電橋電路柵驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:3646 半橋 驅(qū)動(dòng)器 通用 功率 MOSFET PowerPAK? MLP55-31L
2024-03-14 23:22:22
半橋 驅(qū)動(dòng)器 通用 功率 MOSFET 41-LGA(5x6)
2024-03-14 23:16:04
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS2811-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:40:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)器的同步降壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS2838/39/48/49數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:32:560 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有反極性保護(hù)、短路保護(hù)和診斷功能的100V、汽車類、低IQ 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器TPS4800-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:45:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙高效同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS51601A數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:07:200 意法半導(dǎo)體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性,以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 伺服驅(qū)動(dòng)器的三環(huán),電流環(huán),速度環(huán),位置環(huán),伺服驅(qū)動(dòng)器比通用變頻器多了一個(gè)位置環(huán),那么請(qǐng)問這個(gè)位置環(huán)的檢測(cè)是用什么器件檢測(cè)的,分為哪幾種檢測(cè)方式?又怎么傳遞給伺服的,傳遞的方式波形有哪幾種?如果要在
2024-03-11 22:52:23
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì),為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此,電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向?yàn)楣鐼OSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器,這就需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:08188 意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器 - TI | 貿(mào)澤Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅(qū)動(dòng)器
2024-02-22 13:39:55
CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,主要應(yīng)用于
較低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng),如風(fēng)扇電機(jī)。其內(nèi)置了 6 個(gè)快恢復(fù) MOSFET 和 3 個(gè)半橋 HVIC 柵極
驅(qū)動(dòng)電路。內(nèi)部
2024-01-30 15:53:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FP6151內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET產(chǎn)品手冊(cè)》資料免費(fèi)下載
2024-01-15 14:47:230 半橋電路的電壓是24V,ADUM6132接5V和15V能正常驅(qū)動(dòng)它嗎?是A通道驅(qū)動(dòng)上功率管,B通道驅(qū)動(dòng)下管嗎?
芯片除了正常的供電接地還需要接什么別的元件嗎?
2024-01-11 06:09:16
作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動(dòng)器,無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC
2024-01-01 13:25:00401 深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-20 11:30:41
深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-20 11:13:03
深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-20 11:09:10
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2023-12-19 13:43:56
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2023-12-19 13:39:52
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2023-12-19 13:36:17
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2023-12-19 12:01:33
深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-19 11:55:58
報(bào)告內(nèi)容包含:
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57156 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V
2023-11-17 17:08:41534 H橋驅(qū)動(dòng)器,可以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流有刷電機(jī),或者一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī),或者螺線管及其它感性負(fù)載。每一個(gè)H橋的功率輸出級(jí)由N通道功率MOSFET組成,叫作H橋驅(qū)動(dòng)器。每個(gè)橋包含整流電路和限流電路。內(nèi)部關(guān)斷功能包含
2023-11-08 10:20:06
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片SOP8,原裝現(xiàn)貨 半橋柵極動(dòng)心片.半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于驅(qū)動(dòng)半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中,通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管? 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管,主要是出于以下幾個(gè)方面的考慮。 首先,最后一級(jí)
2023-10-22 14:47:33409 發(fā)現(xiàn),像 Arduino 或樹莓派這樣的設(shè)備不能直接驅(qū)動(dòng)重負(fù)載。在這種情況下,我們需要一個(gè)“驅(qū)動(dòng)器”,也就是一個(gè)可以接受來自微控制器的控制信號(hào),并且具有足夠功率來驅(qū)動(dòng)負(fù)載的電路。在許多情況下,MOSFET
2023-10-16 09:19:231185 今天在畫電路的時(shí)候突然想到一個(gè)問題,如圖的半橋驅(qū)動(dòng)芯片,上半橋14腳未直接接地而16腳接驅(qū)動(dòng)電壓正極,在上橋臂開通的時(shí)候,那么這個(gè)自舉電容是如何充電的呢?上橋臂開通的時(shí)候MOS管GS極間驅(qū)動(dòng)壓差
2023-10-11 09:32:12
步進(jìn)電機(jī)的半步驅(qū)動(dòng)是由驅(qū)動(dòng)器來設(shè)置的嗎
2023-10-11 06:52:18
與器件接地參考控制信號(hào)。自舉電容器 CBST、圖騰柱雙極驅(qū)動(dòng)器和常規(guī)柵極電阻器都可作為電平位移電路。此外,一些驅(qū)動(dòng)芯片已內(nèi)置自舉電路,可直接將自舉信號(hào)接入功率器件基準(zhǔn)端。
驅(qū)動(dòng)電路按照電路結(jié)構(gòu)分為隔離型
2023-10-07 17:00:40
瑞薩MCU內(nèi)置LCD控制器/驅(qū)動(dòng)器漫談
2023-09-28 16:12:42438 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制,采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間,并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì),具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時(shí),有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過程了解不透徹,將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34807 請(qǐng)問:半橋LLC的MOS如何更換,之前使用國(guó)外品牌。目前采購不到,想替換國(guó)產(chǎn),請(qǐng)問可以直接換同等規(guī)格的國(guó)產(chǎn)MOS嗎?驅(qū)動(dòng)電路是否要特別處理?還有哪些細(xì)節(jié)要注意呢?
2023-07-31 17:52:57
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器
2023-07-28 16:20:50801 通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí),通常需要搭配外部的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-07-25 10:13:59683 介紹
在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)(例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源)時(shí),設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器?以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 供應(yīng)ID2006SEC-R1 200V高低側(cè)半橋驅(qū)動(dòng)芯片IC,提供id2006驅(qū)動(dòng)芯片關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器、全橋功率逆變器、任意互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:30:38
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104,提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:10:05
應(yīng)用領(lǐng)域: ??廣泛應(yīng)用于風(fēng)扇、水泵等小功率直流無刷電機(jī)領(lǐng)域。CMS3960是一款內(nèi)置 MOSFET三相直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC,集成故障輸出、過壓、過流、欠壓、過溫等多種保護(hù)功能。工作溫度-20
2023-07-07 10:09:44577 TF1388M/TF2366M/TF2388M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)IC,設(shè)計(jì)用于高壓三相應(yīng)用,在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道模塊和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2388M高側(cè)
2023-07-04 11:38:27
TF21364M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF21364M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:59:30
TF2136M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2136M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:46:50
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動(dòng)器,可應(yīng)用于LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和低側(cè)驅(qū)動(dòng)的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50263 TFB0527是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)部集成了自舉二極管,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝,使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)部集成了自舉二極管,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝,使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42
TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2003M高側(cè)切換到250V的引導(dǎo)操作
2023-06-27 16:35:30
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具備互鎖功能、輸入耐負(fù)壓和HS耐負(fù)壓能力
互鎖功能
NSD1224具備互鎖功能,能有效避免因輸入干擾造成的功率管橋臂直通問題。
在電源應(yīng)用中,受高頻開關(guān)噪聲的影響,半橋驅(qū)動(dòng)芯片的輸入引腳容易受到
2023-06-27 15:14:07
TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供? NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器)的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02377 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
電源和信號(hào),一直是業(yè)界無法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)楣杵骷拈_關(guān)速度太慢,而且存在驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器,導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548 目前使用的無線充電方案是半橋+諧振電路,搭半橋的MOS芯片通過板子散熱最終可以達(dá)到50℃,天線可以到45℃,發(fā)射理論功率1W,有沒有什么可以降低發(fā)熱的辦法==
2023-06-14 10:20:43
BDR6120S
特性
● 內(nèi)置 PMOS/NMOS 功率開關(guān)的單通道 H 橋驅(qū)動(dòng)器
● 有正轉(zhuǎn)/反轉(zhuǎn)/停止/剎車四個(gè)功能
● 低待機(jī)電流 (typ.0.1uA)
● 寬工作電壓范圍,適用于鋰電池
2023-06-01 11:36:17
最近在研究一個(gè)無人機(jī)電池管理系統(tǒng),RDDRONE-BMS772。文檔中關(guān)于電池平衡的內(nèi)容不清楚——芯片組是內(nèi)置 FET 還是只是驅(qū)動(dòng)器?
2023-06-01 07:23:40
分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:02518 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:08747 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于源極或發(fā)射極)。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391473 半橋驅(qū)動(dòng)電路通過 SPWM 已經(jīng)能生成正弦波了,請(qǐng)問一下各位大神,能不能修改程序生成半波啊
2023-05-09 13:21:57
推薦一款雙功率橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,帶有精確的電流監(jiān)控,電流控制和電流限制徹底解決傳統(tǒng)功率橋芯片電流控制復(fù)雜的問題。提高控制感性線圈負(fù)載的電流精度。內(nèi)置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 請(qǐng)問一下半橋LLC諧振變換器功率最大可以做多大啊?
2023-04-25 15:23:47
您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流,并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
每個(gè) H 橋的輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET 組成,用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)繞組。每個(gè) H 橋均具備調(diào)節(jié)或限制繞組電流的電路。
2023-04-07 12:26:21311 電機(jī)驅(qū)動(dòng)是中微半導(dǎo)體集驅(qū)動(dòng)和三相半橋于一體設(shè)計(jì)的緊湊型芯片,具有多重保護(hù)功能、輸出電流能力強(qiáng)、空間體積小等特點(diǎn) 。CMS3960是一款內(nèi)置 MOSFET三相直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC,集成故障輸出、過壓
2023-04-07 09:13:57
半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件,如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源(SMPS)、通用電源(UPS)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 LT?1336是一款成本效益型半橋式N 溝道功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器能夠采用一個(gè)高達(dá) 60V (絕對(duì)最大值) 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源,以驅(qū)動(dòng)頂端 N 溝道功率MOSFET
2023-03-31 11:37:51
LT?1160/LT1162 是成本效益型半橋式/全橋式 N 溝道功率MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器能夠采用一個(gè)高達(dá) 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源,以驅(qū)動(dòng)頂端 N 溝道功率
2023-03-31 11:31:54
LT?1160/LT1162 是成本效益型半橋式/全橋式 N 溝道功率MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器能夠采用一個(gè)高達(dá) 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源,以驅(qū)動(dòng)頂端 N 溝道功率
2023-03-31 11:28:39
LTC7060驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N通道MOSFET,電源電壓高達(dá)100V。高端和低端驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)具有不同接地基準(zhǔn)的MOSFET,提供出色的瞬變抗擾度。其功能強(qiáng)大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:49:48
LTC7061驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N通道MOSFET,電源電壓高達(dá)100V。高端和低端驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)具有不同接地基準(zhǔn)的MOSFET,提供出色的瞬變抗擾度。其功能強(qiáng)大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:44:27
的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng))和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片,可兼容代換IR2104,應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動(dòng)
2023-03-29 09:24:35
稱半橋諧振正激變換器(LLC)有更寬的增益調(diào)節(jié)能力因而適合在需要寬范圍輸出的應(yīng)用,如工業(yè)用電池充電器、USBPD充電器等領(lǐng)域使用。 由于變壓器副邊僅有一個(gè)繞組和二極管進(jìn)行整流,當(dāng)變換器的輸出功率
2023-03-23 14:19:33
RGB LED可產(chǎn)生多種顏色,包括白色,使其具有高度的通用性。每個(gè)RGB LED需要三個(gè)驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)顏色的LED需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)器。與單個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器相比,在RGB應(yīng)用中使用多輸出LED驅(qū)動(dòng)器可以節(jié)省解決方案的尺寸和成本。LTC3207和LTC3207-1每個(gè)都提供12個(gè)單獨(dú)可編程的電流源(通用驅(qū)動(dòng)器)。
2023-03-23 11:08:122172 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514
評(píng)論
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