Intel 公司和Micron Technology公司今日宣布推出NAND閃存技術(shù)新基準(zhǔn) flash technology – 世界第一款20納米、128Gb的多層單元(MLC)器件。這兩家公司還宣布其64Gb、20納米NAND器件已投入批量生產(chǎn)，進(jìn)一步提高了該兩家公司在 NAND制程技術(shù)上的領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　采用Intel和Micron合資的IM閃存技術(shù) (IMFT) 公司開(kāi)發(fā)的新款20納米、 128Gb單片器件是業(yè)界第一只能存儲(chǔ)1兆兆位(TB)數(shù)據(jù)的器件，在其僅僅指尖大小的空間內(nèi)封裝了8片裸片。新款20納米、128Gb MLC NAND器件的存儲(chǔ)容量和性能是該兩家公司現(xiàn)有20納米、 64Gb NAND器件的二倍。該 128Gb器件滿足高速ONFI 3.0規(guī)范的要求，可達(dá)到333兆/秒(MT/s)的傳輸率，為客戶提供一個(gè)更具成本效益的超薄，流線造型優(yōu)美產(chǎn)品設(shè)計(jì)，例如平板電腦、智能手機(jī)和大容量 固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等。

　　它們?cè)?0納米制程技術(shù)上取得成功的關(guān)鍵是由于采用了一種創(chuàng)新的單元結(jié)構(gòu)，其比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)能容納更大規(guī)模的單元。它們的20納米NAND器件采用 一種平面式單元結(jié)構(gòu)--這在本行業(yè)是首次采用--以克服與先進(jìn)制程技術(shù)伴隨而來(lái)的內(nèi)在困難，這使得其性能和可靠性與與上一代產(chǎn)品媲美。由于在NAND產(chǎn)品 上集成了第一Hi-K/金屬柵棧，這種平面式單元結(jié)構(gòu)成功地突破了標(biāo)準(zhǔn)NAND浮動(dòng)?xùn)诺谋壤款i。