電子發燒友網站提供《雙P溝道增強型mosfet TPS1120數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:19:01
0 利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:46
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電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年，國產SiC功率器件產品迎來了全面爆發，眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品，尋求打進汽車供應鏈。而今年春節后的新一輪新能源汽車降價
2024-03-13 01:17:002631 
在通用PWM發電機中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
電子發燒友網站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:03:240 電子發燒友網站提供《60 V，P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:02:240 SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網等領域[2-9] ，展示了新技術的優良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現出巨大的應用前景，其中金屬-氧化物-場效應晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET 可應用于軌道交通和智能電網
2024-01-04 09:41:54593 
電子發燒友網站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:28:290 電子發燒友網站提供《NSF040120L4A0：1200 V，40 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:26:191 SiC具有高效節能、穩定性好、工作頻率高、能量密度高等優勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關損耗、低導通損耗、快速開關速度等特點
2023-12-27 09:34:56466 
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 怎么提高SIC MOSFET的動態響應？ 提高SIC MOSFET的動態響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 電子發燒友網站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:37:520 電子發燒友網站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:36:290 PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
2023-12-14 00:36:55
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
瑞森半導體在工業電源上的應用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結MOS，助力廠家及品牌，打造高質、高性能產品。
2023-12-11 11:56:42207 
瑞森半導體在工業電源上的應用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結MOS，助力廠家及品牌，打造高質、高性能產品。
2023-12-11 11:33:13194 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17221 
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
2023-12-06 21:55:36
近日，芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:49322 
有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關系，環境過熱會降低設備的電氣特性并導致過早失效，充分散熱、正確放置導熱墊以及確保充足的氣流對于 MOSFET 散熱至關重要。
2023-12-05 17:14:30332 SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21431 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:46210 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 
深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
2023-12-04 15:26:12293 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET與傳統硅MOSFET和 IGBT相比具有顯著優勢。SiCMOSFET很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應
2023-11-09 10:10:02333 
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關和放大電路中，可以控制電流流動并放大信號。
2023-11-03 14:56:23293 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10422 
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 額外的650和1200V SiC SBD型號滿足當今交通、可再生能源和工業系統的功率密度要求。 Bourns宣布，它在現有的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產品系列中增加了十種新的變體
2023-10-13 17:06:38866 我們知道，SiC MOSFET現階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發的導通電阻和閾值電壓等問題，最近，日本東北大學提出了一項新的外延生長技術，據說可以將柵氧界面的缺陷降低99.5%，溝道電阻可以降低85.71%，整體SiC MOSFET損耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49611 
，有助于滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴展了SBD的應用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
電子發燒友網站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:500 電子發燒友網站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 碳化硅，或SiC，作為一種半導體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應用于電源電子領域。相較于其他可用技術，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現出顯著的性能提升，為眾多電子應用帶來了新的可能性。
2023-09-15 14:22:291250 
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全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14351 在高功率應用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 14:46:53318 
談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 
據介紹，瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓(Vgs)為15-18V，可提升應用兼容性，簡化應用系統設計。在產品結構上，第二代SiC MOSFET與第一代產品同為平面柵MOSFET，但進一步優化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統效率。
2023-08-23 15:38:01703 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線，開發了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:57740 
本文作者：安森美業務拓展工程師Didier Balocco 在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現
2023-07-18 19:05:01462 
在H橋電路中實現P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389 
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538 
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
HY1908D/U/V N溝道增強型MOSFET規格書免費下載。
2023-06-14 17:04:041 三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結構，并已將其應用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統等大型
2023-06-09 11:20:09365 
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281 
當前量產主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關頻率高達幾百K赫茲，門極驅動的設計在應用中就變得格外關鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07998 
在高壓開關電源應用中,相較傳統的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優勢。
2023-05-26 09:52:33462 
與硅相比，寬禁帶半導體技術，如 Wolfspeed 的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基勢壘二極管（SBD）可為電源設計人員帶來諸多優勢。更低的傳導和開關損耗提高了效率，高頻工作有助于減小電感
2023-05-24 10:40:05546 
2023年5月8日，三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路
2023-05-11 09:26:17833 高壓SiC MOSFET的結構和技術存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區的導通電阻隨電壓等級相應增加，其他結構（溝道、JFET區等）的存在進一步提高了總導通電阻。
2023-05-04 09:43:181393 
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02813 MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 MOSFET溝道會降低溝道密度并增加RonA。現在新的內嵌式SBD結構解決了這一問題，東芝證實這種方法顯著提高了性能特征。通過將SBD按格子花紋分布，降低了SBD嵌入式SiC MOSFET的導通損耗，并
2023-04-11 15:29:18
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。
2023-04-01 09:37:171329 在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
1200V,10A,SIC SBD,TO-247AD PACKA
2023-03-27 13:53:46
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
2023-03-27 13:53:43
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:53:19
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
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PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
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PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:52:43
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:52:35
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
2023-03-27 13:52:06
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
2023-03-27 13:51:47
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:51:45
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
2023-03-27 13:51:13
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:50:58
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
2023-03-27 13:50:41
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
2023-03-27 13:50:41
1200V,20A,SIC SBD,TO-247 PACKAGE
2023-03-27 13:39:39
LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45514
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