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電子發燒友網>新品快訊>GT Advanced推全新MonoCast晶體生長系統

GT Advanced推全新MonoCast晶體生長系統

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3.5 固相生長晶體技術

半導體
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3.4 氣相生長晶體技術

半導體
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3.3 溶液生長晶體技術

半導體
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3.1 熔體生長晶體技術(一)

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2.5 晶體生長的動力學理論

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2.4 晶體生長的熱力學理論(下)

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2.3 晶體生長的熱力學理論(中)

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2.2 晶體生長的熱力學理論(上)

半導體
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麻省理工在硅片上直接生長晶體

新方法在整個8英寸晶圓上生長出一個光滑、高度均勻的層,而不像以前的方法,在將二維材料轉移到芯片或晶圓之前,要在其他地方生長二維材料。這一過程經常導致不完美,對設備和芯片性能產生負面影響。
2023-05-05 14:29:54696

LabVIEW中執行系統命令VI介紹

LabVIEW自帶一個執行系統命令VI(System Exec.vi),位于函數選板的“互連接口”&gt;&gt;“庫與可執行程序”&gt;&gt;“執行系統命令”
2023-04-25 11:47:495809

搭載恩智浦S32G3的廣汽埃安Hyper GT亮相2023上海車展

日前,廣汽埃安全新高端純電豪華品牌系列車型Hyper GT在2023上海車展正式亮相。仿佛穿越未來世界而來,Hyper GT擁有的不僅是科幻旋翼的炫酷金屬外觀,更具有智能硬核內在:新車基于廣汽AEP
2023-04-21 11:15:04440

紅外InAsSb探測器:符合RoHS標準,可替MCT

晶體很難均勻生長,探測器的光敏面以及不同芯片之間D*通常會發生變化,晶體生長困難增加了探測器成本;2、探測器制冷增加了尺寸和運行功耗;3、MCT含有重金屬元素汞,不符合RoHS標準。 InAsSb探測器的出現就可以很好地解決以上問題。接下來我們通過展示與
2023-04-07 07:31:05639

15A600V絕緣柵雙極型晶體管SGT15T60SD1T(F)(S)規格書參數

供應15A600V絕緣柵雙極型晶體管SGT15T60SD1T(F)(S),提供SGT15T60SD1T(F)(S)關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。&gt;&gt;
2023-04-03 15:15:382

高效太陽能電池的配體錨定誘導定向晶體生長

窄帶隙 (≈1.2 eV) Pb-Sn 合金鈣鈦礦太陽能電池是一種有前途的全鈣鈦礦串聯器件底部組件電池,有望提供比單結太陽能電池的理論Shockley-Queisser 極限更高的效率。
2023-04-01 17:25:181083

SIC碳化硅MOSFET的制造工藝

介紹了SIC碳化硅材料的特性,包括材料結構,晶體制備,晶體生長,器件制造工藝細節等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:4817

IDTP9165 Advanced 數據表

IDTP9165 Advanced 數據表
2023-03-30 19:22:570

IDTP9167 Advanced 數據表

IDTP9167 Advanced 數據表
2023-03-30 19:21:510

IDTP9122Advanced 數據表

IDTP9122 Advanced 數據表
2023-03-30 19:04:430

IDTP9120 Advanced 數據表

IDTP9120 Advanced 數據表
2023-03-30 19:04:280

STM32F103ZET6小系統

STM32F103ZET6小系統板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25

STM32F407ZGT6小系統

STM32F407ZGT6小系統板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25

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