精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

電子發燒友App

硬聲App

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統消息
      • 評論與回復
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發帖/加入社區
      創作中心
      發布
      創作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內不再提示

      電子發燒友網>新品快訊>英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

      英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

      收藏

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴

      評論

      查看更多

      相關推薦

      英飛凌發布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術

      英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
      2024-03-20 10:32:36126

      英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

      英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
      2024-03-20 10:27:29117

      英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度

      英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率
      2024-03-20 08:13:0574

      全面提升！英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC MOSFET G2

      電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
      2024-03-19 18:13:181430

      英飛凌揭曉非汽車領域MCU發展策略

      英飛凌目前正在開發 2020 年收購的前賽普拉斯半導體公司 (Cypress) 的“XMC”和“PSoC”，作為適用于工業和消費類等非汽車應用的 Arm 核心微控制器。
      2024-03-18 10:22:4743

      英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列推動汽車和工業解決方案的發展

      英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
      2024-03-15 16:31:45203

      Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

      全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
      2024-03-12 10:38:14102

      Vishay推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET

      近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
      2024-03-12 10:32:0293

      東芝推出新一代高速二極管型功率MOSFET

      東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源，展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
      2024-03-12 10:27:36255

      英飛凌推出高密度功率模塊，為AI數據中心降本增效

      隨著人工智能（AI）技術的飛速發展，全球數據生成量呈現出爆炸式增長，進而推動了芯片對能源需求的急劇上升。在這一背景下，英飛凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，旨在為AI數據中心提供卓越的功率密度、質量和總體成本（TCO）優化方案。
      2024-03-12 09:58:24226

      英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術

      在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
      2024-03-12 09:53:5297

      英飛凌與威邁斯合作為電動汽車提供快速充電服務

      在電動汽車領域，快速充電技術的創新與發展一直是行業關注的焦點。近日，全球半導體解決方案的領先者英飛凌科技與中國新能源汽車功率電子和電機驅動器制造的佼佼者深圳威邁斯新能源股份有限公司（VMAX）宣布
      2024-03-12 09:49:50115

      英飛凌推出TDM2254xD系列雙相功率模塊

      隨著人工智能（AI）技術的飛速發展，全球數據生成量呈現爆發式增長，進而推動數據中心對高效、可靠且成本優化的功率解決方案的需求日益增長。為滿足這一市場需求，英飛凌科技近日正式推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，旨在為AI數據中心提供卓越的基準性能，并有效降低總體擁有成本。
      2024-03-12 09:44:23116

      英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSi MOSFET G2

      在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
      2024-03-12 09:43:29125

      英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進一步推動碳化硅技術的發展

      碳化硅（SiC）技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術，也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。
      2024-03-12 09:33:26239

      英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術，提升電力效率與可靠性

      另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
      2024-03-10 12:32:41502

      英飛凌發布新型汽車可編程SoC

      英飛凌近期發布了搭載第五代人機界面（HMI）技術的新型汽車可編程SoC，以及汽車和工業級750V G1離散SiC MOSFET，這兩項新產品的發布進一步鞏固了英飛凌在半導體領域的領先地位。
      2024-03-08 10:52:19267

      英飛凌推出高密度功率模塊，為AI數據中心提供基準性能，降低總體擁有成本

      TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數據中心提供更佳的功率密度、質量和總體成本（TCO）。TDM2254xD系列產品融合了強大的OptiMOSTM MOSFET技術創新與新型封裝和專有磁性結構，通過穩健的機械設計提供業界領先的電氣和熱性能。它能提高數據中心的運行效率，在滿足A
      2024-03-05 13:52:10495

      意法半導體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅動器

      意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
      2024-02-27 09:05:36578

      東芝推出高速二極管型功率MOSFET助力提高電源效率

      東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
      2024-02-22 18:22:41976

      Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

      Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
      2024-02-22 17:11:08353

      英飛凌與本田合作開發汽車半導體解決方案

      來源：EE Times Asia 英飛凌科技股份公司和本田汽車有限公司簽署了一份諒解備忘錄 (MoU)，以建立汽車半導體解決方案的戰略合作。本田選擇英飛凌作為半導體合作伙伴，以協調未來的產品和技術
      2024-02-21 14:02:54103

      英飛凌與本田汽車攜手開啟戰略合作新篇章

      近日，全球領先的半導體解決方案提供商英飛凌（Infineon Technologies）與日本知名汽車制造商本田汽車（Honda）共同簽署了一份諒解備忘錄，標志著雙方正式建立戰略合作關系。此次合作將為本田汽車的未來發展注入強大動力，并進一步提升英飛凌在全球汽車半導體市場的地位。
      2024-02-03 09:46:01245

      英飛凌與格芯延長汽車微控制器長期供應協議

      英飛凌科技與格芯近日宣布了一項新的多年期供應協議，該協議涵蓋了英飛凌的AURIX? TC3x 40納米汽車微控制器以及電源管理和連接解決方案。這一合作旨在滿足英飛凌在2024年至2030年間的業務增長需求，通過鎖定新增產能，為英飛凌提供穩定的供應鏈保障。
      2024-02-02 10:30:22215

      英飛凌發布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

      英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
      2024-02-01 10:51:00381

      英飛凌零碳工業功率事業部：做更可靠的SiC解決方案提供商

      /導讀/英飛凌作為全球功率半導體市場絕對的領軍者，對全球“減碳”事業的探索也一直走在前列。2023年4月，英飛凌還將工業功率控制事業部正式更名為零碳工業功率（GIP
      2024-01-10 08:13:51152

      英飛凌榮獲年度國際功率器件行業卓越獎

      英飛凌是全球半導體領域的領導者，12月23日，英飛凌160VMOTIX三相柵極驅動器IC獲得年度國際功率器件行業卓越獎。本次評獎活動由世紀電源網舉辦，旨在通過客觀、真實、公開的評選方式，評選
      2023-12-30 08:14:04173

      英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET

      英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
      2023-12-29 12:30:49362

      AD8620BR含鉛型號的焊接溫度是多少？

      含鉛型號的焊接溫度是多少？只能查到無鉛是260℃，謝謝。
      2023-12-26 08:05:30

      AOS｜80V和100V車規級TOLL封裝MOSFET

      應用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優化功率半導體器件成為電動汽車發展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
      2023-12-15 11:26:49279

      AOS推出采用 TOLL 封裝技術的80V 和 100V 車規級MOSFET

      應用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優化功率半導體器件成為電動汽車發展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
      2023-12-14 16:55:24949

      英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

      ：IFNNY）順應系統層面的發展趨勢，推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
      2023-12-12 18:04:37494

      英飛凌IGBT模塊封裝

      英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領先的半導體公司，專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業自動化、醫療、安全和物聯網等領域。在電力管理領域，英飛凌的IGBT模塊
      2023-12-07 16:45:21469

      如何避免功率MOSFET發生寄生導通?

      如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
      2023-12-06 18:22:24522

      英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產品組合，助力實現更高效率和功率密度

      模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統
      2023-12-05 17:03:49446

      功率MOSFET雪崩特性分析

      功率MOSFET雪崩特性分析
      2023-12-04 14:12:36315

      功率MOSFET管應用問題匯總

      問題1：在功率MOSFET管應用中，主要考慮哪些參數？在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應的PCB設計，銅箔面積布設多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
      2023-12-03 09:30:40408

      英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產品組合，助力實現更高效率和功率密度

      英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
      2023-12-02 08:14:01310

      英飛凌EiceDRIVER?技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰

      碳化硅MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC
      2023-12-01 08:14:10212

      SemiQ推出采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET

      為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
      2023-11-26 16:40:46862

      功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識

      功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
      2023-11-23 09:06:38407

      AD828AR有沒有對應的無鉛器件？

      AD828AR有沒有對應的無鉛器件？型號是？ 我在[size=13.3333px]AD828的datasheet里居然沒找見，請幫忙指出在那個文檔里可以找到？具體在文檔的第幾頁？ 謝謝
      2023-11-21 08:03:01

      MOSFET創新助力汽車電子功率密度提升

      隨著汽車行業逐步縱深電氣化，我們已經創造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
      2023-11-20 14:10:06672

      首顆應用新型MRigidCSP? 封裝技術MOSFET

      日前，集設計研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出了用于電池
      2023-11-13 18:11:28219

      現代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導體長期供貨協議

      【 2023 年 11 月 7 日 ，德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與現代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導體長期供貨
      2023-11-09 14:07:51176

      英飛凌與現代汽車、起亞汽車簽署了功率半導體供應協議

      英飛凌的功率半導體對電動汽車轉型至關重要。這種轉型將帶動功率半導體市場強勁增長，尤其是基于功能硅材料（如SiC）的半導體市場。通過在馬來西亞居林擴建廠房，英飛凌將打造全球最大的8吋SiC功率半導體
      2023-11-07 11:00:57385

      車規級功率模塊封裝的現狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術需求

      1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求 2、車規級功率模塊封裝的現狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
      2023-10-27 11:00:52419

      LP4931A 三相無刷直流電機前置驅動器

      5mm × 5 mm，28-PinQFN 封裝，帶外露熱傳導墊片。該小型封裝為無鉛產品，引線框架采用 100%霧錫電鍍
      2023-10-27 09:30:29

      功率MOSFET選型的幾點經驗

      功率MOSFET選型的幾點經驗在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數和性能的，這里不作贅述，只對實際
      2023-10-26 08:02:47373

      功率MOSFET的分類及優缺點 功率MOSFET的選型要求

      在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
      2023-10-25 10:43:16765

      功率MOSFET選型的幾點經驗分享

      和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
      2023-10-25 10:42:27493

      Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品IXTY2P50PA

      Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新的產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
      2023-10-25 09:43:25402

      PC6688多節鋰電池3A/10V充電芯片ESOP10/QFN16超小體積封裝

      無過熱風險的利率可選電池溫度監測之前和充電期間的自動睡眠模式低功率過電流保護 ESOP10中的可用消耗符合RoHS，100%無鉛 功能引腳描述典型應用電路ESOP10 QFN16 應用程序便攜式
      2023-10-24 10:20:35

      英飛凌科技、現代汽車和起亞達成為期多年的Si功率半導體供應協議

      英飛凌科技、現代汽車公司和起亞公司達成了一項為期多年的SiC和Si功率半導體供應協議。英飛凌將建設并儲備制造能力，為現代/起亞提供SiC和Si功率模塊和芯片，直至2030年。現代/起亞將提供資金支持
      2023-10-23 15:40:35436

      汽車電子系統功率MOSFET的解決方案

      汽車電子MOSFET發展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關的性能。功率器件正集成到智能化車載系統中。現在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
      2023-10-20 11:44:58148

      英飛凌推出更智能的新一代胎壓監測傳感器XENSIV SP49

      據麥姆斯咨詢報道，汽車技術領導者英飛凌科技股份公司（Infineon）近日宣布推出新款創新的胎壓監測傳感器XENSIV? SP49。
      2023-10-19 14:22:14267

      Littelfuse推出800V N溝道耗盡型MOSFET CPC3981Z

      Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
      2023-10-18 09:13:28502

      功率MOSFET結構和參數解讀

      眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
      2023-10-18 09:11:42621

      英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產品陣容

      全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
      2023-10-13 16:25:12518

      英飛凌推出采用TOLx 封裝的全新車用60V和120V OptiMOS 5，適用于24 V-72 V 供電的大功率 ECU

      單元（ECU）市場預計將在未來幾年持續增長。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）針對這一發展趨勢，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導體產品
      2023-10-13 13:57:361132

      英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場

      基于碳化硅（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌科技宣布與中國的新能源汽車充電市場領軍企業英飛源達成合作
      2023-10-12 08:14:48709

      英飛凌如何控制基于SiC功率半導體器件的可靠性呢？

      英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
      2023-10-11 09:35:49686

      MOSFET功率損耗詳細計算

      MOSFET功率損耗的詳細計算
      2023-09-28 06:09:39

      如何避免功率MOSFET發生寄生導通

      如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
      2023-09-18 16:54:35590

      聊聊英飛凌的汽車模塊HybridPACK

      新能源汽車的發展蒸蒸日上，對于半導體器件的要求，不僅僅是功率半導體都提出了更好的需求。作為功率半導體行業No.1的英飛凌也給我們呈現了多樣性的發展態勢，在很多時候它充當了更多的是一個引領者的角色
      2023-09-15 09:24:181575

      搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

      繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應用在PrimePACK模塊中，再次刷新
      2023-09-14 08:16:10430

      600 - 650V MDmesh DM9快速恢復SJ功率MOSFET提高了效率和穩健性

      和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業和汽車應用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
      2023-09-08 06:00:53

      英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產品陣容

      。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
      2023-09-06 14:18:431202

      一文了解新能源汽車中包含多少種芯片

      達等） 03****功率芯片：IGBT、碳化硅、功率MOSFET 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。在新能源汽車中，中高壓MOSFET
      2023-08-25 11:32:31

      東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

      東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
      2023-08-24 11:19:10600

      功率MOSFET數據手冊技術解析

      功率MOSFET數據表參數
      2023-08-24 09:13:06552

      東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車設備實現高散熱和小型化

      東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
      2023-08-22 11:03:21557

      TOLL封裝MOSFET系列

      產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
      2023-08-16 09:17:34885

      安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率管

      隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
      2023-08-14 15:04:45367

      英飛凌StrongIRFET 2：提供高效可靠的功率開關解決方案

      TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術，它解決了廣泛的應用，如適配器，電視、電機驅動、電動滑板車、電池管理、輕型電動汽車、機器人、電源和園藝工具。
      2023-07-19 10:44:25426

      英飛凌與賽米控簽署多年期批量供應硅基電動汽車芯片協議

      據分析師預測，到2028年，采用完全或部分電氣化動力傳動系統的汽車將占汽車產量的三分之二。? 電動汽車的快速增長推動了功率半導體的需求。在此背景下，英飛凌科技股份有限公司（FSE: IFX
      2023-07-17 15:33:06316

      英飛凌與賽米控丹佛斯達成車用功率芯片供貨協議

      英飛凌汽車部門總經理Peter Schiefer表示：“作為汽車半導體領域的全球領軍人物，英飛凌為干凈、安全的乘車券提供改變格局的解決方案。今天，igbt和二極管通過電力動力系統的有效電力轉換，對電動汽車產業的轉換起到了重要的作用。
      2023-07-14 10:50:02385

      功率場效應管的基本特性，如何提高功率MOSFET的動態性能

      MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區（對應GTR的截止區）;飽和區（對應于GTR的放大區）;非飽和區（對應于GTR的飽和區）。功率MOSFET在開關狀態下工作，即截止區域和不飽和區之間的轉換
      2023-07-04 16:46:37975

      功率MOSFET基本結構：平面結構

      功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
      2023-06-28 08:39:353665

      耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產品

      功率MOSFET最常用于開關型應用中，發揮著開關的作用。
      2023-06-27 17:41:20369

      英飛凌推出新一代面向汽車應用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

      英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
      2023-06-26 13:10:00302

      行業應用||安森德SJ MOSFET產品在充電樁上的應用

      廣，不管是在居民區、商業區或是高速公路服務區，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導體功率器件和封裝領域的技術積累，研發出同類別性能優異的超級結MOSFET，具備更高性能、能效和更低
      2023-06-13 16:30:37

      英飛凌推出新一代雙通道隔離柵極驅動器IC，提升SMPS設計的系統性能

      【 2023 年 5 月 15 日，德國慕尼黑訊】 如今，3.3 kW的開關電源（SMPS）通過采用圖騰柱PFC級中的超結（SJ硅）功率MOSFET和碳化硅（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足
      2023-06-07 15:16:56561

      英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導通電阻、提升開關效率和設計魯棒性

      最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
      2023-06-06 11:01:361026

      PRISEMI芯導產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

      PRISEMI芯導產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
      2023-06-06 10:02:58824

      功率MOSFET基本結構：平面結構

      功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
      2023-06-05 15:12:10671

      分立3.3 kV SiC MOSFET關鍵指標的分析

      理由相信潮流正在轉變。正如TechInsights在不久前發布的PCIM Europe 2023 -產品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
      2023-06-03 12:30:58382

      功率模組封裝代工

      功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關元件的功率半導體產品，所述開關元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管
      2023-05-31 09:32:31287

      芯導科技推出的一系列TOLL封裝的MOSFET產品

      TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
      2023-05-26 09:52:42393

      功率MOSFET驅動保護電路方案大全

      分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全，希望能幫助大家
      2023-05-24 10:22:02

      采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機

      的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。 ? 文：英飛凌科技高級應用工程師Jorge Cerezo ? 逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。 ? 在焊機行業，諸如提高效率、降
      2023-05-23 17:14:18618

      功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現？

      功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現？怎樣實現？
      2023-05-08 16:16:27

      功率器件頂部散熱封裝技術的優勢及普及挑戰

      不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術正式注冊為JEDEC標準。
      2023-04-29 03:28:004585

      英飛凌推出業界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車電子電氣架構

      【 2023 年 4 月 25 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出業界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車電子電氣
      2023-04-26 11:10:57591

      英飛凌適合高功率應用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標準

      為了應對相應的挑戰，英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標準。
      2023-04-13 16:54:252876

      英飛凌與臺達電子簽署電動汽車合作備忘錄

      日前，英飛凌與臺達電子宣布將其長期合作范圍由工業拓展至汽車應用。同時雙方已簽署一份長期合作備忘錄，旨在深化雙方的合作與創新，為飛速增長的電動汽車市場提供更高功率密度與能源效率的解決方案
      2023-04-06 11:56:30426

      KUU推出SOT-723封裝MOSFET

      KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
      2023-04-04 16:10:39987

      已全部加載完成