英飛凌科技股份公司,作為全球領先的半導體公司,近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29117 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術,據官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術,相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181430 **VBsemi FDFS2P106-NL-VB MOSFET芯片**- **絲印:** VBA4658- **品牌:** VBsemi- **參數:** - 2個P溝道MOSFET管
2024-03-19 14:20:45
器件型號: E2P102L-VB絲印: VBA4338品牌: VBsemi參數:- 2個P-Channel溝道- 額定電壓: -30V- 最大電流: -7A- 溝道內阻: 35mΩ @ VGS
2024-03-18 16:44:43
- Vth=-1.5V封裝: SOP8詳細參數說明:D2P02-VB是一款雙P-Channel溝道功率MOSFET,工作電壓為-30V,最大電流為-7A。其靜態漏極-源極
2024-03-16 16:36:27
英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET,滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45203 AO4701-VB 是 VBsemi 品牌的 P 溝道 MOSFET,具有以下詳細參數:- 2 個 P 溝道溝道- 工作電壓范圍:-30V- 最大連續漏極電流:-7A- 開啟電阻:35m
2024-03-13 17:19:50
電子發燒友網站提供《N溝道40 V,2.6 mOhm,160 A邏輯電平MOSFET PSMN2R5-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:58:300 電子發燒友網站提供《N溝道40 V,2.2 mOhm,180 A標準電平MOSFET PSMN2R2-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:56:390 電子發燒友網站提供《N溝道40 V,2.1 mOhm,180 A邏輯電平MOSFET PSMN2R0-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:55:140 電子發燒友網站提供《N溝道40 V,1.9 mOhm,200 A標準電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:53:300 電子發燒友網站提供《N溝道40 V,1.8 mOhm,200 A邏輯電平MOSFET PSMN1R7-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:51:470 電子發燒友網站提供《N溝道40 V,3.5 mOhm,120 A標準電平MOSFET PSMN3R5-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:50:270 電子發燒友網站提供《N溝道40 V,3.3 mOhm,120 A邏輯電平MOSFET PSMN3R2-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:46:420 電子發燒友網站提供《N溝道40 V,2.8 mOhm,160 A標準電平MOSFET PSMN2R8-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:45:020 :** P-Channel 溝道 MOSFET- **電壓等級:** -40V- **電流等級:** -65A- **導通電阻(RDS(ON)):** 10mΩ @
2024-02-20 11:15:00
產品型號: NCE40P05Y-VB絲印: VB2355品牌: VBsemi**詳細參數說明:**- 封裝類型: SOT23- 溝道類型: P-Channel- 額定電壓: -30V- 最大電流
2024-02-20 09:43:16
**產品型號:** IPD90P04P4-05-VB**絲印:** VBE2406**品牌:** VBsemi**參數:**- 封裝:TO252- 溝道類型:P—Channel- 額定電壓
2024-02-19 17:20:56
ZC3201是一款40V高精度微安級功率LDO穩壓器。只有luA的功耗使其適用于大多數高壓節電系
統。其最大工作電壓高達40V.
其他功能包括低壓差,±1%的極高輸出精度,限流保護和高紋波抑制比
2024-02-19 16:12:50
VBsemi MDS3754ARH-VB P—Channel MOSFET 參數:- 封裝:SOP8- 溝道類型:P—Channel- 最大電壓:40V- 最大電流:11A- RDS(ON):13m
2024-02-19 10:59:41
電子發燒友網站提供《LFPAK56中的N溝道40 V,1.3 mΩ邏輯電平MOSFET BUK9Y1R3-40H數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-26 09:25:320 電子發燒友網站提供《N溝道40 V,0.81 mOhm,320 A標準電平MOSFET PSMNR70-40YSN英文資料.pdf》資料免費下載
2024-01-04 14:19:310 電子發燒友網站提供《NSF040120L4A0:1200 V,40 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:26:191 電子發燒友網站提供《雙N溝道40 V,13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D(半橋配置)產品數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 14:31:020 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 概述PC5028是一款高性能的增壓器驅動N溝道MOSFET的控制器同步升壓功率級,從寬輸入電源范圍從4.5V到40V。當控制器從輸出電壓偏置控制器可以從低至啟動后1V。開關頻率可以通過編程FREQ
2023-12-25 18:23:47
型號:50P06-VB絲印:VBE2625品牌:VBsemi參數:- P溝道 MOSFET- 額定電壓:-60V- 最大持續電流:-50A- 靜態導通電阻 (RDS(ON)):20mΩ @ 10V
2023-12-20 15:07:09
型號:AM40P03-20D-T1-PF-VB絲印:VBE2317品牌:VBsemi參數:P溝道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V
2023-12-20 11:19:59
電子發燒友網站提供《NSF040L3A0:1200伏,40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:37:520 **參數:**- 溝道類型:P溝道- 額定電壓:-30V- 最大電流:-60A- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V
2023-12-18 17:31:41
型號:HAT1024R-VB絲印:VBA4338品牌:VBsemi參數說明:- **雙P溝道:** 該器件包含兩個P溝道MOSFET,電流在P溝道中流動,通常用于不同類型的應用,如電源開關等
2023-12-18 17:03:12
型號:CES2301-VB絲印:VB2290品牌:VBsemi參數說明:- **P溝道:** 該器件是一種P溝道MOSFET,電流在P溝道中流動,通常用于不同類型的應用,如電源開關等。- **工作
2023-12-18 11:45:33
型號:MMSF7P03HDR2G-VB絲印:VBA2333品牌:VBsemi參數說明:- **P溝道:** 該器件是一種P溝道MOSFET,電流在P溝道中流動,通常用于不同類型的應用,如電源開關等
2023-12-18 10:18:54
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth):-2V- 封裝:TO220應用簡介:HM70P04-VB是一款高性能P溝道MOSFET,適用于需要高電流承
2023-12-15 10:08:42
型號:FDG6316P-VB絲印:VBK4223N品牌:VBsemi參數說明:- MOSFET類型:2個P溝道- 額定電壓:-20V- 最大電流:-1.5A- 導通電阻(RDS(ON)):230m
2023-12-14 13:37:54
Ω @ 10Vgs、240mΩ @ 4.5Vgs- 閾值電壓(Vth):2V 到 4V 可調- 封裝類型:SOT223應用簡介:FQT5P10TF-VB是一款P溝道MOSFET
2023-12-13 16:15:14
(± V);-1.92Vth(V);TO252詳細參數說明:- 型號: SQD40P10-40L-GE3-VB- 功能類型: P溝道功率MOSFET- 最大電壓: -1
2023-12-13 14:24:33
:±20V- 閾值電壓:-0.83V- 封裝:SOT223詳細參數說明:FDT434P-NL-VB是一款P溝道功率MOSFET,工作電壓為-40V,工作電流為-6
2023-12-13 11:40:57
:IFNNY)順應系統層面的發展趨勢,推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
2023-12-12 18:04:37494 。
SL3061 40V/2.5A開關降壓型轉換器產品概述:SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器,工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓(6V至40V)可提供
2023-12-12 16:11:08
:P9006EDG適用于功率開關和逆變器等應用的P溝道MOSFET。其高電流承載能力和低導通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。適用領域與模塊:適用于電源開關、逆變器和功率放
2023-12-08 16:36:21
:DTU40P06適用于功率開關和逆變器等應用的P溝道MOSFET。其高電流承載能力和低導通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。適用領域與模塊:適用于電源開關、逆變器和功率放大
2023-12-06 15:17:33
本文提供了來自英飛凌的兩個文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin,其中在OptiMOS_n.sin這個單個模板中文件中包含了286個模型。
2023-12-06 11:32:46505 硬件面試中有遇到過這樣的事嗎?通常讓你畫一個增強型的MOSFET,或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 3.3V 單電源給AD8138 運放供電時,AD8138信號 輸入輸出范圍是多少?看手冊比較疑惑,
我現在的設計是:
輸入0.7v - 2.7v 的10M 單端 2v p-p 的信號,
輸出
2023-11-20 08:15:48
產品使用線性CMOS圖像傳感器,輸出 0.7v-2.7v 的10M 頻率2v p-p的單端視頻信號,準備用AD8132或者AD8138或AD4932驅動 AD9235-20 做ADC轉換,希望
2023-11-20 06:32:55
轉換器產品概述:SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器,工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓(6V至40V)可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
想用運放實現1~-40V的脈沖電源,1到-40V的時間為2us,計算SR至少要求63V/us,看了下幾款車規級高壓運放,請問下使用LT1010可以實現嗎?能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型?
謝謝!
2023-11-13 14:20:54
型號 SQD40P10-40L-GE3-VB 功能類型 P溝道功率MOSFET 最大電壓 -100V 最大電流
2023-11-09 16:05:38
型號 NCE40P40K-VB絲印 VBE2412品牌 VBsemi詳細參數說明 P溝道 額定電壓  
2023-11-09 11:26:03
地址送到P0和P2后,程序執行的時序是ALE的脈沖產生的嗎
2023-11-09 08:30:43
一般說明
PL2700是一種經濟有效、低電壓、單P-MOSFET負載開關,為自供電和總線供電的通用串行總線(USB)應用進行了優化。該開關的輸入范圍從2.4V到5.5V,使它非常適合3V和5V系統
2023-11-08 16:44:46
型號 SI4401DDYT1GE3絲印 VBA2412品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 11A 導通電阻 13mΩ@10V, 17m
2023-11-06 11:15:08
Ω @ 4.5V 額定柵極源極電壓(Vgs) 20V (±V) 閾值電壓(Vth) 1.3V 封裝類型 TO252應用簡介 2SJ245S是一款P溝道MOSFET,具
2023-11-03 15:41:20
)- 閾值電壓 -1.5Vth (V)- 封裝類型 SOP8應用簡介 P06B03LVG是一款2個P溝道MOSFET,適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有負的額定電壓和額
2023-11-02 14:42:23
型號 NTF6P02T3G絲印 VBJ2456品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 6A 導通電阻 42mΩ @10V, 49m
2023-11-02 10:16:18
型號 SQD50P0615LGE3絲印 VBE2625品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 50A 導通電阻 20mΩ @10V, 25m
2023-11-02 09:28:15
國產新風尚!WAYON維安針對PC及PC電源推出MOSFET細分產品
2023-11-01 15:10:01231 型號 MDD3754RH絲印 VBE2412品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 65A 導通電阻 10mΩ @10V, 13m
2023-10-31 16:14:45
);SOP8該產品具有以下詳細參數說明 類型 P溝道功率場效應管 最大耐壓 40V 最大漏極電流 11A 導通時的電阻(RDS(ON)) 13mΩ@10V, 1
2023-10-30 15:43:23
型號 2SJ668絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
2023-10-30 15:13:18
1.2~2.2Vth (V) 封裝類型 SOT236應用簡介 FDC6306P是一款雙P溝道MOSFET,適用于各種電源管理和功率放大器應用。它具有負的額定電壓和
2023-10-30 11:44:53
型號 AP4563GH絲印 VBE5415品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N+P溝道MOSFET 最大耐壓 ±40V 最大電流 50A/50A 導通電阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13
型號 SUD50P0408GE3絲印 VBE2412品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 65A 導通電阻 10mΩ@10V, 13m
2023-10-28 15:35:51
型號 FDD5614P絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導通電阻 61mΩ @10V, 72m
2023-10-28 11:48:41
AON6884,規格書, 設計方案,使用方法,AOS/萬代,40V雙N溝道MOSFET 一般說明,AON6884采用先進的溝槽技術以低柵極電荷提供優異的RDS(ON)。這是一個適用于大范圍
2023-10-24 15:03:33
AP64200Q 產品簡介DIODES 的AP64200Q這款是一款符合汽車標準的 2A 同步降壓轉換器,具有 3.8V 至 40V 的寬輸入電壓范圍。該器件完全
2023-10-23 19:56:00
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518 單元(ECU)市場預計將在未來幾年持續增長。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)針對這一發展趨勢,推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導體產品
2023-10-13 13:57:361132 電子發燒友網為你提供ADI(ADI)LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數據表相關產品參數、數據手冊,更有LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數據表的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2023-10-08 16:47:10
DMP4047SSDQ 產品簡介DIODES 的 DMP4047SSDQ 這款新一代 40V P 溝道增強模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時保持卓越
2023-09-15 10:01:52
DMP4047SSD 產品簡介DIODES 的 DMP4047SSD 這款新一代 40V P 溝道增強模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時保持卓越的開關性能
2023-09-15 09:54:20
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET,根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
DMP4047LFDE 產品簡介DIODES 的 DMP4047LFDE 這款新一代 40V P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時保持卓越的開關性能
2023-09-14 19:46:59
DMP4013LFGQ 產品簡介DIODES 的 DMP4013LFGQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準,受 PPAP 支持,非常適合用于:反
2023-09-14 18:15:26
IEEE802.3af 標準,輸入端允許輸入 36 至 57 VDC 的電壓,并為電路板提供 5V 的電壓。這是一個出色的解決方案,并為該小板的適用性帶來了顯著的好處。一旦我們將 P2 Pro 連接到 PoE 網絡
2023-09-13 12:21:21
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容,此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案,在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 這種40V雙電源電路是應菲律賓Michael的要求而設計的。他的應用是為此處發布的150瓦放大器電路供電。我認為這種電源設計足以達到目的。變壓器T1降低電源電壓,電橋D1執行整流,C1和C2執行濾波工作。C3和C4是去耦電容。
2023-07-18 17:41:321035 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應用:汽車
2023-07-04 20:37:240 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應用:汽車
2023-07-04 20:37:050 采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列,進一步提升比導通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 供應HY3810NA2P TO-220AB 100v耐壓mos管100V/180A N溝道增強型MOSFET,提供HY3810NA2P關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:21:45
向日葵p2插座燒了 這個紅色框位置是保險絲還是電阻?請大神支招。
2023-06-06 12:01:17
【 2023 年 5 月 12 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 *附件:power1.pdf
遇到一個電源板無法供電故障,此電源電路采用P溝道MOS限流保護設計。正常啟動時Q14柵極上電慢,低于源極,MOS管導通,經過后級U9基準和U27運放組成恒壓源電路,限制
2023-06-05 22:50:12
隨著科技的不斷進步,電子設備的功能日益強大,對功率管理的需求也越來越高。在這個快節奏的時代,我們需要一種先進的元件來滿足不同應用的電源管理需求。ASDM40P55KQ P
2023-06-05 11:09:47
在本文中,我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路,該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 MOSFET是以金屬層(M)柵極隔著氧化層(O)利用電場效應來控制半導體(S)的場效應晶體管,其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同,MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型,通常又稱為N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30691 應用: DC-DC轉換 SMPS中的同步整流 硬開關和高速電路 電動工具 電機控制 概述: PL1303N04是寶礫微推出的4開關N溝道功率MOSFET,采用QFN6*6-40L封裝。產品具有較強
2023-04-11 14:47:50513
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