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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>內(nèi)置功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800

內(nèi)置功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800

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2024-03-11 22:52:23

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隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)

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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制

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請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)問題。

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2023-07-07 10:09:44577

三相/IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF1388M/TF2366M/TF2388M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)IC,設(shè)計(jì)用于高壓三相應(yīng)用,在配置中驅(qū)動(dòng)n通道模塊和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2388M高側(cè)
2023-07-04 11:38:27

三相/IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)TF21364M-TLH

   TF21364M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF21364M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:59:30

三相/IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF2136M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2136M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:46:50

全芯時(shí)代單通道低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器

該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動(dòng)器,可應(yīng)用于LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和低側(cè)驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50263

步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器亮紅燈維修

步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-29 18:55:02

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TFB0527是一個(gè)式柵極驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)部集成了自舉二極管,能夠在式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝,使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TFB0504是一個(gè)式柵極驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)部集成了自舉二極管,能夠在式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝,使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2003M高側(cè)切換到250V的引導(dǎo)操作
2023-06-27 16:35:30

新品發(fā)布-納芯微全新推出120V驅(qū)動(dòng)NSD1224系列

, 具備互鎖功能、輸入耐負(fù)壓和HS耐負(fù)壓能力 互鎖功能 NSD1224具備互鎖功能,能有效避免因輸入干擾造成的功率臂直通問題。 在電源應(yīng)用中,受高頻開關(guān)噪聲的影響,驅(qū)動(dòng)芯片的輸入引腳容易受到
2023-06-27 15:14:07

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 15:48:29

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 09:27:41

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

   TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30

IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

        TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20

用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供? NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器)的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02377

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用設(shè)計(jì)

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556

GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

升級(jí)到GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

什么是氮化鎵功率芯片?

電源和信號(hào),一直是業(yè)界無法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)楣杵骷拈_關(guān)速度太慢,而且存在驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換/隔離,導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵電源芯片
2023-06-15 14:17:56

單片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548

無線充電&線圈均發(fā)熱

目前使用的無線充電方案是+諧振電路,搭的MOS芯片通過板子散熱最終可以達(dá)到50℃,天線可以到45℃,發(fā)射理論功率1W,有沒有什么可以降低發(fā)熱的辦法==
2023-06-14 10:20:43

馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片BDR6120S-空間敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供理想選擇

BDR6120S 特性 ● 內(nèi)置 PMOS/NMOS 功率開關(guān)的單通道 H 驅(qū)動(dòng)器 ● 有正轉(zhuǎn)/反轉(zhuǎn)/停止/剎車四個(gè)功能 ● 低待機(jī)電流 (typ.0.1uA) ● 寬工作電壓范圍,適用于鋰電池
2023-06-01 11:36:17

RDDRONE-BMS772電池平衡,芯片組是內(nèi)置FET還是只是驅(qū)動(dòng)器

最近在研究一個(gè)無人機(jī)電池管理系統(tǒng),RDDRONE-BMS772。文檔中關(guān)于電池平衡的內(nèi)容不清楚——芯片組是內(nèi)置 FET 還是只是驅(qū)動(dòng)器
2023-06-01 07:23:40

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全

分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用有哪些

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:02518

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:08747

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。 為了操作 MOSFET,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于源極或發(fā)射極)。使用專用驅(qū)動(dòng)器功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391473

驅(qū)動(dòng)電路能濾出波嗎

驅(qū)動(dòng)電路通過 SPWM 已經(jīng)能生成正弦波了,請(qǐng)問一下各位大神,能不能修改程序生成波啊
2023-05-09 13:21:57

帶有電機(jī)精確控制的雙功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片MAX22203中文資料

推薦一款雙功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,帶有精確的電流監(jiān)控,電流控制和電流限制徹底解決傳統(tǒng)功率芯片電流控制復(fù)雜的問題。提高控制感性線圈負(fù)載的電流精度。內(nèi)置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288

請(qǐng)問一下LLC諧振變換功率最大可以做多大啊?

請(qǐng)問一下LLC諧振變換功率最大可以做多大啊?
2023-04-25 15:23:47

如何定義柵極電阻、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可能需要對(duì)MOSFET源極施加一些電阻?

您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06

OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換

OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流,并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54

中科芯億達(dá)MX6833雙橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案

每個(gè) H 橋的輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET 組成,用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)繞組。每個(gè) H 橋均具備調(diào)節(jié)或限制繞組電流的電路。
2023-04-07 12:26:21311

CMS3960廣泛應(yīng)用于風(fēng)扇、水泵等小功率直流無刷電機(jī)

電機(jī)驅(qū)動(dòng)是中微半導(dǎo)體集驅(qū)動(dòng)和三相于一體設(shè)計(jì)的緊湊型芯片,具有多重保護(hù)功能、輸出電流能力強(qiáng)、空間體積小等特點(diǎn) 。CMS3960是一款內(nèi)置 MOSFET三相直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC,集成故障輸出、過壓
2023-04-07 09:13:57

電力電子IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件,如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源(SMPS)、通用電源(UPS)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45546

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001

LT1336是一款驅(qū)動(dòng)器

LT?1336是一款成本效益型式N 溝道功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器能夠采用一個(gè)高達(dá) 60V (絕對(duì)最大值) 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源,以驅(qū)動(dòng)頂端 N 溝道功率MOSFET
2023-03-31 11:37:51

LT1162是一款驅(qū)動(dòng)器

LT?1160/LT1162 是成本效益型式/全式 N 溝道功率MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器能夠采用一個(gè)高達(dá) 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源,以驅(qū)動(dòng)頂端 N 溝道功率
2023-03-31 11:31:54

LT1160是一款驅(qū)動(dòng)器

LT?1160/LT1162 是成本效益型式/全式 N 溝道功率MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器能夠采用一個(gè)高達(dá) 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源,以驅(qū)動(dòng)頂端 N 溝道功率
2023-03-31 11:28:39

LTC7060是一款驅(qū)動(dòng)器

LTC7060驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用配置的N通道MOSFET,電源電壓高達(dá)100V。高端和低端驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)具有不同接地基準(zhǔn)的MOSFET,提供出色的瞬變抗擾度。其功能強(qiáng)大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:49:48

LTC7061是一款驅(qū)動(dòng)器

LTC7061驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用配置的N通道MOSFET,電源電壓高達(dá)100V。高端和低端驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)具有不同接地基準(zhǔn)的MOSFET,提供出色的瞬變抗擾度。其功能強(qiáng)大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:44:27

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng))和模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13

ir2104驅(qū)動(dòng)芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V預(yù)驅(qū)方案

ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片,可兼容代換IR2104,應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、照明鎮(zhèn)流器、驅(qū)動(dòng)
2023-03-29 09:24:35

一種寬輸出范圍的混合諧振正反激變換控制方法

諧振正激變換(LLC)有更寬的增益調(diào)節(jié)能力因而適合在需要寬范圍輸出的應(yīng)用,如工業(yè)用電池充電器、USBPD充電器等領(lǐng)域使用。  由于變壓副邊僅有一個(gè)繞組和二極管進(jìn)行整流,當(dāng)變換的輸出功率
2023-03-23 14:19:33

通用12輸出LED驅(qū)動(dòng)器控制4 RGB LED

RGB LED可產(chǎn)生多種顏色,包括白色,使其具有高度的通用性。每個(gè)RGB LED需要三個(gè)驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)顏色的LED需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)器。與單個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器相比,在RGB應(yīng)用中使用多輸出LED驅(qū)動(dòng)器可以節(jié)省解決方案的尺寸和成本。LTC3207和LTC3207-1每個(gè)都提供12個(gè)單獨(dú)可編程的電流源(通用驅(qū)動(dòng)器)。
2023-03-23 11:08:122172

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514

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