串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流,產生電流的電壓必須高于(Vo+Vbe),約為(Vo+1)。若基極串接一個電阻,則電阻輸入端電壓必須高于(Vo+1)以使電流流過。而最經濟易行的方法
2024-03-06 20:49:11
全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19282 絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種功率半導體,具有MOSFET 的高速、電壓相關柵極開關特性以及 BJT 的最小導通電阻(低飽和電壓)特性。
2024-02-27 16:08:49579 智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 雙極性晶體管是利用兩種離子導電,空穴和自由電子,但是對于一個實際存在的系統,其整體上是呈現電中性的,當其中的電子或者空穴移動形成電流時,與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動?
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
什么是絕緣柵雙極型晶體管的開通時間與關斷時間? 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種主要應用于功率電子裝置中的半導體器件,其具有低導通壓降和高關斷速度等優點。開通時間和關斷時間是評估IGBT性能
2024-02-20 11:19:16280 這是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的實用指南。您將從實際的角度學習如何使用它——而無需深入研究它內部的物理外觀。IGBT通常被描述為復雜而先進的東西。但是,當你剝離物理解釋并開始練習時,將其放入電路中是很簡單的。
2024-02-11 10:57:00533 是,最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯,因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理,在此基礎上為什么要加電阻?
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切換晶體管時遇到了一個問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當我從評估板(即 MSP-EXP430G2ET)獲取電源 (3.3V) 時,該程序有效。但是當我使用外部電源 (8.33V) 為
2024-01-22 06:00:31
放大,似于多路比較器的輸出,NPN型晶體管多發射極分別接到比較器的輸出端,集電極共用一路上拉電阻連接至電源,如果多路比較器有一路導通,則該多發射極晶體管集電極輸出導通拉低,電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣?
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管,請問這個單結晶體管是什么?能夠實現負阻特性?
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯電容有什么作用?是為了米勒電容嗎、?但是米勒電容對三極管的開通有害的時候,為什么還要并聯電容?電容不是越并越大,加大了等效米勒電容?
2024-01-19 22:39:57
相比較,GaN具有更加優異的性能;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管,其本質是一個電流放大器,通過基射極電流控制集射極電流。
1、當基射極電流很小可以忽略不計時,此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用,此時可以認為晶體管處在關斷狀態
2、當基
2024-01-18 16:34:45
深圳市至信微電子有限公司(簡稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發布暨代理商大會。此次大會上,至信微發布了一系列行業領先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:17286 傳統的雙極晶體管是一種電流驅動型放大器,對其信號放大特性的分析以小注入電流為主,即在共發射極工作狀態時,輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢? IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導體器件,結合了雙極型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)的特點。IGBT通常用于高電壓和高電流應用,例如工業
2024-01-12 11:18:10350 對于一個含有晶體管,場效應管,運放的電路,該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻,舉例而言,在含有晶體管的電路射極跟隨器中,求解輸出電阻時,為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻,此時不應該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同,場效應晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設計方式與雙極晶體管電路的設計方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40372 絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱
2024-01-03 15:14:22268 【科普小貼士】什么是雙極晶體管(BJT)?
2023-12-13 14:38:56400 和電子管的區別。 一、結構差異 晶體管是由半導體材料制成的,通常由nPn或pNp結構的三層雙極晶體管組成。其主要組成部分包括發射區、基極區和集電區。發射區和集電區之間有一層非金屬屏蔽層,用于控制電位。晶體管的結構通常很
2023-12-08 10:31:584971 襯底:NPN雙極晶體管的基礎是p摻雜(硼)硅襯底,上面沉積了厚氧化層(600 nm)。
2023-12-06 18:15:251250 電子發燒友網站提供《用基于三相絕緣柵極雙極性晶體管 (IGBT)的逆變器應用筆記.pdf》資料免費下載
2023-11-29 11:05:315 絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
2023-11-24 14:45:34405 和原理。它由一個晶閘管和兩個晶體管組成,其中晶體管的作用是將電流放大并控制晶閘管的導通和關斷。而IGBT是一種電壓場控型器件,其工作原理是基于絕緣柵雙極晶體管的結構和原理。它由一個絕緣柵雙極晶體管和兩個晶體管組成,其中絕緣柵雙極晶體管的作
2023-11-24 11:40:53997 來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
我在進行AD8138ARM的熱仿真,datasheet中只有結到環境的熱阻JA的數據,我需要結到外殼的熱阻Jc的數據,還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數目是多少?
2023-11-21 06:54:43
針對未來智慧功率器件和模組中需要集成實時溫度傳感功能的需求,團隊提出了一種具有空穴通道和溫度傳感功能的低導通損耗的新型載流子存儲溝槽柵雙極晶體管(HP-CSTBT)。
2023-10-25 10:53:02578 2023年10月,凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異,開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動,能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:26485 電子科技有限公司(簡稱芯派科技)成立于2008年,是一家集研發、生產和銷售為一體的高新技術企業,產品包含:中大功率場效應管(MOSFET,低壓至高壓全系列產品)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、二極管(含
2023-10-16 11:00:14
專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
柵雙極晶體管(IGBT),該晶體管專為電動汽車(EV)的正溫度系數(PTC)加熱器而設計。 新推出的AMBQ40T120RFRTH (1200V) 和AMBQ40T65PHRTH (650V
2023-09-19 16:04:38306 選型IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是電子設備設計中的重要任務,因為正確的IGBT選擇對于設備性能和可靠性至關重要。本文將介紹如何選擇適合您應用的IGBT,并解釋IGBT的關鍵特性以及如何閱讀IGBT的數據表。
2023-09-13 15:47:56921 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ,是傳統雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:291490 了解的參考。 一、晶體管輸出的特點 晶體管輸出又稱為雙極性晶體管輸出(Bipolar Transistor Output),使用PNP或NPN型雙極晶體管作為控制元件。在控制電壓作用下,通過電流調節控制晶體管的放大倍數,從而實現輸出的開關控制。 1、優點: (1)高速:晶體管
2023-08-25 15:41:311244 今天給大家分享的是:IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)
2023-08-25 09:39:182040 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應用中,二極管發揮簡單的開關功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 范圍為 10 mA – 600mA。這些都可以 PNP 和 NPN 形式獲得。
光電晶體管
這些晶體管是光敏晶體管,這種晶體管的常見類型看起來像雙極晶體管,其中該晶體管的基極引線被移除并通過光敏區域
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管,該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益,可用于麥克風輸入,第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
NTC,并有使用預涂的熱界面材料(TIM)版本。產品型號:FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低
2023-07-31 16:57:59584 增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC,并有使用預涂的熱界面材料(TIM)版本。
2023-07-28 14:22:44231 電子發燒友網站提供《800至950MHz放大器 使用HBFP-0405和HBFP-0420低噪聲硅雙極晶體管.pdf》資料免費下載
2023-07-27 14:44:080 在此方向上,青桐資本項目伙伴「量芯微半導體(GaNPower)」(以下簡稱「量芯微」)在全球范圍內率先實現1200V 硅基GaN HEMT的商業化量產,并于近日與泰克科技(Tektronix Inc.)合作進行了器件測試。
2023-07-19 16:37:301366 “晶體管”現在可以分為多種類型,每種類型具有不同的功能和結構,例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當然,它仍然是有源的,主要用于電壓/信號放大和開關控制。在本文中,工程師將解釋這種雙極晶體管是什么,以及它的原理、機制和特點。
2023-07-07 10:14:492344 達林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接,使用一對雙極晶體管結型晶體管(BJT),設計用于像統一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細信息。
2023-06-29 10:06:49747 二極管中觀察到的電容恢復特性為獨立于溫度,正向電流水平以及關斷dI/dt。在Si技術中,不切實際外延規范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設計的,以盡量減少電容電荷,從而實現更快的開關瞬變。
2023-06-16 11:42:39
高效的400-800V充電和轉換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比,SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
1200 V 絕緣體上硅(SOI)三相柵極驅動器之后,現又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列,進一步擴展其產品組合。該驅動器 IC系列的半橋配置補充了現有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03420 /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(650V&1200V)和三個系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機
2023-05-31 16:51:27636 NPN晶體管是由三個不同摻雜的半導體材料制成的電子元件,它是一種L6562ADTR雙極晶體管,是電子學中最常用的元件之一。它的名稱來源于其內部的三個摻雜區域,分別是N型區、P型區和N型區。其中,P型區稱為基區,N型區稱為發射區和集電區。NPN晶體管的基區是較薄的區域,而發射區和集電區是較厚的區域。
2023-05-31 11:52:081335 我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數據表,有人可以幫我嗎?
2023-05-30 07:40:02
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和絕緣
2023-05-20 15:19:12583 這款 10 瓦晶體管音頻放大器電路采用常規雙極晶體管元件,具有 10 瓦功率輸出。為了良好運行,該放大器電路需要高達30 VDC的20VDC電壓。
2023-05-19 17:44:111859 EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產品,用于高功率應用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機(高達10kW)。
2023-05-18 16:18:24315 新品帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅動器2ED132xS12x系列帶有集成自舉二極管和過流保護OCP的1200VSOI半橋柵極驅動器2ED132xS12x系列產品型號:2ED1321S12M2ED1322S12M2ED1323S12P2ED1324S12PEiceDRIVERSOI系列誕生了首批1200VSOI半橋產品,用于高功率應用,如商用
2023-05-18 09:42:01713 合作關系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 嗨,
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設備。整個電路工作正常,但我的 ESP 變得非常熱(超過 50 C)。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是,我認為熱量
2023-04-28 06:59:43
中,采用了羅姆的新產品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常務執行官 CFO 伊野和英(左)賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen(右) 隨著全球電動化技術的快速發展,對功
2023-04-26 15:27:11517 單結晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的?
2023-04-26 15:07:51
。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51606 差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結晶體管電路輸入振幅變大為什么會導致失真呢?是什么原因呢?
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關工藝節點和晶體管數量的信息。NXP 網站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息?
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢?
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴展模塊控制步進電機嗎?
2023-04-17 14:13:13
以下文章來源于安森美,作者安森美領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業界領先的性能
2023-04-06 16:07:10367 供應600v 15a電機igbt驅動SGT15T60SD1F可代換IKA15N60T絕緣柵雙極型晶體管,提供SGT15T60SD1F關鍵參數 ,可應用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領域,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:14:03
采用晶體管互補對稱輸出時,兩管基極之間有電容相連,為什么?c2有什么用??
2023-03-31 14:02:55
請問BJT工藝的線性穩壓源為什么多是PNP型晶體管呢?
2023-03-31 11:56:49
有沒有負觸發導通正的晶體管呢?哪位大神知道請賜教。謝謝啦!
2023-03-31 11:47:46
NPN射頻雙極晶體管
2023-03-28 18:20:52
雙極晶體管 (NPN)
2023-03-28 13:06:38
NPN射頻雙極晶體管
2023-03-28 13:03:09
雙極晶體管(PNP)
2023-03-28 12:54:36
雙極晶體管(NPN)
2023-03-28 12:54:34
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤,我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1:基極,2:發射極,3:集電極,但我需要一個晶體管,1:基極,2:集電極,3:發射極。引腳號與此圖像相關:你知道有這種封裝的晶體管嗎?我知道我可以將它倒置并旋轉,但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
1. 測定實際的電流、電壓波形 確認電流、電壓 用示波器確認晶體管上的電壓、電流。 需要全部滿足規格書上記載的額定值,特別應該確認下列項目。 特別應該確認的項目 晶體管的種類 電壓 電流 雙極晶體管
2023-03-23 16:52:27762
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