碳化硅功率器件市場領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比,科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性,并為能源效率建立新的標(biāo)準(zhǔn)。科銳公司最新推出的1200V Z-Rec? 碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品均采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-252 D-Pak表面貼裝封裝,提供額定電流分別為2A,5A,8A 和 10A的表面貼裝器件。科銳公司是目前世界上首家提供使用D-Pak表面貼裝封裝的可應(yīng)用于全范圍額定電流的商用1200V碳化硅肖特基二極管制造商。如太陽能微型逆變器等系統(tǒng)設(shè)計人員現(xiàn)在能擁有更多的選擇來研發(fā)出更小、更輕以及成本更低的電源轉(zhuǎn)換電路。新型表面貼裝器件以更小的 PCB 尺寸和面積,并具備與科銳 TO-220 肖特基二極管相同的性能。
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科銳副總裁兼功率和射頻 (RF) 產(chǎn)品研發(fā)部門總經(jīng)理 Cengiz Balkas 指出:“這些新型碳化硅肖特基二極管表面貼裝器件能夠以更小的尺寸和更低的板載實現(xiàn)包括零反向恢復(fù)損耗、不受溫度影響的開關(guān)、在更高頻率下工作并能夠支持低電磁干擾(EMI)信號、以及更高的浪涌額定值和電子雪崩性能等優(yōu)點。額定電流為2A的新型器件充分發(fā)揮碳化硅材料本身的優(yōu)勢,非常適合于較低功率的應(yīng)用,能夠提供最佳的性能及成本選擇。此外,具有相同尺寸和節(jié)約成本的8A 和 10A 器件則適用于更高功率的應(yīng)用中。”
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Balkas 進(jìn)一步指出:“在高效功率電子系統(tǒng)中使用碳化硅功率器件,能夠具有以更少的器件數(shù)量實現(xiàn)更高的額定電流和額定電壓等顯著設(shè)計優(yōu)勢。通過減少器件數(shù)量,設(shè)計人員能夠降低整體系統(tǒng)成本的同時,提高整體系統(tǒng)可靠性和實現(xiàn)最高效率。在全碳化硅設(shè)計中配合科銳最新系列1200V碳化硅MOSFET使用時,這些肖特基二極管使得高功率電子系統(tǒng)成為可能,其開關(guān)頻率較傳統(tǒng)以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍。在更高的開關(guān)頻率下可使用較小磁性和電容性的元件,從而可以縮減系統(tǒng)體積、降低重量和成本。”
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科銳C4D02120E系列肖特基二極管的額定電流/電壓為2A/1200V;C4D05120E系列肖特基二極管的額定電流/ 電壓為5A/1200V;C4D08120E系列肖特基二極管的額定電流/電壓為8A/1200V;C4D10120E系列肖特基二極管的額定電流為10A/1200V。所有C4DXX120E器件的工作結(jié)溫為-55°C 至 +175°C。
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科銳C4DXX120E表面貼裝肖特基二極管已經(jīng)發(fā)布并完全具備生產(chǎn)使用資格。欲了解器件的供貨情況,敬請與科銳聯(lián)系。
科銳推出新型碳化硅肖特基二極管
- 二極管(160828)
- 科銳(23529)
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⊙交流電阻
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1200V,2A-220-2包件,第4代離散S肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:19:54
C4D02120E是一款二極管
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:17:31
E4D02120E是一款二極管
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:15:10
C3D20060D是一款二極管
600 V、20 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:50:38
C3D16060D是一款二極管
600 V、16 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:46:45
C3D10060A是一款二極管
600 V、10 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:39:12
C3D10060G是一款二極管
600 V、10 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:29:01
C3D08060A是一款二極管
600 V、8 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:24:29
C3D08060G是一款二極管
600 V、8 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:21:52
C3D06060A是一款二極管
600 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:17:04
C3D06060F是一款二極管
600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:14:55
C3D06060G是一款二極管
600 V、6 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:12:16
C3D04060A是一款二極管
600 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:09:36
C3D04060F是一款二極管
600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:07:08
C3D04060E是一款二極管
600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:51:09
C3D03060A是一款二極管
600 V、3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:21:52
C3D03060F是一款二極管
600 V、3 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:18:50
C3D03060E是一款二極管
600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:45:09
C3D02060A是一款二極管
600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:42:41
C3D02060F是一款二極管
600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:37:00
C3D02060E是一款二極管
600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:32:22
CSD01060A是一款二極管
600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42
CSD01060E是一款二極管
600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:23:06
MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量,可提升全負(fù)載條件下
2023-07-05 16:00:20
MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1 品牌:美浦森 封裝:DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1 品牌:美浦森 封裝:DFN5
2023-07-05 15:50:06
GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變
SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
具有溫度不變勢壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34800
碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用
碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導(dǎo)體器件,具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動、逆變器、電動汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:002089
碳化硅MOSFET什么意思
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180
碳化硅二極管是什么
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747
碳化硅功率模組有哪些
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390
瀚薪科技完成B輪融資,已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬顆
根據(jù)公司披露:上海瀚薪具備多年的車規(guī)級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903
碳化硅肖特基二極管的基本原理
在典型的二極管中,p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后,你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結(jié),而不是p-n結(jié)(這是這些二極管得名的地方)。
2023-05-24 11:19:54506
麗智芯片肖特基二極管-阻容1號
本帖最后由 jf_31420921 于 2023-5-23 14:51 編輯
肖特基二極管(Schottky Diode)是一種電子器件,因其具有低電壓降和快速開關(guān)速度而廣泛應(yīng)用于電源電路
2023-05-23 14:47:57
使用SpeedFit 2.0設(shè)計模擬器快速啟動基于碳化硅的設(shè)計
了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比,作為一項相對較新的技術(shù),可視化這些碳化硅組件的性能可以幫助設(shè)計人員更輕松地利用這項技術(shù)。
2023-05-20 17:02:261014
碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢
碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些?
年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點
2023-05-05 17:00:1195
二極管單向?qū)щ娛侵鸽娏髦荒軓?b class="flag-6" style="color: red">二極管一端流出嗎?
二極管單向?qū)щ娛侵鸽娏髦荒軓?b class="flag-6" style="color: red">二極管一端流出嗎?單向?qū)щ姷挠猛臼鞘裁茨兀?
2023-05-05 09:49:20
Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319
Nexperia針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管
合并PIN肖特基結(jié)構(gòu)可帶來更高的穩(wěn)健性和效率 ? 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30796
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用
能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復(fù)時間接近零的特點,使得在PFC電路(功率因數(shù)校正)上的MOSFET開通損耗減少,效率得到進(jìn)一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384
碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
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