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科銳推出新型碳化硅肖特基二極管

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1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:15:10

C3D20060D是一款二極管

600 V、20 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:50:38

C3D16060D是一款二極管

600 V、16 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:46:45

C3D10060A是一款二極管

600 V、10 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:39:12

C3D10060G是一款二極管

600 V、10 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:29:01

C3D08060A是一款二極管

600 V、8 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:24:29

C3D08060G是一款二極管

600 V、8 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:21:52

C3D06060A是一款二極管

600 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:17:04

C3D06060F是一款二極管

600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:14:55

C3D06060G是一款二極管

600 V、6 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:12:16

C3D04060A是一款二極管

600 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:09:36

C3D04060F是一款二極管

600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:07:08

C3D04060E是一款二極管

600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:51:09

C3D03060A是一款二極管

600 V、3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:21:52

C3D03060F是一款二極管

600 V、3 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:18:50

C3D03060E是一款二極管

600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:45:09

C3D02060A是一款二極管

600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:42:41

C3D02060F是一款二極管

600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:37:00

C3D02060E是一款二極管

600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:32:22

CSD01060A是一款二極管

 600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42

CSD01060E是一款二極管

600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:23:06

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量,可提升全負(fù)載條件下
2023-07-05 16:00:20

MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1  品牌:美浦森  封裝:DFN5*6
2023-07-05 15:54:11

MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1  品牌:美浦森  封裝:DFN5
2023-07-05 15:50:06

肖特基二極管介紹

二極管
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 22:45:55

GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變

SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39

具有溫度不變勢壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34800

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導(dǎo)體器件,具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動、逆變器、電動汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:002089

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

瀚薪科技完成B輪融資,已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬顆

根據(jù)公司披露:上海瀚薪具備多年的車規(guī)級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903

碳化硅肖特基二極管的基本原理

在典型的二極管中,p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后,你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結(jié),而不是p-n結(jié)(這是這些二極管得名的地方)。
2023-05-24 11:19:54506

麗智芯片肖特基二極管-阻容1號

本帖最后由 jf_31420921 于 2023-5-23 14:51 編輯 肖特基二極管(Schottky Diode)是一種電子器件,因其具有低電壓降和快速開關(guān)速度而廣泛應(yīng)用于電源電路
2023-05-23 14:47:57

使用SpeedFit 2.0設(shè)計模擬器快速啟動基于碳化硅的設(shè)計

了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比,作為一項相對較新的技術(shù),可視化這些碳化硅組件的性能可以幫助設(shè)計人員更輕松地利用這項技術(shù)。
2023-05-20 17:02:261014

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢

碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍。基于碳化硅肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些?

年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點
2023-05-05 17:00:1195

二極管單向?qū)щ娛侵鸽娏髦荒軓?b class="flag-6" style="color: red">二極管一端流出嗎?

二極管單向?qū)щ娛侵鸽娏髦荒軓?b class="flag-6" style="color: red">二極管一端流出嗎?單向?qū)щ姷挠猛臼鞘裁茨兀?
2023-05-05 09:49:20

正向整流二極管和反向整流二極管作用是否一樣呢?

正向整流二極管和反向整流二極管作用是否一樣呢?
2023-05-05 09:46:10

Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319

Nexperia針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

合并PIN肖特基結(jié)構(gòu)可帶來更高的穩(wěn)健性和效率 ? 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30796

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用

能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復(fù)時間接近零的特點,使得在PFC電路(功率因數(shù)校正)上的MOSFET開通損耗減少,效率得到進(jìn)一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18

C3D10065E

碳化硅肖特基二極管
2023-03-27 13:51:50

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