Diodes 公司推出一款符合汽車規格* 的新型線性 LED 驅動器，讓用戶能獨立控制三個通道的亮度和色彩。
2024-03-12 14:38:31
640 【2024 年 03月 11日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款符合汽車規格* 的新型線性 LED 驅動器，讓使用者能獨立控制三個通道的亮度
2024-03-12 14:30:46195 
意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
Diodes公司近日宣布推出三款符合汽車標準的新型雙通道高側電源開關，分別為ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS82180S14PQ。這些新品進一步豐富了其IntelliFET自我保護型MOSFET產品組合，為汽車行業帶來了更強大的電源管理解決方案。
2024-02-03 11:03:25347 【 2024 年 1 月 31 日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽車標準的雙通道高側電源開關 — ZXMS82090S14PQ
2024-02-01 18:01:201090 
漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區別。 首先，讓我們一起了解一下MOSFET
2024-01-31 13:39:45300 真我Note50發布 搭載紫光展銳T612芯片組 日前真我手機首款Note系列機型真我Note 50正式發布，真我Note50售價是3599菲律賓比索，約合人民幣459元。值得我們肯定的是，真我
2024-01-25 17:31:49237 根據簽署的協議，國芯科技的一級總代文芯科技與代理經銷商諾信微簽訂了共計50萬顆芯片的銷售合同，其中包括CCFC3008PTT64B2和CCFC3008PTT64B4兩種IC芯片各25萬顆。這批產品當前正在由諾信微進行采購與銷售活動。
2024-01-23 11:35:21329 請問一下ADP1850/ADP1851 外部的DL/DH MOSFET為什么需要各擺2顆MOSFET,主要用途為何?為什么需要DL/DH需要各擺2顆?就以ADP1850的BSC0902NS
2024-01-09 07:33:10
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 將 AH371xQ 系列高電壓霍爾效應鎖存器加入產品組合。
2024-01-05 13:52:22334 目前在使用上發現三例功率MOSFET（SIR442DP） Q5損壞且芯片EXTVCC管腳與GND短路
損壞后的MOSFET呈以下特性
：1、用萬用表二極管檔測量：VDD-S 為無窮大，VDS-D
2024-01-05 07:30:21
研究人員首次在標準芯片上放置光子濾波器和調制器 來源：Spectrum IEEE 悉尼大學納米研究所的Alvaro Casas Bedoya（手持新型光子芯片）和Ben Eggleton。 悉尼大學
2023-12-28 16:11:03206 近日，“芯向亦莊”汽車芯片大賽在北京圓滿落幕，此次大賽吸引了來自全國各地的優秀汽車芯片企業參加。經過激烈的角逐，睿創微納憑借著卓越的技術實力和市場表現，最終榮膺“芯向亦莊·2023汽車芯片50強”。
2023-12-28 15:19:20323 在北京市舉辦的“芯向亦莊”汽車芯片大賽中，瑞芯微的RK3588M旗艦級車規芯片憑借其卓越的性能和高度的市場認可度，榮獲了“2023汽車芯片50強”的榮譽。這無疑是對瑞芯微在汽車芯片領域的技術實力和市場影響力的肯定。
2023-12-28 15:14:12392 SiC具有高效節能、穩定性好、工作頻率高、能量密度高等優勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關損耗、低導通損耗、快速開關速度等特點
2023-12-27 09:34:56466 
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03356 MOSFET的并聯使用
2023-12-19 09:40:33308 
IBM 的新型模擬內存芯片證明了 AI 操作的性能和能源效率都是可能的。
2023-12-18 10:09:30268 帝奧微DIA57100榮登“2023汽車芯片50強”榜單 日前由北京市科學技術委員會、北京市經濟和信息化局指導，北京經濟技術開發主辦，蓋世汽車承辦的“芯”向亦莊--2023汽車芯片產業大會在北京圓滿
2023-12-17 17:28:481039 
目前想設計一個關于MOSFET的DG極驅動方案，存在問題為MOSFET可以正常開通，但無法關斷，帶負載時GS極始終存在4V電壓無法關斷MOSFET 。
電路圖如下：
空載時，GS極兩端電壓：
是可以
2023-12-17 11:22:00
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16410 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數在數據手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內。
2023-12-13 11:40:56890 
恩智浦的 電池管理芯片DNB1168 (應用于新能源汽車BMS系統) 憑卓越的性能及高市場認可度 榮獲 “芯向亦莊”2023汽車芯片50強! 2023“芯向亦莊”汽車芯片大賽，此次大賽有近百家企業入圍，約數十萬行業人士關注，由北京市科學技術委員會、北京市經濟和信息化局
2023-12-11 15:06:54263 
在剛剛結束的“芯向亦莊”汽車芯片大賽上，Melexis憑借高性能線性行程磁位置傳感器芯片榮獲“2023汽車芯片50強”。
2023-12-08 13:59:13250 2023年11月28日，瞻芯電子在北京舉辦的“芯向亦莊”汽車芯片大賽中脫穎而出，憑借其車規級碳化硅(SiC)MOSFET產品的卓越性能和創新特點，榮獲“汽車芯片50強”獎項，展現了瞻芯電子在汽車芯片
2023-12-01 13:41:19241 
2023年11月28日，瞻芯電子在北京舉辦的“芯向亦莊”汽車芯片大賽中脫穎而出，憑借其車規級碳化硅(SiC)MOSFET產品的卓越性能和創新特點，榮獲“汽車芯片50強”獎項，展現了瞻芯電子在汽車芯片領域的技術水平和發展潛力。
2023-12-01 09:56:581018 加拿大蒙特利爾 - 11月27日 - 全球知名的電子元器件分銷商富昌電子最近榮獲 Diodes 公司頒發的2023年最佳全球分銷商獎。 Diodes公司是全球領先的高品質模擬、分立、邏輯和混合信號
2023-11-30 15:52:51131 
原文標題：紫光同芯榮獲“2023汽車芯片50強”稱號 文章出處：【微信公眾號：紫光同芯】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
2023-11-30 14:25:02217 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI D-PHY 1.2 協議的信號 ReDriver。
2023-11-30 14:04:49370 NEWS獎項：2023汽車芯片50強2023年11月28日，由北京市科學技術委員會、北京市經濟和信息化局指導，由北京經開區管委會主辦，蓋世汽車承辦，國家新能源汽車技術創新中心提供支持
2023-11-30 08:15:30558 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 熱 烈 祝 賀 捷報頻傳 再獲佳績 揚杰科技榮獲“2023汽車芯片50強” 捷報頻傳，再獲佳績！2023年11月28日，由北京市科學技術委員會、北京市經濟和信息化局指導，由北京經開區管委會主辦，蓋世
2023-11-29 16:20:01305 
2023年11月28日，“芯向亦莊”汽車芯片大賽頒獎典禮在北京隆重舉行，國民技術N32A455車規MCU憑借其高性能、高集成、高可靠、硬件安全等獨特優勢以及出色的市場表現，成功入選“2023汽車芯片50強”。
2023-11-29 15:07:13524 Diodes的反激電源控制器芯片AP3302，AP3302是一款峰值電流控制，準諧振(QR) PWM控制器，針對高性能，低待機功率和低成本的離線反激變換器進行了優化。在空載或輕載時，IC將進入突發模式，以最大限度地降低待機功耗。設置最小開關頻率(約22kHz)以避免可聽噪聲。
2023-11-23 08:27:01205 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區別? MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種現代電子器件，常用于電子電路中的開關和放大器。它的工作原理與JFET（結型場效應晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 管理應用的 MRigidCSP? 封裝技術。AOS首顆應用該新型封裝技術的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實現在降低導通電阻的同時提高CSP產品的機械強度。這項新升級
2023-11-13 18:11:28219 
金氧半場效晶體管（MOSFET）憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時電子指南將詳述這類晶體管的工作機制，并提供關于使用和選擇恰當MOSFET類型的實用建議。
2023-10-26 10:36:16481 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新的產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 （BCM）下工作，以簡化EMI/EMC設計和測試，以滿足最新的監管標準。AL1697具有內置MOSFET解決方案，通過消除輔助繞組和外部高壓MOSFET的需要，降低了材料清單（BOM）成本。AL1697
2023-10-12 15:09:18
的隔離電源。
VPS8702內部集成兩個N溝道功率MOSFET和兩個P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內部集成振蕩器提供一對高精度互補信號，能有效確保兩路功率MOSFET驅動的高度對稱性
2023-10-12 10:23:07
1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內部集成兩個N溝道功率MOSFET和兩個P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內部集成振蕩器提供一對高精度互補信號，能有效確保兩路功率MOSFET驅動
2023-10-12 10:04:51
、輸出功率1~2W的隔離電源。
VPS6501芯片內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在工作過程發生偏磁。芯片內部設計有高精度的死區控制電路確保在各種工作條件下不出現共通現象。
2023-10-12 09:52:32
、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8505芯片內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在
2023-10-12 09:49:26
、輸出功率13W的隔離電源。
VPS8504C內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在工作
2023-10-12 09:43:02
輸出、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8504B內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在
2023-10-12 09:30:19
本帖最后由 hzeeng 于 2023-12-1 00:40 編輯
Si3262是一款高度集成的低功耗SOC芯片，其集成了基于RISC-V核的低功耗MCU和工作在13.56MHz的非接觸式
2023-10-08 16:01:27
BW3598-50B1 是一款高度集成的模塊，支持 2T2R 802.11 a/b/g/n/ac，帶有無線局域網 (WLAN) SDIO3.0 接口控制器和藍牙 5.2 HS-UART 接口控制器
2023-09-28 10:26:05663 在過去的十幾年中，大功率場效應管引發了電源工業的革命，而且大大地促進了電子工業的發展。由于MOSFET管具有更快的開關速度,電源開關頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
電子發燒友網站提供《BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:35:37
0 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出一款適用于各種車用 LED 產品應用的升壓/單端初級電感轉換器 (SEPIC) 控制器。
2023-09-26 14:13:26586 這個50瓦音頻放大器電路電子項目使用TDA7850集成電路設計，這是一種非常簡單的AB類功率放大器，采用MOSFET技術設計，僅使用很少的外部元件。
50 瓦音頻放大器電路通常必須由 14.4 伏
2023-09-08 17:05:37
MOSFET處于導通狀態下的阻抗。導通阻抗越大，則開啟狀態時的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 
為何華為P50系列采用5G芯片卻是4G手機？? 隨著5G時代的到來，越來越多的手機在設計中采用了5G芯片，華為P50系列作為華為旗下的新品，也使用了5G芯片。但是，卻引起了許多人的疑惑，為何華為
2023-09-01 16:12:462543 功率半導體自20世紀50年代開始發展起來，至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產品體系。新技術、新產品的誕生拓寬了原有產品和技術的應用范圍，適應更多終端產品的需求，MOSFET同樣衍生出GaN，SiC新型材料的產品去覆蓋更高功率密度、更高電壓、以及高開關速度的應用場景。
2023-08-31 14:14:071044 
**華為p50搭載的是高通驍龍888 4G芯片，** 高通驍龍888 4G芯片基于三星5nm制程工藝，集成了一個2.84GHz的全新ARM Cortex-X1超大核，三個2.4GH在A78中核，四個1.8GHz A55小核。GPU是Adreno 660性能提升了35%。
2023-08-31 10:06:412252 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
全志A40和A50的區別 全志是一家致力于開發和銷售中小尺寸智能多媒體芯片的公司，其在市場上推出了眾多的芯片產品，其中包括全志A40和A50。這兩款處理器都是基于ARM Cortex-A7架構
2023-08-16 11:16:191413 碳化硅（SiC）技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統，SiC MOSFET就能為許多行業的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環境中運行的應用。
2023-08-16 10:28:21656 50瓦Mosfet放大器的第一級是基于晶體管Q1和Q2的差分放大器。電容器 C8 是直流輸入去耦，C1 R1 限制輸入電流，并且電容器旁路不需要的高頻。第二級由導頻相晶體管Q3和Q4組成。輸出級是基于MOSFET IRF9530和IRF530的互補推挽級。
2023-08-11 17:44:50978 
隨著國內對碳化硅技術的日益重視和不斷加大的研發投入，國內碳化硅MOSFET芯片設計的水平逐步提升，研究和應用領域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49853 
對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 據供應鏈消息，英偉達特供的A800和H800芯片已經從原來的12萬人民幣左右，漲至了25萬甚至30萬，甚至有高達50萬一片。
2023-08-01 11:38:14893 碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統，SiC MOSFET就能為許多行業的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環境下運行的應用。
2023-07-21 11:42:14623 MOSFET是電路中非常常見的元件，常用于信號開關、功率開關、電平轉換等各種用途。由于MOSFET的型號眾多，應用面廣，本文將詳細介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:44734 DMWSH120H28SM4Q 可在最高 1200VDS、+15/-4Vgs 的條件下運作，且在 15Vgs 時具有較低的 20mΩ (典型值) RDS(ON)。此MOSFET 適用于其他 EV
2023-07-20 15:43:45374 7月5日，榮耀重磅發布了榮耀X50暨全場景新品，其中榮耀X50主屏幕搭載了集創北方OLED顯示驅動芯片ICNA3512。
2023-07-19 16:02:16834 京微齊力的新型加速芯片是將FPGA、CPU、AI等多種異構計算單元集成在同一個芯片上，采用了領域自適應與邏輯可重構的計算模式，具有“軟件可編程、硬件可重構”的特性。
2023-07-12 09:56:49442 シリコン NチャネルMOSFET シリーズ 電力スイッチング
2023-07-07 19:38:430 三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結構，并已將其應用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統等大型
2023-06-09 11:20:09365 
當前量產主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 這篇文章解釋了一種高度穩壓的 DIY 實驗室級電源，具有雙 0-50 伏電壓。電壓和電流范圍分別在 0 至 50 V 和 0 至 5
安培之間獨立變化。
2023-05-26 17:11:56494 
MOSFET(MOS管)中的“開關”時間可以改變電壓嗎？
2023-05-16 14:26:16
天線發出的電波向下傳輸到地面，并被地面垂直反射回去，在向上傳播回天線的過程中，會產生一個感應電壓。由該感應電壓導致的感應電流的相位和幅度取決于天線與反射面之間的高度。
天線中總的電流由兩個
2023-05-15 17:19:59
Diodes 公司（Diodes） （Nasdaq：DIOD） 宣布推出同步降壓轉換器產品組合的新產品。AP62500和AP62800 的連續輸出電流額定值分別為5A 和8A，讓工程師在開發針對效率或尺寸進行優化的負載點（POL） 解決方案時，更具彈性。
2023-05-15 16:11:29556 該 50 W Mosfet 放大器電路包括一個由 Q1 和 Q2 組成的差分放大器。用作去耦電容C8，以便不超過直流電壓。而C1和R1將去除不需要的高頻。
2023-05-13 17:31:391953 
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現？怎樣實現？
2023-05-08 16:16:27
我正在嘗試使用 ESP-01 驅動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
溝槽柵結構是一種改進的技術，指在芯片表面形成的凹槽的側壁上形成MOSFET柵極的一種結構。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區
2023-04-27 11:55:023035 
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 近日，兆元光電在企查查披露了“一種可導熱的MiniLED芯片”的新型實用專利申請現狀。
2023-04-01 14:20:491381 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關用于數據輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數據嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
為什么60hz的整流器比50hz的有時候在線圈匝數上要少呢？是什么原因呢？
2023-03-24 10:13:44
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