi參數說明：- 類型：2個P溝道功率MOSFET- 額定電壓：-30V- 額定電流：-7A- 開通電阻：35mΩ（在10V

2023-12-13 13:52:45

P9006EDG-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析

P9006EDG (VBE2610N)參數說明：P溝道，-60V，-38A，導通電阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-1.3V，封裝：TO252。應用簡介

2023-12-08 16:36:21

APM4435KC-TRL-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

電壓范圍：20Vgs (±V)閾值電壓：-1.37V；封裝：SOP8應用簡介：APM4435KC-TRL (VBA2317) 是一款P溝道MOSFET，適用于需要高

2023-12-06 13:52:12

AP9575GM-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

AP9575GM (VBA2658)參數說明：P溝道，-60V，-6A，導通電阻50mΩ@10V，61mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1.5V，封裝：SOP8。應用簡介

2023-12-06 13:46:37

AO4805-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

AO4805 (VBA4317)參數說明：2個P溝道，-30V，-8.5A，導通電阻21mΩ@10V，28mΩ@4.5V，門源電壓范圍12V(±V)，閾值電壓-1.8V，封裝：SOP8。應用簡介

2023-12-06 11:59:47

通過電路符號認知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理

硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET

2023-11-21 15:05:31

778

FS4067 SOP8 5V輸入兩節鋰電池升壓型充電管理芯片

時，FS4067再次進入充電狀態。FS4067最高工作頻率可達1MHz。當電池電壓低于輸入電壓或電池短路時，FS4067在外置N溝道MOSFET和P溝道MOSFET的共同作用下，用較小電流繼續對電池

2023-11-21 12:14:43

ZXMC4559DN8TA-VB-SOP8封裝N+P溝道MOSFET

型號 ZXMC4559DN8TA-VB絲印 VBA5638品牌 VBsemi詳細參數說明類型 N+P溝道

2023-11-15 17:08:55

20P03-VB-TO252封裝溝道MOSFET

Ω @ 4.5V 額定柵極源極電壓（Vgs） 20V (±V) 閾值電壓（Vth） 1.3V 封裝類型 TO252應用簡介 20P03是一款P溝道MOSFET，具有高電流能

2023-11-06 11:24:18

SI4401DDY-T1-GE3-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.7Vth 封裝 SOP8應用簡介 SI4401DDYT1GE3 是一款 P溝道MOSFET，適用于負極電

2023-11-06 11:15:08

SI2323DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應用簡介 SI2323DST1GE3 是一款 P 溝道 MOSFET，適用于負電

2023-11-06 09:17:31

AOD425A-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.7Vth 封裝 TO252應用簡介 AOD425A 是一款 P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制和負載開關的高功率應

2023-11-03 14:34:40

FDS4435BZ-NL-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

Ω@4.5V, 66mΩ@2.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.37Vth 封裝 SOP8應用簡介 FDS4435BZNL是一款P溝道MOSFET，適用于

2023-11-03 14:04:50

AO4409-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1.5Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 AO4409是一款P溝道MOSFET，

2023-11-03 11:37:23

ZXMP6A18DN8TA-VB-SOP8封裝2個P溝道MOSFET

, 70mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1~3Vth 封裝 SOP8應用簡介 ZXMP6A18DN8TA 是一款具有兩個 P 溝道 MOSFET

2023-11-03 10:44:41

NDS9407-NL-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.5Vth 封裝 SOP8應用簡介 NDS9407NL是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制和負載開關的應用。其

2023-11-03 10:01:07

MT4606-VB-SOP8封裝 N+P溝道MOSFET

溝道), 19mΩ @ 4.5V (N溝道), 50mΩ @ 4.5V (P溝道) 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 ±1.65Vth (V) 封裝類型 S

2023-11-02 16:15:57

ME4925-VB-SOP8封裝2個P溝道MOSFET

門源電壓范圍 12V 門源閾值電壓 1.8V 封裝類型 SOP8應用簡介 ME4925（絲印 VBA4317）是VBsemi公司生產的一款P溝道MOSFET，擁有2

2023-11-02 14:52:31

P06B03LVG-VB-SOP8封裝2個P溝道MOSFET

)- 閾值電壓 -1.5Vth (V)- 封裝類型 SOP8應用簡介 P06B03LVG是一款2個P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有負的額定電壓和額

2023-11-02 14:42:23

XP132A1275SR-VB-SOP8封裝溝道MOSFET

) 閾值電壓 0.6~2Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 XP132A1275SR是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有負的額定電壓

2023-11-02 11:51:12

P0603BVG-VB-SOP8封裝N溝道MOSFET

電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓范圍 0.8V~2.5V 封裝類型 SOP8應用簡介 P0603BVG（絲印 VBA1311）是VBsemi公司生產的一款N溝道功

2023-11-02 11:17:21

NTF6P02T3G-VB-SOT223封裝P溝道MOSFET

Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 0.83Vth 封裝 SOT223應用簡介 NTF6P02T3G是一款P溝道MOSFET，適用于需要負極電壓控制和

2023-11-02 10:16:18

STM4639-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

1.5Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 STM4639是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。其中，它具有負的額定電壓和額定電流特性，能夠

2023-11-02 09:37:49

SQD50P06-15L-GE3-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應用簡介 SQD50P0615LGE3是一款P溝道MOSFET，適用于負

2023-11-02 09:28:15

AFN4634WSS8RG-VB-SOP8封裝N溝道MOSFET

Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.72Vth 封裝 SOP8應用簡介 AFN4634WSS8RG是一款N溝道MOSFET，適用于高電壓和

2023-11-01 11:21:18

AO4425-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.42Vth 封裝 SOP8應用簡介 AO4425是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制和負載開關的高功率應用。

2023-11-01 10:37:54

MDD3754RH-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應用簡介 MDD3754RH是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制和負載開關的

2023-10-31 16:14:45

NTR0202PLT1G-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

Ω @2.5V 門源電壓 12Vgs (±V) 門閾電壓 0.81Vth 封裝 SOT23應用簡介 NTR0202PLT1G是一款P溝道MOSFET，適用于低壓和中等電

2023-10-31 14:13:24

FDS8858CZ-NL-VB-SOP8封裝N+P溝道MOSFET

型號 FDS8858CZNL絲印 VBA5311品牌 VBsemi參數頻道類型 N+P溝道額定電壓 ±30V 額定電流 10A / 8A RDS(ON) 11mΩ / 21m

2023-10-31 13:52:46

TPC8123-VB-SOP8封裝溝道MOSFET

門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1.5Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 TPC8123是一款P溝道MOSFE

2023-10-31 11:58:20

FDN304P-NL-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 1V 封裝類型 SOT23應用簡介 FDN304PNL（絲印 VB2355）是VBsemi公司生產的一款P溝道功率MOSFET

2023-10-31 11:24:55

AO4407A-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

, 66mΩ @2.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.37Vth 封裝 SOP8應用簡介 AO4407A是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控

2023-10-30 15:56:14

CEM4435-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

Ω @ 2.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 1.37V 封裝類型 SOP8應用簡介 CEM4435（絲印 VBA2317）是VBsemi公司生產的一款P

2023-10-30 15:33:55

2SJ668-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.3Vth 封裝 TO252應用簡介 2SJ668是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制或負載開關的高功率應用

2023-10-30 15:13:18

AO4407-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

) 閾值電壓 1.37Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 AO4407是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。它具有負的額定電壓和額

2023-10-30 14:46:07

FR5305-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應用簡介 FR5305是一款P溝道MOSFET，適用于需要負極電壓控制和負載開關的高功率

2023-10-30 10:03:05

AP4563GH-VB-TO252-5封裝 N+P溝道MOSFET

, 18.75mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 ±1Vth 封裝 TO2525應用簡介 AP4563GH是一款N+P溝道MOSFET，適用于需要

2023-10-28 16:06:13

SUD50P04-08-GE3-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應用簡介 SUD50P0408GE3是一款P溝道MOSFET，適用于高功率開關和

2023-10-28 15:35:51

IRF7314TRPBF-VB-SOP8封裝2個P溝道MOSFET

) 閾值電壓 1.5Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 IRF7314TRPBF是一款雙P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。它具有負的額定電壓和

2023-10-28 14:55:23

ME9435-VB-SOP8封裝溝道MOSFET

門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.5Vth 封裝 SOP8應用簡介 ME9435是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制或負載開關的應用。其最大耐壓

2023-10-28 14:24:47

FDD5614P-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.3Vth 封裝 TO252應用簡介 FDD5614P是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制或負載開關的應

2023-10-28 11:48:41

PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊

電子發燒友網站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載

2023-09-27 09:32:50

600 - 650V MDmesh DM9快速恢復SJ功率MOSFET提高了效率和穩健性

和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業和汽車應用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。

2023-09-08 06:00:53

面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔離式單通道柵極驅動

單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。

2023-09-05 07:32:19

美浦森N溝道超級結MOSFET SLH60R028E7

SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要

2023-08-18 08:32:56

513

深度剖析H橋應用中的P溝道MOSFET

在H橋電路中實現P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現最佳響應。

2023-06-29 15:28:02

957

基于N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法

在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。

2023-06-27 17:29:31

599

IR Drop與封裝（一）

大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。

2023-06-16 10:05:18

674

MOSFET對使單刀雙擲開關變得簡單

以對 MOSFET 使用單個控制輸入。這種拓撲結構中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A時表現出小于0.1V的壓降，并且兩個MOSFET都采用SO-8封裝。

2023-05-31 17:49:24

3200

如何使用P/N溝道MOSFET構建通用全橋或H橋MOSFET驅動電路

在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。

2023-04-29 09:35:00

5288

IR Drop與封裝分析

2023-04-21 09:31:09

1573

以工藝見長的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能

MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。

2023-04-13 09:40:30

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IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件

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