讓量子計算機走出實驗室造中國自主可控量子計算機量子芯片作為量子計算機的核心部件,扮演著類似于傳統(tǒng)計算機中‘大腦’的角色。而與此同時,高密度微波互連模組則像是‘神經(jīng)網(wǎng)絡’,在量子芯片與外部設備之間
2024-03-15 08:21:0572 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
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2024-03-13 10:16:450 全球連接與傳感領域領軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場上可實現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器,能夠支持高達3千瓦的電源功率,從而
2024-03-06 16:51:58
這位博主堅持認為,在今年的年底,小米僅計劃生產(chǎn)搭載驍龍8 Gen 3或驍龍8 Gen 4處理器的機型。另外,預計這兩款新品都將搭載超大容量的高密度硅負離子電池,屏幕大小、外觀設計以及后置攝像頭的配置保持不變。
2024-03-06 10:18:00131 的布局也就成了大家設計PCB高頻板時候需要探討的關鍵點。接下來深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設計布局的注意要點。 高頻PCB設計布局注意要點 ? (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設計布線。使用多層板既是PCB設計布線所必需的,也是減少干擾的
2024-03-04 14:01:0271 特點●超高密度細胞溝設計為低RDS(開)。●堅固而可靠。●表面安裝軟件包。
2024-02-22 14:44:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT-23-3 N通道高密度壕溝MOSFET PL2300GD數(shù)據(jù)手冊》資料免費下載
2024-02-21 14:35:290 【摘要/前言】 “角度”,這個詞每天都出現(xiàn)在我們的生活中,有物理學的角度,如街邊的拐角,還有視覺上的角度和觀點中的角度~ Samtec新型? AcceleRate? mP 高密度電源/信號互連
2024-01-05 11:47:24103 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PL2302GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費下載
2024-01-05 11:12:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PL2300GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費下載
2024-01-05 11:08:290 相對于傳統(tǒng)PC,云桌面具有部署靈活、接入安全、維護方便、簡化辦公環(huán)境等顯著優(yōu)點。但云桌面解決方案涉及后臺服務器、前臺終端、虛擬化軟件、云桌面軟件等,綜合成本相對較高。
2023-12-21 10:27:56236 高密度互連印刷電路板:如何實現(xiàn)高密度互連 HDI
2023-12-05 16:42:39226 54V,有效降低了電源全鏈路損耗,改善了數(shù)據(jù)中心能效。結合在氣流優(yōu)化、液冷散熱等方面的技術改進,以及第四代英特爾 至強 可擴展處理器帶來的更高能耗比,我們推出了綠色的高密度算力整機柜方案,打造了可持續(xù)的數(shù)據(jù)中心典范。我們也和英特爾將技術成果標準化,幫助更多企業(yè)構建綠色的高密度算力
2023-12-01 20:40:03467 2023年11月24日,雷賽智能基于二十余年伺服行業(yè)成功經(jīng)驗,歷經(jīng)一年多努力,研發(fā)成功FM1系列高密度無框電機和微型伺服驅動器,推動人形機器人等產(chǎn)業(yè)發(fā)展,幫助廣大客戶進行進口替代和升級降本。
2023-11-27 17:28:10872 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種高密度、易于設計的通道間隔離模擬輸入模塊完整解決方案.pdf》資料免費下載
2023-11-23 10:34:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《突破PLC DCS多通道模擬輸入通道間隔離、高密度和EMI高輻射的設計障礙.pdf》資料免費下載
2023-11-22 10:42:400 法人方面解釋說:“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導,因此,中臺灣企業(yè)在半導體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下,臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強勢。ddr3的價格也隨之上漲,給臺灣半導體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 高密度、高復雜性的多層壓合pcb電路板
2023-11-09 17:15:32867 JSCJ長晶長電科技面向5G射頻功放推出的高密度異構集成SiP解決方案即將在國內大規(guī)模量產(chǎn)
2023-11-01 15:20:20254 DDR4和DDR3內存都有哪些區(qū)別? 隨著計算機的日益發(fā)展,內存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內存的標準。隨著DDR4內存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 簡儀推出新產(chǎn)品高密度多功能數(shù)據(jù)采集模塊——PCIe/PXIe-5113/5113s,針對高密度模擬輸入通道需求提供高性價比的解決方案,擴展DAQ數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品的涵蓋范圍。 產(chǎn)品亮點 01 高密度模擬
2023-10-25 14:30:59450 EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,介紹MAX?II系列即時開啟非易失性CPLD基于0.18-μ,6層金屬閃存工藝,密度從240到2210個邏輯元件(LE)(128至22
2023-10-24 15:38:16
三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram,目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度。”另外,三星正在準備10納米dram的新的3d構架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 DDR3是2007年推出的,預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 我們提出了一種高密度3kW電源解決方案,移除輸入整流二極管,使用圖騰極PFC電路和650VSiCMOSFET和以及次級側控制LLC帶同步整流功能的轉換器。本方案是推動高效率和減小電源尺寸:其中
2023-10-12 08:27:40751 對于嵌入式開發(fā)者來講,對產(chǎn)品設計小型化的追求似乎是永無止境的。這種追求帶來了兩個直接的挑戰(zhàn):一是如何在有限的空間內“堆料”,滿足不斷增加的功能性要求;二是如何實現(xiàn)高密度、高可靠的互連,以滿足系統(tǒng)連接
2023-10-04 08:10:012595 摘要:本文將對DDR3和DDR4兩種內存技術進行詳細的比較,分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內存技術,為讀者在購買和使用內存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 雷迪埃F2C-40是 40 通道高密度多同軸連接方案是為響應市場需求而開發(fā)的。該解決方案采用符合 RoHS 標準的超柔、無磁、超低溫電纜組件,非常適用于有更多量子比特數(shù)的商用量子計算機。這種無磁免焊
2023-09-25 16:10:36
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內存下部設計為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡,這樣的設計可以保證金手指和內存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 開發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進入產(chǎn)能擴充階段,預計2024年起相關產(chǎn)品營收規(guī)模翻番,將有利促進第三代半導體器件在全球應用市場的快速上量。 碳化硅,氮化鎵產(chǎn)品相對于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有更高的開關速度,支持高電流密度,耐受
2023-09-19 10:20:38379 高密度服務器播放 rtsp 流出現(xiàn)斷連情況驗證
2023-09-18 07:14:50
以MT41J128M型號為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3,每個bank的大小為16Mbit,一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 DDR3帶寬計算之前,先弄清楚以下內存指標。
2023-09-15 14:49:462497 內置校準: DDR3和DDR4控制器通常具有內置的校準機制,如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準和DLL (Delay Locked Loop)。這些機制可以自動調整驅動和接收電路的特性,以優(yōu)化信號完整性和時序。
2023-09-11 09:14:34420 意法半導體擁有最先進的平面工藝,并且會隨著G4不斷改進:? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
本文介紹一個FPGA開源項目:DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19741 本文開源一個FPGA項目:基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式:《DDR3讀寫測試》,如果在某些項目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線上,那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371887 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度布線設計指南.pdf》資料免費下載
2023-09-01 15:21:431 數(shù)據(jù)中心機房高密度布線是我們現(xiàn)在經(jīng)常關注的問題,這是因為高密度光纖配線箱的使用,很多人對于這一點有很多疑問,其實我們從數(shù)據(jù)中心機房網(wǎng)絡布線系統(tǒng)的結構就可以看出,當前最重要的有四種,分別是集中化直連
2023-08-29 10:13:49234 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通過博科FC16-64端口刀片簡化高密度電纜部署.pdf》資料免費下載
2023-08-28 14:36:280 MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時,一些關鍵參數(shù)的選擇在手冊中并沒有給出,以及.ucf引腳約束文件也沒有提供,請問這些信息應該從哪里得到?
2023-08-16 07:02:57
復制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache(新建用于DDR3仿真的文件夾)下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
,不知道出現(xiàn)啥問題?求助解決方案,同時有個疑問DDR4是否可以使用,論壇中都是使用DDR3的教程。
log如下
2023-08-11 06:17:58
MPO光纖配線架應用于大型數(shù)據(jù)中心機房MDF,近幾年來,MPO高密度光纖配線架在機房布線中應用廣泛,得到項目的青睞使用,這就有很多人有一個疑問,到底是什么樣的有點讓此類配線架火起來的,下面就跟著
2023-08-09 09:58:56285 把控制器掛在了交換機上,交換機上有極高密度的arp報文造成以太網(wǎng)接收中斷無法及時處理。 看手冊中有廣播幀濾過和單播幀濾過,能否通過設置源地址濾過將非業(yè)務主機的arp廣播報文濾掉(單播和廣播功能在手冊中是分開寫的,不清楚單播的源地址濾過配置能否對廣播幀進行過濾)
2023-08-07 06:46:01
xilinx平臺DDR3設計教程之設計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
快充需求推動了高密度適配器的蓬勃發(fā)展。在實際的適配器設計中,花樣繁多的新型開關功率器件、拓撲和控制方案不計其數(shù)。
2023-08-02 11:31:42226 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高密度和高效率電源設計的意法半導體WBG解決方案.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:54:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 PCB的布局也就成了大家設計PCB高頻板時候需要探討的關鍵點。接下來深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設計布局的注意要點。 高頻PCB設計布局注意要點 (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設計布線。使用多層板既是PCB設計布線所必需的,也是減少
2023-07-19 09:26:08518 當工業(yè)4.0浪潮席卷而來,智能傳感器在工廠環(huán)境中日益普及。廣泛使用的傳感器正帶來一個重要變化,即要在舊款控制器內處理大量IO,包括數(shù)字IO或模擬IO。由此,構建可控尺寸和熱量的高密度IO模塊成為關鍵。本文中ADI將重點介紹數(shù)字IO。
2023-07-13 16:56:041119 DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對應的時延差異較大,必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312 Weiking 灌封型寬范圍輸入電壓DC-DC? WK4128**D-08G系列 ? 產(chǎn)品概述 ? WK4128**D-08G系列DC-DC電源模塊內部采用高密度組裝工藝方法,并配合使用具有優(yōu)異性
2023-07-03 11:08:55310 摘要:提出了一種只讀高密度光盤的DPD信號檢測方法,闡述了DPD信號檢測中均衡電路和相位檢測器的原理和設計方法,并基于CPLD器件實現(xiàn)了光盤高頻讀出信號的相位差檢測。實驗結果表明,本文提出的方法可以準確檢測光盤的DPD信號。
2023-06-29 17:07:390 光纖連接器的高密度布局和設計方法是在有限的空間內實現(xiàn)更多連接器數(shù)量的一種策略,以提高光纖網(wǎng)絡系統(tǒng)的容量和效率。
2023-06-26 15:20:001129 路由器、智能穿戴設備等各類終端產(chǎn)品。隨著5G的導入,模塊要有更高的功率,工作頻率、更大的帶寬和更小的模組尺寸。 長電科技面向5G射頻功放打造的高密度異構集成SiP解決方案,具備高密度集成、高良品率等顯著優(yōu)勢。該方案通過工藝流程優(yōu)化、
2023-06-19 16:45:00355 GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
高密度互連 (HDI) 需求主要來自于芯片供應商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規(guī)過孔。
2023-06-01 16:43:58523 解決方案,配置方式比較靈活,采用軟核實現(xiàn) DDR memory 的控制,有如下特點:
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
?支持裁剪的 AXI4
2023-05-31 17:45:39
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個每秒累加的方法。問題:非易失性內存有寫入限制,所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器,每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
在這個技術革命的時代,人工智能應用程序、高端服務器和圖形等領域都在不斷發(fā)展。這些應用需要快速處理和高密度來存儲數(shù)據(jù),其中高帶寬內存 (HBM) 提供了最可行的內存技術解決方案。
2023-05-25 16:39:333396 memory 控制器解決方案,配置方式比較靈活,采用軟核實現(xiàn) DDR memory 的控制,有如下特點:
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
2023-05-19 14:28:45
你好 :
專家,我們想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項目或用例嗎?
2023-05-17 08:13:46
在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大小?
2023-05-06 07:04:11
被廣泛應用于在布線過程里需要高密度集成光纖線路環(huán)境中。 ? 解決高密度高速傳輸需求的MPO ? MPO,全名Multi-fiber Push ON,是用來做設備到光纖布線鏈路的跳接線。MPO光纖跳線由MPO連接器和光纜組成。MPO連接器是一種使用精密模具成型在機械
2023-04-18 01:16:005585 我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中,我們需要將安全數(shù)據(jù)(例如密鑰)存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值(僅驗證甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后,我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
DDR內存1代已經(jīng)淡出市場,直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍;如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867
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