電子發燒友網站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 14:11:23
0 耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內部集成了開關管和同步整流管，通過它們進行電壓的轉換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過程中，該芯片通過PWM
2024-03-22 11:31:10
項目要做一個DC-DC車載電源，輸入300—1000V，輸出0—30V，功率大概2KW, 目前考慮到效率問題，想用兩級級聯的結構，前級和后級用什么拓撲比較好？
2024-03-19 14:13:37
電路和系統。
DC-DC30V降壓24V、12V、5V、3.3V/1A H4110降壓穩壓芯片
產品描述
H4110是一種內置30V耐壓MOS，并且能夠實現精確恒壓以及恒流的異步降壓型 DC-DC
2024-03-19 10:28:19
服務范圍大規模集成電路芯片檢測標準●JESD22-A103/ A104/ A105/ A108/ A110●J-STD-020●JS-001/002●JESD78檢測項目（1）芯片級可靠性驗證試驗
2024-03-14 16:28:30
蘋果公司在官網推出了新款MacBook Air，搭載高性能M3芯片，提供13英寸和15英寸兩種尺寸選擇。新款MacBook Air不僅性能卓越，還擁有出色的電池續航，最長可達18小時，滿足
2024-03-13 17:37:56
292 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在電子元件領域不斷創新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業應用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
2024-03-12 09:53:5297 在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
電子發燒友網站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:03:240 壓的應用需求。
產品特性
l內置30V耐壓MOS,支持2.5V-24V輸入
l低靜態電流：100uA
l輸出電流：16~2000mA
lPWM調光：最高頻率25KHz，分辨率可達1000：1
l輸出電流精度
2024-02-01 16:44:39
Vishay威世科技日前宣布，其光電子產品部推出了一款全集成超小型接近傳感器——VCNL36828P。這款傳感器專為提高消費類電子應用的效率和性能而設計。
2024-01-29 10:21:38283 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 深圳市港禾科技有限公司產品描述NSM2016 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級電流傳感器，其主要應用于對200A 以下的電流做隔離測量。 產品特性? 電流
2024-01-10 11:52:17
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSM201x 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級電流傳感器，其主要應用于對200A 以下的電流做隔離測量。 產品特性? 電流
2024-01-10 11:39:17
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSM201x 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級電流傳感器，其主要應用于對200A 以下的電流做隔離測量。產品特性? 電流量程多檔可選
2024-01-10 11:30:06
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSM201x 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級電流傳感器，其主要應用于對200A 以下的電流做隔離測量。 產品特性? 電流
2024-01-10 11:11:12
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSM2013 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級電流傳感器，其主要應用于對200A 以下的電流做隔離測量。產品特性? 電流量程多檔可選
2024-01-10 11:05:46
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSM201x 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級電流傳感器，其主要應用于對200A 以下的電流做隔離測量。產品特性? 電流量程多檔可選
2024-01-10 11:02:19
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSM201x 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級電流傳感器，其主要應用于對200A 以下的電流做隔離測量。產品特性? 電流量程多檔可選
2024-01-09 14:31:11
在雙電源±15V的供電的狀態下，ADG1408的模擬通道能輸入30V（相對GND）的模擬電壓嗎？
2024-01-05 12:57:40
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-1V- 封裝：SOT23**詳細參數說明：**RSR025P03TL-VB是一款P溝道MOSFET，最大耐壓為-30V，最大
2023-12-20 15:58:08
。- **工作電壓（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐壓上限，負值表示器件是P溝道。- **持續電流（ID）：** -7A，表示MOSFET可以承受的最大電流
2023-12-18 17:03:12
。- **工作電壓（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐壓上限，負值表示器件是P溝道。- **持續電流（ID）：** -6A，表示MOSFET可以承受的最
2023-12-18 10:18:54
集特推出新款龍芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 VBsemi推出絲印型號為VB2355的MOSFET型號AO3401。這款P溝道MOSFET適用于各種電路應用。其主要特點包括高達-30V的高壓容忍度和-5.6A的電流處理能力，10V時的低導通電
2023-11-23 11:58:58
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N溝道MOSFET截止，電感電流下降，電感中的能量轉移到電池中。當電感電流下降到外部電流檢測電阻設置的下限時，外置N溝道MOSFET再次導通，如此循環。當BAT管腳電壓第一次達到內部設置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
利用AD5522怎么設計一個正負30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設計出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設計一個高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內即可。
2023-11-16 06:36:14
生成式AI火爆全球之后，英偉達的AI芯片一張難求，就在英偉達重量級選手H100 AI芯片目前依然是一貨難求的情況下，英偉達推出新款AI芯片H200。 H100目前算是算力市場硬通貨，而H200則更強
2023-11-14 16:45:50916 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備
2023-11-09 15:19:57663 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 型號 20P03絲印 VBE2338品牌 VBsemi詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 26A 開通電阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型號 AP6679GH絲印 VBE2309品牌 VBsemi詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 60A 開通電阻（RDS(ON)） 9mΩ @ 10V, 12m
2023-11-06 09:41:12
型號 SI2323DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導通電阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
新潔能NCE30P12S NCE P通道增強模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S，一款卓越的P通道增強模式電源MOSFET，采用前沿的溝槽技術，盡顯卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550 新潔能NCE30P30K NCE P通道增強模式電源MOSFET TO-252-2L新潔能NCE30P30K，全新升級，為您的高電流負載應用提供強大支持！采用先進的溝槽技術和設計，民信微我們
2023-11-03 20:39:340 型號 AOD425A絲印 VBE2317品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 40A 導通電阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34:40
型號 FDS4435BZNL絲印 VBA2317品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 7A 導通電阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04:50
型號 FDD6637絲印 VBE2309品牌 VBsemi參數說明 MOSFET類型 P溝道 額定電壓(VDS) 30V
2023-11-03 11:57:26
AO4409詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 11A 導通電阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 門源
2023-11-03 11:37:23
MT4606詳細參數說明 極性 N+P溝道 額定電壓 ±30V 額定電流 9A (N溝道), 6A (P溝道) 導通電阻 15mΩ @ 10V (N溝道), 42mΩ @ 10V (P
2023-11-02 16:15:57
型號 ME4925絲印 VBA4317品牌 VBsemi參數 頻道類型 2個P溝道 額定電壓 30V 額定電流 8.5A RDS(ON) 21mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
2023-11-02 14:52:31
STM4639詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 11A 導通電阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-11-02 09:37:49
型號 AO4425絲印 VBA2311品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 11A 導通電阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型號 FDN304PNL絲印 VB2355品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V
2023-10-31 11:24:55
型號 AP2303GN絲印 VB2355品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V 門源
2023-10-30 11:14:23
VBsemi推出絲印型號為VB2355的MOSFET型號AO3401。這款P溝道MOSFET適用于各種電路應用。其主要特點包括高達-30V的高壓容忍度和-5.6A的電流處理能力，10V時的低導通電
2023-10-26 16:21:10
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內部集成兩個N溝道功率MOSFET和兩個P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內部集成振蕩器提供一對高精度互補信號，能有效確保兩路功率MOSFET驅動
2023-10-12 10:04:51
電子發燒友網站提供《BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:35:370 電子發燒友網站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:500 電子發燒友網站提供《BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:43:170 供應AP3400A N溝道 30V 5.8A MOS場效應管-mos3400規格參數，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供mos3400規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:28:260 供應AP30N03K 低結電容 30V MOS-30N03K場效應管參數，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP30N03K規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:14:000 供應AP30H80K 30V 80A N溝道MOS管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供30H80K規格書參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:52:000 供應AP30H150KA 30V 150A N溝道MOS管-30h150場效應管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP30H150KA規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:39:500 V Vishay?推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩壓器，用來提高負載點 (POL) 轉換器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
12V升30V升壓芯片AH1160是一種電子元件，可以將電壓從12V升高到30V。此芯片內置了60V NMOS升壓型LED驅動器，可以有效地驅動LED燈。該芯片的反饋電流采樣電壓為250mV，可以用來監測LED驅動器輸出電流的值。
2023-09-14 10:27:59509 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
供應AP90P03Q p溝道mos管 30v 60a絲印:90P03Q-銓力半導體代理，提供AP90P03Q規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:40:01
供應AP50P03K 35a 30v p溝道增強型mos管絲印AP50P03，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP50P03K規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:31:063 供應AP50P03K p溝道mos -30v -35a絲印:AP50P03 儲能、小家電mos管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP50P03K 規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:30:12
供應AP18P30Q -20a -30v耐壓的p型mos 絲印:18P30Q參數，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP18P30Q規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:19:590 供應AP18P30Q p溝道mos管 30v 20a 絲印:18P30Q，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP18P30Q規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:19:05
供應AP15P03Q PDFN3*3 P溝道-30v -12A vbus開關mos管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP15P03Q規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:13:54
倍加福推出新款 VOC工業事件相機 ，再次擴展工業視覺產品系列。該相機可以實現 在觸發信號前后長達 60 秒、以事件為驅動的視頻記錄 ，從而實現針對性的簡單遠程診斷以及 自動文檔記錄 。
2023-07-28 14:10:23513 在H橋電路中實現P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
一、22AP80或SS522V100是入門級DVR解決方案，能做到4路1080p@30fps編碼 +2路1080p@30fps解碼 +多路圖像分析方法智能算法；可以平替Hi3520DV510。
二
2023-06-17 18:57:03
供應mos PTS4842 30V/7.7A雙n溝道mos管，提供4842雙mos管規格書及關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:46:251 供應PTS4842 MOS場效應管-30V/7.7A雙N溝道高級功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:45:17
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業內先進水平 Vishay? 推出一款業內先進的新型汽車級光伏 MOSFET 驅動器
2023-06-08 19:55:02374 
*附件：power1.pdf
遇到一個電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護設計。正常啟動時Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導通，經過后級U9基準和U27運放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
亮鉆推出新款核心板Y-3566，其采用四核Cortex-A55內核的瑞芯微RK3566處理器，主頻可達1.8GHz。郵票孔接口設計，支持8GB大內存，集成最高1Tops AI算力的NPU，為用戶提供“嵌入式”+“AI”解決方案平臺。
2023-05-17 15:57:27965 
上海數明半導體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅動器 SiLM27624 系列，支持高達 30V 的輸入電源供電，滿足更高的驅動電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438 
請問CANbus至RS232協議轉換器能夠用30V電壓的電源嗎？
2023-05-09 11:03:26
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
IU5180集成30V的OVP功能，3A充電電流1~4節鋰電池，升降壓充電芯片
2023-04-19 20:49:56630 
IU5180集成30V的OVP功能，3A充電電流1~4節鋰電池，升降壓充電芯片
2023-04-19 20:49:374 MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
-30V P溝道MOSFET
2023-03-28 12:55:19
30V P溝道MOSFET
2023-03-27 11:54:35
LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45514
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