英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET,滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45203 意法半導體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器,這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性,還致力于提供高度的系統集成性和靈活性,以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝”)近日宣布,其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源,展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
2024-03-12 10:27:36255 意法半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 Qorvo QPF1002Q車用前端模塊 (FEM)Qorvo QPF1002Q車用前端模塊優化用于C-V2X(蜂窩車聯網)系統。C-V2X系統可檢測環境,實現聯網汽車的下一代自主和實時監控
2024-02-26 19:44:59
在關斷狀態下,功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。
2024-02-23 09:38:53343 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
2024-02-22 18:22:41976 MOSFET功率放大器是一種使用MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)技術的電子設備,用于增強輸入信號的幅度。MOSFET放大器是音頻源如唱片播放器或CD播放器以及均衡器、前置放大器和揚聲器等其他設備的重要組成部分。
2024-02-19 15:50:56476 引言:EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產業鏈市場!EV中的電機控制系統、引擎控制系統、車身控制系統均需使用大量的半導體功率器件,它的普及為汽車功率半導體市場打開了增長的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 光伏IR相機是一種特殊的光電設備,它使用紅外線(IR)技術來檢測和捕捉光伏電池板上的熱圖像。這種相機的主要功能是檢測光伏電池板上的熱分布和異常,幫助工程師和科學家更好地了解光伏電池板的性能和存在的問題。
2024-01-23 11:36:23235 功率MOSFET是一種廣泛應用于電力電子轉換器的高性能開關器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度和良好的熱穩定性等特點,因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統中發揮著重要作用。 結構
2024-01-17 17:24:36294 電子發燒友網站提供《FP6151內置內部功率MOSFET產品手冊》資料免費下載
2024-01-15 14:47:230 2104全橋驅動電路原理 IR2104是一種高速、低成本的高和低電平電荷泵驅動器。它可通過邏輯輸入信號控制兩個N溝MOSFET或IGBT的驅動信號,實現全橋輸出。IR2104內部集成了一個高壓引發電荷泵、邏輯電平和電流檢測電路。其主要包括低側和高側驅動器。 低側驅動器:
2024-01-05 16:11:041106 目前在使用上發現三例功率MOSFET(SIR442DP) Q5損壞且芯片EXTVCC管腳與GND短路
損壞后的MOSFET呈以下特性
:1、用萬用表二極管檔測量:VDD-S 為無窮大,VDS-D
2024-01-05 07:30:21
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361219 用了恒壓技術,確保在各種電壓和電流條件下,都能為電動車提供穩定的充電電壓。這不僅延長了電動車的使用壽命,還提高了充電的安全性。
概述:SL3041 是一款內部集成有功率MOSFET管可設定輸出電流的降壓
2023-12-21 15:27:51
MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 功率MOSFET在電力電子設備中應用十分廣泛,因其故障而引起的電子設備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果,對于MOSFET的進一步推廣應用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 問題1:在功率MOSFET管應用中,主要考慮哪些參數?在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算,通常取多少比較好?相應的PCB設計,銅箔面積布設多大散熱會比較好?漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣?有公式可以計算嗎?
2023-12-03 09:30:40408 BTD25350雙通道隔離,原方帶死區時間設置,副方帶米勒鉗位功能,非常適合充電樁中后級LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列雙通道隔離型門極驅動器,峰值輸出電流可達10A
2023-11-30 09:42:59
功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
2023-11-23 09:06:38407 電子發燒友網站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:290 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構,采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但是,導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長,導通電阻急劇增大,電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件,通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外,對于散熱量極低的筆記本電腦來說,這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟,并通過
2023-11-01 08:24:31345 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 功率MOSFET選型的幾點經驗在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數和性能的,這里不作贅述,只對實際
2023-10-26 08:02:47373 在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 和小功率MOSFET類似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 智能車創意組識別圖an用openmv 還是用 opencv 比較好
2023-10-24 06:24:31
汽車電子MOSFET發展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關的性能。功率器件正集成到智能化車載系統中。現在在最低功率級別,MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅動功率,且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 MOSFET也已經發展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單,可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02268 在過去的十幾年中,大功率場效應管引發了電源工業的革命,而且大大地促進了電子工業的發展。由于MOSFET管具有更快的開關速度,電源開關頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
電子發燒友網站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET,根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
?
全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14351 這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷(Qrr)和超快快恢復時間(trr),以及出色的品質因數(RDS(on) x Qg),能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
1 功率分立產品概述
2 IGBT 產品系列
3 HV MOSFET 產品系列
4 SiC MOSFET 產品系列
5 整流器及可控硅產品系列
6 能源應用
2023-09-07 08:01:40
? 【 2023 年 8 月 3 日,德國慕尼黑訊】 小型分立式功率MOSFET在節省空間、降低成本和簡化應用設計方面發揮著至關重要的作用。此外,更高的功率密度還能實現靈活的布線并縮小系統的整體尺寸
2023-09-06 14:18:431202 功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外,對于散熱量極低的筆記本電腦來說,這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟,并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例,詳細說明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy],流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 為了劃分所涉及的功率并創建可以承受更多功率的器件,開關、電阻器和 MOSFET 并聯連接。
2023-08-29 11:47:48302 垂直導電平面結構功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應,如果把水平的溝道變為垂直溝道,從側面控制溝道,就可以消除JFET效應。
2023-08-28 10:10:392920 功率MOSFET數據表參數
2023-08-24 09:13:06552 產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 這是Mosfet功率放大器5200W RMS的電路設計,原理圖是單通道的。該電路使用 16x IRFP250 在 2 歐姆負載下獲得 5200W RMS 功率輸出。
2023-07-31 16:18:07845 這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級使用6個N溝道MOSFET IRFP450,即可為您提
2023-07-28 17:04:191357 電子發燒友網站提供《DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 16:11:121 MOSFET是電路中非常常見的元件,常用于信號開關、功率開關、電平轉換等各種用途。由于MOSFET的型號眾多,應用面廣,本文將詳細介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:44734 供應ID5S609SEC-R1 600V高低側柵極驅動芯片可代換IR2304,提供id5s609芯片資料關鍵參數 ,廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片可替代ir2304,提供ID5S609SEC-R1 關鍵參數 ,廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104,提供ID7U603SEC-R1關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ,相較于傳統的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 華羿微電成立于2017年,是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業,主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 研發及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 ? 華羿微電成立于2017年,是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業,主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(對應GTR的截止區);飽和區(對應于GTR的放大區);非飽和區(對應于GTR的飽和區)。功率MOSFET在開關狀態下工作,即截止區域和不飽和區之間的轉換
2023-07-04 16:46:37975 功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式:熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發導通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:353665 功率MOSFET最常用于開關型應用中,發揮著開關的作用。
2023-06-27 17:41:20369 英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 什么是IR-drop?其實,IR這個詞并不是什么縮寫,這里的I就是指電流,R是指電阻,他們放在一起相乘,得出來的結果就是電壓。
2023-06-16 09:26:262660 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30228 UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET,它結合了先進的溝槽MOSFET,設計具有更好的特性,如快速開關時間、低柵極電荷、低導通狀態電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關電源和適配器的高速開關應用。?
2023-06-14 16:45:450 本文章將依次介紹如何將Pytorch自訓練模型經過一系列變換變成OpenVINO IR模型形式,而后使用OpenVINO Python API 對IR模型進行推理,并將推理結果通過OpenCV API顯示在實時畫面上。
2023-06-07 09:31:421057 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET,OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝,相比于其它采用微型封裝的器件,具有
2023-06-06 11:01:361026 PRISEMI芯導產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671 我們將討論設計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數,還分析了雙極結型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737 Vertical MOSFET(垂直MOSFET) 5. Power MOSFET(功率MOSFET) 6. Junction Field Effect Transistor (JFET)(結型場效應晶體管
2023-06-02 14:15:36937 在這篇文章中,我們將討論設計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數。我們還分析了雙極結型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應用并使其更有效。
2023-05-24 17:25:422111 分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
SID-IR系列緊湊型紅外皮秒光纖激光器SID-IR系列緊湊型紅外皮秒光纖激光器集成了創新的電子脈沖產生系統,可提供10皮秒脈沖。重復頻率從單發到2 GHz連續可調,并且可選多種波長。SID系統完全
2023-05-24 09:28:59
這款簡單的MOSFET功率音頻放大器電路具有TL071C和2個MOSFET(IRF9530和IRF530),可在45Ω揚聲器上提供高達8W的功率,在70Ω揚聲器上提供高達4W的功率。該原理圖
2023-05-23 16:50:331164 Boost升壓電路,DC60-DC72大功率用于電動車增速使用,MOSFET管燒壞導致短路,這種管子網上找不到啊,可以用什么代替?
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件,具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產品(40V/60V/80V/100V/150V),備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現該系列
2023-05-17 13:35:02471 功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關動作應用中的重要參數。 清楚地理解雪崩強度的定義,失效的現象及評估的方法是功率MOSFET電路設計必備的能力。 本文將以下面三個方面進行探討。
2023-05-15 16:17:451133 在功率MOSFET的數據手冊中會有一個看似復雜的SOA(Safe Operation Area)圖片,這個安全工作區域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 數據手冊就是電子元件的使用說明書,在電路設計之前,十分有必要通讀數據手冊,并了解產品的重要性能參數。在MOSFET的數據手冊中極限值表格中的總功率損耗Ptot就是一個十分有趣的參數。說它有趣是因為
2023-05-15 16:10:25626 功率MOSFET怎樣關斷?能否用PWM實現?怎樣實現?
2023-05-08 16:16:27
我正在嘗試使用 ESP-01 驅動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼:全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中,我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路,該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動態性能相關的參數。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關時間等。 參數列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場效應晶體管)是切換負載最常見的方式,其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結型晶體管(BJT)/第二個場效應晶體管)圍繞的功率MOSFET)。但在多數情況下,使用全面集成的負載開關具有更顯著的優點。
2023-04-15 09:17:39512 據應急管理部消防救援局發布的數據顯示,全國每年約發生2000起電動車火災。其中80%的火災都是在夜間充電的過程中.而致人傷亡的案例中,90%發生在門廳過道以及樓梯間等場所。為減少電動車火災帶來的損失
2023-04-04 15:49:28
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片,可兼容代換IR2104,應用領域于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、照明鎮流器、半橋驅動
2023-03-29 09:24:35930 IGBT驅動芯片IR2104的使用。 通過用arduino來控制IR2104芯片驅動半橋IGBT功率管,通過上位機串口控制實現輸出不同占空比的偽模擬電壓信號。主要知識點是電路板設計和上位機編程實現
2023-03-27 14:57:37
評論
查看更多