下一代高能量密度電池有望以鋰金屬作為負極,然而金屬鋰內在問題,尤其是枝晶生長,一直是其實際應用的障礙。
2024-03-18 09:10:22193 晶棒,通常用于制造半導體材料如單晶硅,是光伏產業、集成電路等高科技領域的關鍵部件。制備晶棒是一個復雜且需要高精度的過程,主要步驟包括原料準備、晶體生長、切割和拋光等。
2024-03-13 18:10:05925 從液態的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術稱為直拉法(Czochralski)。半導體工業中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。
2024-03-12 11:15:44146 2月28日,Advanced Energy又迎來了一個激動人心的時刻 ,其電商平臺正式于AE官網上線啦!
2024-03-11 11:42:45176 在SiC晶體的擴徑生長上比較困難,比如我們有了4英寸的晶體,想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上,需要花費的周期特別長。
2024-03-04 10:45:4166 HTCVD法能通過控制源輸入氣體比例可以到達較為精準的 Si/C比,進而獲得高質量、高純凈度的碳化硅晶體,但由于氣體作為原材料晶體生長的成本很高,該法主要用于生長半絕緣型晶體。
2024-02-29 10:30:43172 連接技術是推動生成式AI從云端到邊緣側再到終端側規模化擴展的關鍵因素。作為5G技術的演進第二階段,5G Advanced不僅是向6G過渡的關鍵橋梁,也是實現“智能計算無處不在”時代的重要路徑。5G Advanced通過支持更多擴展特性,滿足了全場景下多元化的業務需求,為各個行業帶來了前所未有的機遇。
2024-02-29 09:52:39134 在外加電場作用下折射率發生變化,從而使通過晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光,并產生一根位差效應的晶體。
2024-02-27 11:09:03192 隨著全球移動市場逐步邁向5G Advanced,無線網絡對于提升用戶體驗的關鍵性日益凸顯。
2024-02-22 17:23:37660 LED倒裝芯片的制備始于制備芯片的硅晶圓。晶圓通常是通過晶體生長技術,在高溫高壓的條件下生長出具有所需電特性的半導體材料,如氮化鎵(GaN)。
2024-02-06 16:36:432621 RISC-V 的芯片都出來很久了,現在RISC-V 都有哪家公司再推啊?以后是不是一種趨勢呀?
沁恒的產品如何?
2024-02-05 22:30:29
電耦合的石英晶體材料,如AT-或SC-cut石英晶體,可以顯著提高振蕩器的相位噪聲性能。 2. 優化晶體產線制造工藝:晶體的制造工藝對噪聲性能有重要影響。通過優化晶體的生長,切割和擇優等工藝流程,可以降低內部應力和非均勻性,進而提高
2024-01-26 14:20:49147 2023年9月國星光電重磅推出全新GT1010系列產品(中文名為“星馳”),一經問世便迅速獲得了行業客戶的高度認可和好評,點燃市場“熱焰”。
2024-01-15 09:06:16240 GT301機箱搭載了ARGB(可調節RGB)照明系統,為了提供更加靈活的燈光效果,配備了ARGB控制器。本文將詳細介紹GT301機箱ARGB控制器的接口及操作方法,以幫助用戶充分發揮機箱的燈光效果
2024-01-09 11:16:03395 一旦晶體在切割塊上被定向了,我們就可以沿著切割塊的這一根軸線打磨出一個平面或缺口(具體可以見下圖所示)。
2024-01-08 09:47:22131 在晶體生長的過程中,由于某些條件的引入將會導致結構缺陷的生成。
2024-01-05 09:12:33123 阿聯酋綜合電信公司(EITC)旗下的du宣布,已聯合諾基亞在5G SA無線網現網成功完成阿聯酋首個5G-Advanced RedCap試驗。
2024-01-04 11:05:27147 浮區晶體生長是本文所解釋的幾個過程之一,這項關鍵性的技術是在歷史早期發展起來的技術,至今仍用于特殊用途的需求。
2023-12-28 09:12:07153 我們看到的半導體晶圓是從一塊完整的半導體大晶體切成出來形成的。
2023-12-25 09:28:21213 , 48mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓(Vth):-1.5V- 封裝類型:SOP8應用簡介:GT4953-VB是一款雙P溝道場效應晶體管(FET)
2023-12-22 10:45:08
晶體材料可能有兩層原子結構。首先是原子以特定的形狀排列在單個晶胞的特定的點上。
2023-12-22 10:21:17225 )已達到12英寸的尺寸。同時,其熔體的制備方法更容易制備出厚度更大的晶錠,最高可達1米以上,大大降低了單位面積的襯底成本。因此,目前的制備方法和晶體尺寸的限制導致SiC襯底的市場價格很高,嚴重限制了下游行業[5]的進一步應用。
2023-12-20 13:46:36827 S7-PLCSIM Advanced是西門子公司推出的一款PLC仿真軟件,其中“PLCSIM”是“PLC simulation”的縮寫,即“PLC仿真”。
2023-12-18 09:33:301809 在接下來的一個章節里面,我們將主要介紹用砂子制備半導體級硅的方法,以及后續如何將其轉化為晶體和晶圓片(材料制備階段),以及如何來生產拋光晶圓的過程(晶體生長和晶圓制備)。
2023-12-18 09:30:21217 單相電機啟動時如果電容壞了,用手推一下電機,電機會不會轉起來?
2023-12-18 07:33:49
隨著農業生產技術的不斷發展,監測戶外和大棚的作物生長環境確實變得至關重要。通過監測作物生長環境,我們可以及時了解土壤養分、溫濕度、光照等關鍵參數的變化,從而優化農作物的生長條件,提高產量和質量。同時
2023-12-15 13:09:13131 Crystals Group Ltd.執行總裁Yuri MAKAROV做了“利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體”的主題報告。
2023-12-09 14:47:15567 今日,真我realme舉辦新品發布會,正式推出全新旗艦——真我GT5 Pro。真我GT5 Pro搭載第三代驍龍8移動平臺以及超芯長焦影像系統,實現性能和影像的雙重越級,同時在屏幕、閃充續航、外觀設計等方面也帶來全面躍升的旗艦體驗。
2023-12-07 20:25:01707 晶體和非晶體的區別? 晶體和非晶體是固體材料的兩種基本結構形態。晶體由具有規則排列的原子、離子或分子組成,而非晶體則是由無規則排列的原子、離子或分子組成。晶體和非晶體之間存在著許多顯著的差異,包括
2023-12-07 17:03:391701 算力到影像算法等多方面展開深度聯調。合作的成果將首先體現在真我GT5 Pro旗艦新品上,該產品將首發超芯長焦影像系統,為用戶帶來全新的長焦影像體驗,引領長焦影像新拐點。 首個第三代驍龍8+IMX890長焦組合 挑戰潛望長焦畫質巔峰 作為真我realme傾心打造的全新旗艦
2023-11-26 14:29:44713 來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
"在材料科學中討論有關晶體的生長、變形、相變及性能等問題時,常需涉及晶體中原子的位置、原子列的方向(稱為晶向)和原子構成的平面(稱為晶面)。為了便于確定和區別晶體中不同方位的晶向和晶面,國際上通常用米勒指數(Miller indices)來統一標定晶向指數和晶面指數。"
2023-11-13 14:34:014261 使用攝像頭進行網絡推流
2023-11-09 00:10:30
2023-11-08 08:32:040 電子發燒友網站提供《硅單晶生長工藝.pdf》資料免費下載
2023-11-02 10:33:180 詳解SAC305錫膏在腐蝕環境的錫須生長
2023-11-01 09:19:51420 近年來,基于鈮酸鋰單晶薄膜的集成光電子器件可實現單通100G以上超高帶寬的高速光調制,已經成為國際上的研究熱點和開發的重點領域。鈮酸鋰是整個光通信世界的守門人,鈮酸鋰對于光通信來說,相當于硅在半導體行業中的地位一樣。
2023-10-22 15:06:03550 為制備適用于300 mm RF-SOI的低氧高阻襯底,團隊自主開發了耦合橫向磁場的三維晶體生長傳熱傳質模型,并首次揭示了晶體感應電流對硅熔體內對流和傳熱傳質的影響機制以及結晶界面附近氧雜質的輸運機制,相關成果分別發表在晶體學領域的頂級期刊《Crystal growth & design》
2023-10-20 14:30:45358 科友半導體8英寸碳化硅(SiC)中試線在2023年4月正式貫通后,同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產線建設,加快襯底加工設備調試與工藝參數優化。
2023-10-18 17:43:40722 電子發燒友網為你提供ADI(ADI)MAX14937: Two Channel, 5kV<sub>RMS</sub> I<sup>2</sup>
2023-10-17 19:11:42
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)MAX77962: 23V<sub>IN</sub> 3.2A<sub>OUT</sub> USB-C
2023-10-17 18:34:21
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)MAX77960B-MAX77961B: 25V<sub>IN</sub>, 3A<sub>OUT</sub>
2023-10-16 19:22:44
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)ADXL367: Micropower, 3-Axis, ±2 <em>g</em>/±4 <em>g</em>
2023-10-12 18:38:36
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)ATG2128: I <sup>2 </sup>2 </sup>C <sup/sup>CMOS 8 × 12
2023-10-10 18:59:16
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)LT3960:CAN-物理收發器數據表I <sup>2 </sup>C相關產品參數、數據手冊,更有LT3960:CAN-物理收發器數據表
2023-10-10 18:50:00
地址和串流密鑰,組合在一起,就是你的推流地址了。
回到開發板,輸入下面的命令
ffmpeg -f v4l2 -i /dev/video0 -c:v libx264 -preset ultrafast
2023-10-09 23:01:57
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)LTM8080: 40V <sub>sub>In </sub>、雙500米A或單1AUltralow噪音、超高PSRR 微模調調
2023-10-09 19:21:17
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)ADXL362:微電、3軸、2 < em>g < em>g/em>/%4 <em>g </em>
2023-10-09 19:06:25
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)LTM4702: 16V <sub>sub>In </sub>,8A Ultralow Noise Silent Switcher
2023-10-09 19:03:29
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)LTM4710-1:低V <sub>sub>IN </sub>,四八A硅開關 微模調控數據表相關產品參數、數據手冊,更有
2023-10-08 16:38:54
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)ACD5208F/ADG5209F:過失防護,-0.4 pC sub> INJ </sub > , 8:1/Dual 4:1 多車相關產品參數
2023-10-08 16:38:03
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)AD5593R: 8-通道、12Bit、可配置的ACDC/DAC(芯片參考),I <sup>2 </sup>2 </sup>
2023-10-08 16:24:25
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)AD2437: A<sup>2 </sup>B收發器數據表相關產品參數、數據手冊,更有AD2437: A<sup>2 <
2023-10-07 17:50:45
電子發燒友網為你提供ADI(ADI)LTM4658:低V<subsu>/sub>、高效率 10A相關產品參數、數據手冊,更有LTM4658:低V<subsu>
2023-10-07 17:47:30
電子發燒友網站提供《STM32G4 Advanced Timer Break功能詳解.pdf》資料免費下載
2023-09-19 15:09:041 半導體工程裝備、北方華創的主要品種是刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心技術裝備,廣泛應用邏輯部件,存儲半導體零部件、先進封裝、第三代半導體照明、微機電系統、新型顯示、新能源,襯底材料制造等工藝過程。
2023-09-18 09:47:19578 查看 rtsp 服務是否實時推流
2023-09-18 07:36:13
據了解,此次信越化學工業與OKI開發的新技術,可以在特有的基板上噴射鎵系氣體,使晶體生長。信越化學工業的增厚晶體技術與OKI的接合技術相結合,可以從基板上只揭下晶體,晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。
2023-09-08 16:31:15562 8月,天科合達開工建設位于徐州的碳化硅二期擴大生產工程,總投資8.3億元。該項目投入生產后,每年有16萬個碳化硅晶圓的生產能力。該公司已經6英寸和8英寸碳化硅制造的需要,可以滿足開發了以第五代晶體生長爐,到2024年8英寸碳化硅基片的少量供給為目標,到2025年第三季度將確保穩定的納涼。
2023-08-24 09:53:21745 報告期內,晶盛機電設備及服務營業收入610693.24萬元,同比增長71.23%。材料業務營業收入1888274.7萬元,同比增長244.17%。截至2023年6月30日,公司未完成晶體生長設備及智能化加工設備合同共277.51億元,其中半導體設備合同33.24億元。
2023-08-22 11:34:22576 原位拉曼系統實時監測半導體薄膜生長全過程前言原位拉曼系統可以實時監測半導體薄膜生長全過程,利用共聚焦拉曼光譜的“In-Situ”方式,在石英爐中原位觀察半導體薄膜生長過程,并且通過監控不同的生長因素
2023-08-14 10:02:34465 近日,傳音旗下Infinix品牌鎖定海外年輕游戲玩家,推出全新產品線GT系列,并在印度首發該系列旗艦產品GT10 Pro。作為GT系列的首款重磅產品,GT 10 Pro一經亮相,即以獨特的賽博朋克
2023-08-10 16:16:44603 晶棒的制備過程通常涉及液相或氣相生長技術。通過控制溫度、壓力和其他參數,使材料從熔融態或氣相重新結晶,逐漸生長出大尺寸的晶體棒。生長過程中,晶體結構逐漸延伸,最終形成完整的晶體棒。
2023-08-03 15:32:342281 晚于用于制造 BJT 的合金結和生長結工藝。貝爾實驗室于 1954 年開發出第一個原型擴散晶體管。最初的擴散晶體管是擴散基極晶體管。
這些晶體管仍然有合金發射極,有時還有合金集電極,就像早期的合金結晶體
2023-08-02 12:26:53
run_cmax > ./starrc_cmax.logs 2>&1中的 2>&1是啥意思?
2023-07-30 14:44:171008 IDTP9165 Advanced 數據表
2023-07-13 18:53:080 IDTP9167 Advanced 數據表
2023-07-13 18:52:000 IDTP9122 Advanced 數據表
2023-07-13 18:35:520 IDTP9120 Advanced 數據表
2023-07-13 18:35:370 8英寸SiC晶體生長的難點在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。
2023-07-05 14:59:33237 GreenPAK Advanced Development Platform 用戶指南
2023-06-30 20:59:300 ,學生和家長可實時了解植物生長過程中的環境參數,方便學生進行記錄,為種植過程中的數據提供了有力保障,同時考慮到植物生長過程中澆水的需求,設計了遠程澆水的功能,方便對植物進行澆水,本項目中設計的澆水系統為
2023-06-28 14:54:41
\\gt9xx\\gt9xx.c"(驅動用的是系統自帶的驅動代碼) 2. 電容觸控芯片GT9XX觸摸調試 2.1 調試總覽,調試步驟分析 步驟 ① 先將gt9xx驅動添加進SDK編譯規則 步驟
2023-06-13 10:47:321844 HVPE(氫化物氣相外延法)與上述兩種方法的區別還是在于鎵源,此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源,NH3為氮源,在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32276 由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實現低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經過幾十年的不斷研究,并不斷嘗試利用不同的外延生長方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 目前需要使用1126 rtsp推流,有沒有什么方向能夠減少直播過程中的延時
2023-06-08 16:40:51
碳化硅襯底 產業鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節。
2023-05-09 09:36:483426 新方法在整個8英寸晶圓上生長出一個光滑、高度均勻的層,而不像以前的方法,在將二維材料轉移到芯片或晶圓之前,要在其他地方生長二維材料。這一過程經常導致不完美,對設備和芯片性能產生負面影響。
2023-05-05 14:29:54696 LabVIEW自帶一個執行系統命令VI(System Exec.vi),位于函數選板的“互連接口”>>“庫與可執行程序”>>“執行系統命令”
2023-04-25 11:47:495809 日前,廣汽埃安全新高端純電豪華品牌系列車型Hyper GT在2023上海車展正式亮相。仿佛穿越未來世界而來,Hyper GT擁有的不僅是科幻旋翼的炫酷金屬外觀,更具有智能硬核內在:新車基于廣汽AEP
2023-04-21 11:15:04440 晶體很難均勻生長,探測器的光敏面以及不同芯片之間D*通常會發生變化,晶體生長困難增加了探測器成本;2、探測器制冷增加了尺寸和運行功耗;3、MCT含有重金屬元素汞,不符合RoHS標準。 InAsSb探測器的出現就可以很好地解決以上問題。接下來我們通過展示與
2023-04-07 07:31:05639 供應15A600V絕緣柵雙極型晶體管SGT15T60SD1T(F)(S),提供SGT15T60SD1T(F)(S)關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:15:382 窄帶隙 (≈1.2 eV) Pb-Sn 合金鈣鈦礦太陽能電池是一種有前途的全鈣鈦礦串聯器件底部組件電池,有望提供比單結太陽能電池的理論Shockley-Queisser 極限更高的效率。
2023-04-01 17:25:181083 介紹了SIC碳化硅材料的特性,包括材料結構,晶體制備,晶體生長,器件制造工藝細節等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:4817 IDTP9165 Advanced 數據表
2023-03-30 19:22:570 IDTP9167 Advanced 數據表
2023-03-30 19:21:510 IDTP9122 Advanced 數據表
2023-03-30 19:04:430 IDTP9120 Advanced 數據表
2023-03-30 19:04:280 STM32F103ZET6小系統板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
STM32F407ZGT6小系統板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
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