DDR 代表雙倍數(shù)據(jù)速率double data rate,GDDR 代表圖形雙倍數(shù)據(jù)速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:53234 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:120 該內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s,并可同時(shí)兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁介紹,其工作電壓僅為1.1V,相較于DDR4 3200內(nèi)存,性能提升幅度為1.5倍,且將于本月底開始出貨。
2024-03-13 11:43:0589 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 我想問一下CYUSB3014位寬為8bit、16bit和32bit時(shí),最大傳輸速率是不是一樣的?
2024-02-28 07:08:20
的型號。 首先,我們來看一下DDR6內(nèi)存。DDR6是目前市場上最新的內(nèi)存技術(shù),它在DDR5的基礎(chǔ)上進(jìn)行了一些改進(jìn)。DDR6內(nèi)存的關(guān)鍵特點(diǎn)如下: 1. 帶寬更大:DDR6內(nèi)存的帶寬比DDR5內(nèi)存更大。DDR6內(nèi)存的帶寬可以達(dá)到每秒14.4 GB,而DDR5內(nèi)存的帶寬則為每秒12.8 GB。這意味著DDR6內(nèi)存可
2024-01-12 16:43:052849 硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場報(bào)道:CES 2024大展期間,雷克沙帶來了豐富的存儲方案,涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲卡等,包括頂級的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:27282 瀾起科技,一直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新,近日再次實(shí)現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級,他們成功研發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片(DDR5 RCD04),進(jìn)一步鞏固了其在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-01-07 16:30:11457 LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存,它們在時(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),但它們面向不同的應(yīng)用場景,并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先,讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061155 近日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,
2024-01-04 09:26:58289 關(guān)于2023年第三季度毛利率增長原因,瀾起科技指出,主要是因?yàn)?DDR5內(nèi)存接口芯片出貨量占比提升,特別是 DDR5 第二子代 RCD 芯片出貨量及其占比顯著提升。
2024-01-03 13:52:11270 在最為重要的內(nèi)存顆粒上,根據(jù)軟件檢測,這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒,與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同,這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01192 在DDR4年代,芝奇與阿斯加特成功完成逆襲,從原先的落落無名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。
2023-12-29 10:41:00247 的引腳介紹
DDR內(nèi)存條的引腳數(shù),取決于內(nèi)存條的類型和規(guī)格。以下是一些常見的 DDR內(nèi)存條類型和它們的引腳數(shù) :
DDR1內(nèi)存條,184引腳(92針對每側(cè))
DDR2內(nèi)存條,240引腳(120針對每側(cè)
2023-12-25 14:02:58
的引腳介紹
DDR內(nèi)存條的引腳數(shù),取決于內(nèi)存條的類型和規(guī)格。以下是一些常見的 DDR內(nèi)存條類型和它們的引腳數(shù) :
DDR1內(nèi)存條,184引腳(92針對每側(cè))
DDR2內(nèi)存條,240引腳(120針對每側(cè)
2023-12-25 13:58:55
您好,
我在用AD9230,12bit 170M。 采樣率120M,無輸入(底噪),測得模擬輸入端共模電壓1.46V,Rbias 0.5V。采用SDR,補(bǔ)碼輸出,發(fā)現(xiàn)高7bit數(shù)據(jù)有問題,偶爾翻轉(zhuǎn)
2023-12-19 06:21:00
(Single-Inline Memory Module)。由陣腳形態(tài)變化成電路板帶來了很多好處:模塊化,安裝便利等等,由此DIY市場才有可能產(chǎn)生。當(dāng)時(shí)SIMM的位寬是32bit,即一個周期讀取4個字節(jié),到了奔騰
2023-12-16 15:00:571071 喜訊!
繼華秋榮獲2023中國產(chǎn)業(yè)數(shù)字化百強(qiáng)榜企業(yè)
2023深圳行業(yè)領(lǐng)袖企業(yè)100強(qiáng)后
華秋再次榮獲億邦動力2023產(chǎn)業(yè)互****聯(lián)網(wǎng)“千峰獎·數(shù)字供應(yīng)鏈
12月1日晚,在2023億邦產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)
2023-12-15 09:57:04
喜訊!
繼華秋榮獲2023中國產(chǎn)業(yè)數(shù)字化百強(qiáng)榜企業(yè)
2023深圳行業(yè)領(lǐng)袖企業(yè)100強(qiáng)后
華秋再次榮獲億邦動力2023產(chǎn)業(yè)互****聯(lián)網(wǎng)“千峰獎·數(shù)字供應(yīng)鏈
12月1日晚,在2023億邦產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)
2023-12-15 09:53:36
如今,各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進(jìn),無論是PC、筆記本電腦還是人工智能,都對DDR5有強(qiáng)烈的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖,內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能,逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年,DDR5作為一款高附加值的DRAM,將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41306 波紋的抖動。
目前對ADV7604的DDR輸出不了解,是不是8bit 422 DDR模式無法支持高清視頻輸入,只能支持到625P?8bit 422 DDR模式輸出的到底是BT656還是BT1120格式視頻數(shù)據(jù)?
有誰了解的希望幫忙解答一下,不勝感激!!!
2023-12-07 08:18:11
追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格,相較DDR4,性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實(shí)現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬,讓用戶在使用臺電內(nèi)存條時(shí)獲得更快速、更流暢的電腦體驗(yàn)。
2023-12-05 15:52:49405 Holtek新推出BS45F6052觸控24-bit A/D Flash MCU。整合24-bit ADC、觸控按鍵模塊、LDO、PGA、高精準(zhǔn)度溫度傳感器等電路
2023-12-05 13:39:38304 為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求,DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升,具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40211 隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 對于ddr5市場的發(fā)展,威剛表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨,主要來自pc,隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高,明年上半年ddr5將超過ddr4,形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場上,ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%,從威強(qiáng)的情況來看,ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217 sip中繼的內(nèi)容介紹 SIP中繼是一種基于SIP協(xié)議的IP連接,在企業(yè)與其防火墻以外的網(wǎng)絡(luò)電話服務(wù)提供商之間建立SIP通信鏈路,是企業(yè)將語音服務(wù)轉(zhuǎn)移到網(wǎng)絡(luò)上的一種方法。 sip中繼的功能用途 SIP
2023-11-10 11:33:15269 永磁磁極,轉(zhuǎn)子同時(shí)也是飛輪(黃色)
定子繞組是組合安裝的,額定電壓690v
下面是邦飛利驅(qū)動器,面板上安裝有Profinet通信接口, 旋變解碼接口
這是一個實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目,項(xiàng)目要求通過PN總線控制邦
2023-11-08 07:52:41
? 研華推出 SQRAM DDR5 5600 系列工業(yè)內(nèi)存。該系列緊跟計(jì)算機(jī)內(nèi)存全新風(fēng)潮,支持DDR5, 數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)5600MT/s 。SQRAM 5600 系列的速度快如閃電,帶寬從 8GB
2023-11-02 16:26:56537 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003885 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時(shí),主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2023年底,他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 sip中繼是什么意思? SIP通道是傳統(tǒng)電話線的數(shù)字版本,每個SIP通道允許同時(shí)進(jìn)行兩個呼叫,一個呼出,一個呼入。與物理電話線不同,無需布線就可以根據(jù)需要添加新的SIP通道。 sip中繼的功能
2023-10-25 13:55:14365 sip中繼是什么? sip是一個基于文本的應(yīng)用層控制協(xié)議,用于創(chuàng)建、修改和釋放一個或多個參與者的會話,同時(shí)也是一種源于互聯(lián)網(wǎng)的IP語音會話控制協(xié)議。 sip中繼的功能用途 SIP中繼用于SIP服務(wù)器
2023-10-20 11:59:44286 UID(AT32 唯一編碼)共有 96bit,如何將其縮短到 32bit 做為唯一識別碼?
2023-10-20 07:49:12
DDR3是2007年推出的,預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 使用SDR創(chuàng)建GSM網(wǎng)絡(luò):這個SDR項(xiàng)目可以(使用像USRP收發(fā)器這樣的高端SDR)構(gòu)建自己的GSM網(wǎng)絡(luò)。GSM代表全球移動通信系統(tǒng),是世界上最受歡迎的無線標(biāo)準(zhǔn)。
2023-10-16 15:04:06606 系統(tǒng)級封裝 (System in Package) 簡稱SiP,SiP技術(shù)已成為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要創(chuàng)新。SiP 技術(shù)使用半導(dǎo)體來創(chuàng)建包含多個 IC 和無源元件的集成封裝,從而創(chuàng)建緊湊且高性能
2023-10-10 11:28:28694 遇到一個比較有意思的問題。一個朋友問我說:他的電腦內(nèi)存壞了,想換一條新的內(nèi)存,換DDR5內(nèi)存條是不是更好?看了他的配置之后,電腦使用的是DDR4的條子。顯然這是不能換的。
2023-10-10 11:18:13605 sdr即軟件定義的無線電(software defined radio),簡單來說,sdr設(shè)備能將接收到的信號進(jìn)行數(shù)字化處理,通過軟件的可重配置再將信號按照不同的通信協(xié)議需求發(fā)送出去,這樣,通過軟件
2023-10-09 06:16:30
摘要:本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn),表示其頻率值,具有以下差異
2023-09-26 15:24:188974 我們在買DDR內(nèi)存條的時(shí)候,經(jīng)常會看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等,這些名稱都有什么含義嗎?請看下表。
2023-09-26 11:35:331922 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 10:11:120 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡,這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 以MT41J128M型號為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3,每個bank的大小為16Mbit,一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800,延遲設(shè)定為40-40-40-76,因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片,繼續(xù)采用12nm級別工藝制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品,容量已經(jīng)增加了50多萬倍!
2023-09-04 14:28:11264 大北斗榮獲國家級專精特新“小巨人”企業(yè)稱號。
華大北斗專注從事導(dǎo)航定位芯片、算法及產(chǎn)品的自主設(shè)計(jì)、研發(fā)、銷售及相關(guān)業(yè)務(wù)。目標(biāo)面向民用消費(fèi)類電子市場和國家命脈行業(yè)、汽車領(lǐng)域、物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域等專用終端市場,提供
2023-08-30 14:36:29
什么是 SIP廣播系統(tǒng)?**** SIP廣播是IP網(wǎng)絡(luò)廣播的一種。它是采用國際通用標(biāo)準(zhǔn)SIP協(xié)議的網(wǎng)絡(luò)廣播系統(tǒng)。在國際上,IP廣播已經(jīng)支持SIP協(xié)議。是一個開放兼容的廣播系統(tǒng)。。 SIP廣播系統(tǒng)
2023-08-28 08:53:27562 LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思? LPDDR4和LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進(jìn)和流行的手機(jī)和移動設(shè)備內(nèi)存。 該內(nèi)存是針對移動設(shè)備而設(shè)計(jì)的,因?yàn)橐苿釉O(shè)備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:445949 上期和大家聊的電源PCB設(shè)計(jì)的重要性,那本篇內(nèi)容小編則給大家講講存儲器的PCB設(shè)計(jì)建議,同樣還是以大家最為熟悉的RK3588為例,詳細(xì)介紹一下DDR模塊電路的PCB設(shè)計(jì)要如何布局布線。
由于
2023-08-17 17:23:30
求助,生成DDR200T開發(fā)板FPGA bit/mcs文件時(shí)需要下載Release package怎么下載?
2023-08-12 08:30:07
上圖是NICE 接口的內(nèi)存通道,圖中內(nèi)存通道的讀寫數(shù)據(jù)位寬都是32bit,根據(jù)賽題要求,需要在協(xié)處理器中設(shè)計(jì)加速核心,掛靠NICE接口
我的預(yù)期:我所設(shè)計(jì)的加速核心需要更大的數(shù)據(jù)帶寬(比如
2023-08-12 07:40:33
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512792 DMC是由ARM開發(fā)、測試和許可的高級微控制器總線架構(gòu)(AMBA)。
DMC是一種高性能、區(qū)域優(yōu)化的SDRAM或移動SDR存儲器控制器,與AMBA AXI協(xié)議兼容。
您可以使用多個選項(xiàng)配置DMC
2023-08-02 11:26:08
隨著制程工藝的進(jìn)步,DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題,解決辦法就是上EUV光刻機(jī),但是設(shè)備實(shí)在太貴,現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴,DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 EE標(biāo)準(zhǔn)754規(guī)定了三種浮點(diǎn)數(shù)格式:單精度、雙精度、擴(kuò)展精度。前兩者正好對應(yīng)C語言里頭的float、double或者FORTRAN里頭的real、double精度類型。本文設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的為單精度。
2023-07-29 16:42:32537 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用STM32C0輕松實(shí)現(xiàn)從8bit到32bit的平臺升級.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-29 11:27:580 DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 這些字段,不需要開發(fā)者自行去填充。本文使用hpm6200evk開發(fā)板,flash器件是華邦的W25Q64JV。使用hpm_sdk進(jìn)行開發(fā)。
SPI四線模式,統(tǒng)稱也就QSPI。
本文是作者在使用先楫
2023-06-28 20:01:33
今天我們測試的這款芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5內(nèi)存,在1.35V的電壓上就上到了7200MHz高頻,時(shí)序也控制在CL36-46-46-115 CR2,并且單條容量達(dá)到了24GB。
2023-06-26 10:39:41869 本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步 DRAM (SDRAM)。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源,電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓(VTT)。
2023-06-26 10:34:36549 鋰電池提供長久的壽命和良好的安全性,在新能源汽車、儲能等應(yīng)用領(lǐng)域擁有廣闊的發(fā)展空間。
近日,作為國內(nèi)電源管理芯片領(lǐng)域的知名廠商,英集芯響應(yīng)市場潮流趨勢,針對鋰電池及磷酸鐵鋰電池應(yīng)用,推出IP2366
2023-06-25 11:51:27
★ DDR內(nèi)存條治具六大特點(diǎn) 有哪些呢?
讓凱智通小編為你解答~
①通用性高:只需換顆粒限位框,即可測試尺寸不同的顆粒;
②操作省力方便:采用手動翻蓋滾軸式結(jié)構(gòu),相比同類產(chǎn)品減少磨損,達(dá)到更高的機(jī)械
2023-06-15 15:45:22
業(yè)界對DDR5 DRAM的市場預(yù)期不太樂觀。
2023-06-05 10:36:31302 設(shè)計(jì)一個32bit浮點(diǎn)的加法器,out = A + B,假設(shè)AB均為無符號位,或者換個說法都為正數(shù)。
2023-06-02 16:13:19589 :電子發(fā)燒友網(wǎng)
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圣邦股份表示,“2022年電源管理芯片業(yè)務(wù)收入快速增長得益于公司持續(xù)推出有競爭力的新產(chǎn)品,不斷拓展客戶以及持續(xù)的市場需求等多方面因素驅(qū)動。”
經(jīng)過多年的研發(fā)投入和技術(shù)積累,在高性能
2023-06-02 14:13:38
和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代,標(biāo)準(zhǔn)升級拉動相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比, DDR5 的優(yōu)勢可簡單地概括為: ( 1)速度
2023-05-29 14:07:381359 SDRAM是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,與CPU的時(shí)鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM(單數(shù)據(jù)速率SDRAM)。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個時(shí)鐘周期內(nèi)只能讀/寫一拍數(shù)據(jù)。在傳輸下一個讀/寫操作之前,需要等待命令完成。SDR 速度從 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 HPM6750IVM1是否可以支持華邦的SDRAM W9825G2JB?
如果支持,是否需要修改軟件?
2023-05-26 06:00:44
SIP2401T網(wǎng)絡(luò)音頻模塊是一款通用的獨(dú)立SIP音頻功能模塊,可以輕松地嵌入到OEM產(chǎn)品中。該模塊對來自網(wǎng)絡(luò)的SIP協(xié)議及RTP音頻流進(jìn)行編解碼。 該模塊支持多種網(wǎng)絡(luò)協(xié)議和音頻編解碼協(xié)議,可用
2023-05-24 14:42:05305 新悅SIP2701V網(wǎng)絡(luò)音頻模塊是一款通用的獨(dú)立SIP音頻功能模塊,可以輕松地嵌入到OEM產(chǎn)品中。該模塊對來自網(wǎng)絡(luò)的SIP協(xié)議及rtp音頻流進(jìn)行編解碼。 該模塊支持多種網(wǎng)絡(luò)協(xié)議和音頻編解碼協(xié)議,可用
2023-05-23 12:01:05274 獲得了30萬+用戶的一致好評!
現(xiàn)在,華秋在廣大忠實(shí)用戶的熱切期盼下,又重磅推出了:華秋CAM軟件,一款離線版的免費(fèi)Gerber查看器!
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2023-05-22 14:26:28
MES50HP 開發(fā)板簡介
MES50HP 開發(fā)板集成兩顆 4Gbit(512MB)DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
1 SiP技術(shù)的主要應(yīng)用和發(fā)展趨勢 1. SiP技術(shù)的主要應(yīng)用和發(fā)展趨勢
2.自主設(shè)計(jì)SiP產(chǎn)品介紹
3.高密度SiP封裝主要技術(shù)挑戰(zhàn)
4. SiP技術(shù)帶動MCP封裝工藝技術(shù)的發(fā)展
5. SiP技術(shù)促進(jìn)BGA封裝技術(shù)的發(fā)展
6. SiP催生新的先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展
2023-05-19 11:34:271207 SiP封裝是指將多個不同芯片集成在同一個封裝體內(nèi),形成一個器件系統(tǒng),以實(shí)現(xiàn)多功能、小尺寸、高性能、低成本的目標(biāo)。由于使用倒裝等不同的互連工藝,它可以分為FC-SiP和FC/WB-SiP等;含有芯片垂直方向堆疊的SiP稱為3D SiP。
2023-05-19 11:31:16616 前期,文中為大家簡單介紹了SIP協(xié)議的基本信息及優(yōu)勢,是SIP協(xié)議系列的基礎(chǔ)知識分享。
此文以SIP協(xié)議后期涉及的拓展知識為主,旨在通過“知識平面”搭建以幫助后期高層次知識的消化理解。相關(guān)知識點(diǎn)包括:
2023-05-19 10:45:41632 iP封裝是指將多個不同芯片集成在同一個封裝體內(nèi),形成一個器件系統(tǒng),以實(shí)現(xiàn)多功能、小尺寸、高性能、低成本的目標(biāo)。**
由于使用倒裝等不同的互連工藝,它可以分為FC-SiP和FC/WB-SiP
2023-05-19 10:40:35842 SIP(Single-Inline-Package),指的是單列直插封裝, 其典型特征是引腳從封裝體一側(cè)引出,排列成一條直線,目前常見的SIP封裝外形有SIP8、SIP9和SIP10,數(shù)字表示引腳
2023-05-19 09:50:251148 DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC,則為72位通道)。相比之下,DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441330 Rambus預(yù)計(jì)服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強(qiáng)勁增長。市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示,DDR5的拐點(diǎn)可能會在2024年上半年出現(xiàn)。
2023-05-06 14:52:19342 將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
DDR5 已占據(jù)整個 DRAM 市場份額的 10%,2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場可能最先推廣DDR5,服務(wù)器市場對高性能有著絕對的需求。
2023-04-18 11:36:471604 DDR5在服務(wù)器市場的滲透率正在進(jìn)一步提高,進(jìn)入放量期。
2023-04-15 10:23:171778 SiP封裝是指將多個不同芯片集成在同一個封裝體內(nèi),形成一個器件系統(tǒng),以實(shí)現(xiàn)多功能、小尺寸、高性能、低成本的目標(biāo)。由于使用倒裝等不同的互連工藝,它可以分為FC-SiP和FC/WB-SiP等;含有芯片垂直方向堆疊的SiP稱為3D SiP。
2023-04-13 11:28:23976 DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場,直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍;如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 通過 JTAG 手動初始化 DDR 控制器后,我試圖訪問 DDR 內(nèi)存區(qū)域,但它總是失敗據(jù)我了解,必須使用信任區(qū)地址空間控制器映射區(qū)域,因此我嘗試執(zhí)行 lsdk2012 中的 u-boot 所做
2023-03-29 07:58:56
我一直在研究 BL2 上的 DDR 驅(qū)動程序,并注意到 *** 設(shè)置了對內(nèi)存區(qū)域的訪問,在研究 CW 腳本時(shí)也是如此。是否需要初始化 *** 才能訪問 DDR 內(nèi)存?我知道它不需要 MMU,但它與 TZ 一樣嗎?
2023-03-27 07:13:46
一個bit的數(shù)據(jù)。SDR SDRAM的時(shí)鐘頻率可以達(dá)到100MHz以上,按照100MHz的速率計(jì)算,一片16位數(shù)據(jù)寬度的SDR SDRAM的讀寫數(shù)據(jù)帶寬可以達(dá)到1.6Gbit/s。
SANXIN
2023-03-23 17:40:58
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