快速充電電源管理方案。H4012采用ESOP-8 封裝，芯片底部設計有功率散熱焊盤與SW管腳連接，可以有效的幫助芯片散熱。
產品特征
l 內置30V MOS
l 輸入范圍5V-24V
l 內置50m
2024-03-22 11:31:10
IRF-1 3.9 10% EB E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 .1 20% EB E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 4.7 10% ER E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 2.2 10% ES E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 .1 10% ES E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 6.8 10% EV E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 8.2 10% ER E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 1.2 10% EV E2
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 1K 5% R36
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 2.2 10% R36
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 47 5% R36
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 5.6 10% R36
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 6.8 10% R36
2024-03-14 22:46:45
IRF-3 2.2 10% RJ1
2024-03-14 22:46:45
IRF-1 2.2 10% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 4.7 5% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 5.6 10% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 68 5% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 6.8 10% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 82 5% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 8.2 10% B08
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 1 10% EB E2
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 10 5% R36
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 68 5% RJ4
2024-03-14 22:46:44
IRF-1 1K 5% R36
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 5.6 10% R36
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 6.8 10% R36
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 1K 5% RJ1
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 1.5 10% RJ1
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 3.3 10% RJ1
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 4.7 10% RJ1
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 3.3 10% RJ4
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 4.7 10% RJ4
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 6.8 10% RJ4
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 8.2 10% RJ4
2024-03-14 22:46:43
IRF-3 100 5% B08
2024-03-14 22:46:43
IRF-3 1 5% B08
2024-03-14 22:46:43
IRF-3 1.8 10% B08
2024-03-14 22:46:43
IRF-3 2.2 10% B08
2024-03-14 22:46:43
IRF-1 3.9 10% RJ1
2024-03-14 22:46:42
G,D,S三極完全短路,哎,可能是什么原因造成的
用的是IRF4905
Vgs手冊上是耐壓+_20V,我接客車24V電源,因為在家里試驗電壓到30V也壞不了啊,聽說根據經驗到40V才能壞.可是出去
2024-02-22 06:35:49
產品型號: IRF7301TRPBF-VB絲印: VBA3222品牌: VBsemi**詳細參數說明:**- 封裝類型: SOP8- 溝道類型: 2個N-Channel- 額定電壓: 20V- 最大
2024-02-20 09:59:07
(ON)：127mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 門源電壓閾值（Vth）：2~4V**應用簡介：**IRF530PBF-VB是一款TO220封裝的N-
2024-02-19 14:17:06
IRF4905是一種常見的功率場效應晶體管（MOSFET）器件，常用于LED驅動電路的Buck電路中。本文將詳細介紹IRF4905在LED驅動電路中的作用。 Buck電路是一種降壓型DC-DC變換器
2024-02-03 10:07:37
381 型號: IRF7493TRPBF-VB絲印: VBA1806S品牌: VBsemi參數:- 封裝: SOP8- 溝道類型: N-Channel- 最大電壓(Vds): 80V- 最大電流(Id
2024-02-02 17:30:36
H20R1203到底能不能用IRF 250代換？ H20R1203和IRF250是兩種不同的電力場效應晶體管。雖然它們可能在一些電路應用中具有相似的性能特點，但它們并不是完全相同的，因此不能直接互換
2024-01-15 15:49:49708 N—Channel溝道 - 額定電壓：30V - 最大電流：8.5A - RDS(ON)：20mΩ @ VGS=10V, VGS=2
2024-01-03 17:30:04
型號: IRF7401TRPBF-VB絲印: VBA1311品牌: VBsemi參數:- 封裝: SOP8- 溝道類型: N-Channel- 最大電壓(Vds): 30V- 最大電流(Id
2024-01-03 15:54:17
型號: IRF7201TRPBF-VB絲印: VBA1311品牌: VBsemi封裝: SOP8**詳細參數說明:**- 架構: N-Channel MOSFET- 電壓等級: 30V- 電流能力
2024-01-02 10:59:39
(ON)）：32mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓（Vth）：1.87V應用簡介：IRF7495TRPBF-VB是VBsemi推出的一款SOP8
2024-01-02 10:57:35
型號: IRF8736TRPBF-VB絲印: VBA1303品牌: VBsemi參數: SOP8；N—Channel溝道, 30V；18A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V
2024-01-02 10:55:00
型號: IRF9317TRPBF&9-VB 絲印: VBA2309 品牌: VBsemi 參數: SOP8; P-Channel溝道, -30V; -11A
2024-01-02 10:53:17
型號: IRF7304TRPBF-VB 絲印: VBA4338 品牌: VBsemi 參數: SOP8; 2個P-Channel溝道, -30V; -7A
2024-01-02 10:41:08
—Channel - 最大電壓：30V - 最大電流：70A - 開啟電阻（RDS(ON)）：7mΩ @ VGS=10V, 7mΩ @
2023-12-29 15:28:53
IRF540是一款常用的N溝道MOSFET晶體管，廣泛應用于各種電子設備中。作為一款功率MOSFET晶體管，IRF540的驅動電流大小對其性能以及應用范圍有著重要的影響。在本文中，我們將詳細介紹
2023-12-25 10:38:53364 型號：IRF5305SPBF-VB絲印：VBL2658品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：P溝道- 額定電壓：-60V- 最大持續電流：-30A- 靜態導通電阻 (RDS(ON))：58m
2023-12-22 16:00:52
型號：IRF7424TRPBF-VB絲印：VBA2311品牌：VBsemi參數說明：- P溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-11A- 靜態導通電阻(RDS(ON))：10mΩ@10V
2023-12-22 10:47:03
, 34mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth)：2V- 封裝：TO263詳細參數說明：IRF540S-VB 是一款 N 溝道金屬氧化物半
2023-12-20 16:57:49
型號：IRF9317TRPBF-VB絲印：VBA2305品牌：VBsemi參數：- P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-15A- 靜態導通電阻：5mΩ @ 10V, 8mΩ @ 4.5V
2023-12-20 15:25:28
型號：IRF4435TRPBF-VB絲印：VBA2317品牌：VBsemi參數：- P溝道- 額定電壓：-30V- 最大漏電流：-7A- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：23mΩ @ 10V
2023-12-20 10:30:51
型號: IRF9530NS-VB絲印: VBL2102M品牌: VBsemi參數:- P溝道- 額定電壓：-100V- 最大電流：-10A- 開通電阻：200mΩ @ 10V, 240m
2023-12-19 16:40:38
型號：IRF7306TRPBF-VB絲印：VBA4338品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：2個P溝道- 額定電壓：-30V- 額定電流：-7A- 開通電阻（RDS(ON)）：35mΩ @ 10V
2023-12-19 11:39:58
型號：IRF3205STRPBF-VB絲印：VBL1606品牌：VBsemi參數：- N溝道- 額定電壓：60V- 最大漏電流：150A- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：4mΩ @ 10V
2023-12-19 11:26:49
型號：IRF7324TRPBF-VB絲印：VBA4216品牌：VBsemi參數：- 2個P溝道- 最大耐壓：-20V- 最大電流：-9A- 開通態電阻：16mΩ @ 10V, 18mΩ @ 4.5V
2023-12-19 10:51:57
型號：IRF9Z24NSTRLPBF-VB絲印：VBL2658品牌：VBsemi參數：- P溝道- 最大耐壓：-60V- 最大電流：-30A- 開通態電阻：58mΩ @ 10V, 70m
2023-12-19 10:38:29
型號：IRF9310TRPBF-VB絲印：VBA2309品牌：VBsemi參數：- P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-11A- 開通態電阻：11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V
2023-12-18 10:55:29
型號: IRF530S-VB絲印: VBL1101M品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 100V- 最大電流: 20A- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 100m
2023-12-15 13:48:13
型號：IRF5305STRPBF-VB絲印：VBL2658品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：P溝道- 額定電壓：-60V- 最大電流：-30A- 導通電阻（RDS(ON)）：58m
2023-12-15 11:29:11
型號：IRF9328TRPBF-VB絲印：VBA2311品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：P溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-11A- 導通電阻（RDS(ON)）：10m
2023-12-15 09:37:38
型號：IRF7328TRPBF-VB絲印：VBA4317品牌：VBsemi參數：- 2個P溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-8.5A- 開態電阻 (RDS(ON))：21mΩ @ 10V
2023-12-14 16:22:22
型號：IRF9335TRPBF-VB絲印：VBA2333品牌：VBsemi參數：- P溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-6A- 開態電阻 (RDS(ON))：40mΩ @ 10V, 54m
2023-12-14 14:06:39
型號：IRF830ASTRLPBF-VB絲印：VBL165R10品牌：VBsemi參數：- N溝道- 額定電壓：650V- 最大電流：10A- 開態電阻 (RDS(ON))：1100m
2023-12-14 13:50:42
型號：IRF8721TRPBF-VB絲印：VBA1311品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大連續電流：12A- 靜態開啟電阻（RDS(ON)）：12m
2023-12-14 13:45:49
型號：IRF7205TRPBF-VB 絲印：VBA2333 品牌：VBsemi 參數：P溝道，-30V，-6A，RDS(ON)，40mΩ@10V，54m
2023-12-13 14:46:36
型號：IRF7303TRPBF-VB絲印：VBA3328品牌：VBsemi詳細參數說明：- 類型：雙N溝道MOSFET- 額定工作電壓：30V- 額定漏極電流：6.8A（2個N溝道并聯）- 開啟電阻
2023-12-13 13:44:47
IRF7416TRPBF (VBA2317)參數說明：P溝道，-30V，-7A，導通電阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1.37V
2023-12-06 16:03:17
利用AD5522怎么設計一個正負30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設計出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設計一個高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內即可。
2023-11-16 06:36:14
如圖
靜態工作時，PIN8 的SENSE+電壓20MA，Rsense+為0.33歐，上管IRF530電流是0.061A，下管IRF9630電流是0.061A.當Vin輸入為直流+5V時。
上管將1歐
2023-11-15 08:23:32
型號 IRF8788TRPBF絲印 VBA1302品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 20A 導通電阻 4mΩ@10V, 4.5m
2023-11-03 15:31:19
型號 IRF830A絲印 VBM16R08品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 600V 額定電流 8A RDS(ON) 780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V
2023-11-01 10:04:19
型號 IRF7313TRPBF絲印 VBA3328品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 2個N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6.8A/6.0A 導通電阻 22m
2023-10-31 11:48:47
型號 IRF7413TRPBF絲印 VBA1311品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 12A 導通電阻 12mΩ @10V, 15m
2023-10-31 11:06:50
IRF5803TRPBF詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 4.8A 導通電阻 49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V
2023-10-31 10:32:19
IRF7314TRPBF詳細參數說明 極性 2個P溝道 額定電壓 30V 額定電流 7A 導通電阻 35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V
2023-10-28 14:55:23
IRF9530NPBF是一款P溝道功率場效應管，具有以下參數 - 最大耐壓 -100V- 最大漏極電流 -18A- 導通時的電阻（RDS(ON)） 167mΩ@10V, 178m
2023-10-27 15:44:53
IRF(Intelligent Resilient Framework)是彈性智能架構的簡稱，是H3C自主研發的一種軟件虛擬化堆疊技術。簡單來說，就是將多臺支持堆疊的設備聯合起來，組成一個整體，用戶
2023-10-25 10:51:57751 
IRF3205是一種N溝道功率MOS管，采用 TO-220AB 封裝，工作電壓為 55V 和 110A。特點是其導通電阻極低，僅為 8.0mΩ，適用于逆變器、電機速度控制器、DC-DC 轉換器
2023-04-20 09:12:546906 
IRF830PBF
2023-03-29 21:35:22
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
2023-03-29 14:06:32
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
2023-03-29 14:04:29
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
2023-03-29 14:04:28
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
2023-03-29 14:04:26
IRF7815TR
2023-03-28 14:57:16
IRF5305STR
2023-03-28 14:55:41
IRF200P222
2023-03-28 14:28:40
IRF300P226
2023-03-28 13:11:05
電子發燒友App
工商網監
評論