電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 15:27:07
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 14:17:130 除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN 之前無(wú)法支持的電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-03-15 17:58:13
819 
STDRIVEG600驅(qū)動(dòng)GAN逆變器時(shí)候，在某一拍出現(xiàn)控制信號(hào)丟失，導(dǎo)致電機(jī)電流出現(xiàn)跌落情況
上圖紫色的是電機(jī)電流，青色的是上管的PWM給定信號(hào)，黃色的是經(jīng)過(guò)了GAN開關(guān)管驅(qū)動(dòng)
2024-03-13 06:14:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實(shí)也只有六七年的歷史，從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號(hào)角。目前，從晶體管來(lái)看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:001843 最高頻率(MHz)：14500最高值輸出功率(W)：25增益值(dB)：26.0工作效率（％）：16額定電壓(V)：40類型：封裝的MMIC封裝類別：法蘭盤技術(shù)：GaN-on-SiC深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司授權(quán)經(jīng)銷CREE微波器件，如若需要購(gòu)CREE產(chǎn)品，請(qǐng)點(diǎn)擊右側(cè)客服聯(lián)系我們！！！
2024-02-27 14:09:50
有功功率是指交流電路中實(shí)際消耗的功率，它是電路中的負(fù)載元件消耗的功率。在交流電路中，電流和電壓不是同相的，所以有功功率是通過(guò)電流和電壓的乘積來(lái)計(jì)算。 有功功率主要由電阻性元件消耗，包括電阻器、電燈泡
2024-02-27 09:28:33238 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購(gòu)GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購(gòu)了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001550 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）充電樁市場(chǎng)隨著高壓直流快充的推廣，在一些400kW以上的充電樁中已經(jīng)采用了SiC功率器件。同為第三代半導(dǎo)體的GaN，由于在高頻應(yīng)用上的優(yōu)勢(shì)，一些廠商也在推動(dòng)GaN進(jìn)入到
2024-02-21 09:19:283847 BUCK電路元件的耐壓值該如何正確選擇？ 選擇BUCK電路元件的耐壓值是設(shè)計(jì)和應(yīng)用電路的重要一環(huán)。耐壓值的選取直接影響到電路的可靠性、性能和壽命。在進(jìn)行正確的耐壓值選擇時(shí)，需要考慮多個(gè)因素，包括輸入
2024-01-31 16:11:22121 瑞薩電子近日宣布了一項(xiàng)重大收購(gòu)，以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)美國(guó)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm。這次收購(gòu)總額為3.39億美元，相當(dāng)于24.34億元人民幣。相比1月10日的收盤價(jià)，此次收購(gòu)溢價(jià)約35%。
2024-01-23 15:53:21232 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳
2024-01-19 15:39:36301 此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元（約合人民幣24.27億元）。此次收購(gòu)將為瑞薩提供GaN（功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料）的內(nèi)部技術(shù)。
2024-01-19 11:32:57129 瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布，雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Transphorm，這一價(jià)格較Transphorm在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%，總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:33234 偉詮電在氮化鎵（GaN）快充市場(chǎng)迎來(lái)了新的機(jī)遇，因?yàn)槿毡炯稍O(shè)備制造商（IDM）瑞薩公司近期宣布成功收購(gòu)美國(guó)GaN廠商Transphorm。這對(duì)偉詮電來(lái)說(shuō)意味著未來(lái)或?qū)⑦~入瑞薩供應(yīng)鏈，進(jìn)一步加強(qiáng)
2024-01-16 18:43:46506 在科技領(lǐng)域的巨浪中，瑞薩電子以35%的溢價(jià)宣告了一項(xiàng)重磅收購(gòu)。1月11日，瑞薩電子正式宣布與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm達(dá)成最終協(xié)議，按照協(xié)議的規(guī)定，瑞薩電子的子公司將以每股
2024-01-12 14:54:25361 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股
2024-01-12 14:11:58267 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議
2024-01-11 18:17:32865 新設(shè)計(jì)工具有助于加速兩輪電動(dòng)車市場(chǎng)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，并幫助系統(tǒng)工程師充分利用SuperGaN FET的優(yōu)勢(shì) ? 2023 年 12 月 21 日 －全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商
2023-12-27 17:39:22130 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 SGN2729-600H-R型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R為s波段雷達(dá)應(yīng)用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆蓋2.7至2.9 GHz，工作電壓為50V
2023-12-17 10:56:07
專為大功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，有助于加速氮化鎵半導(dǎo)體在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN
2023-12-12 18:03:10179 小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
SGN2933-600D-R 型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆蓋2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達(dá)脈沖
2023-12-11 13:25:59
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
、SL3061芯片介紹
SL3061是一款高性能的功率MOS管芯片，內(nèi)置MOS管，具有2.5A的電流能力，耐壓40V。它采用先進(jìn)的工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)理念，具有高效率、低功耗、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。此外
2023-11-13 15:24:19
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對(duì)功率GaN公司GaN Systems的收購(gòu)，成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收購(gòu)，這筆收購(gòu)的價(jià)值甚至比2022年整個(gè)功率
2023-11-10 00:24:001758 
? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來(lái)、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23619 
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電壓下可以降低導(dǎo)通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293605 
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關(guān)技術(shù)。InnoSwitch3-EP 1250V?IC
2023-10-31 16:54:481866 －通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)電路板尺寸－ ? 中國(guó)上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品，適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657 
，往往需要更高的耐壓能力，以確保電路的正常運(yùn)行和安全性。因此，電感器的耐壓值就顯得尤為重要。 1.電感器的耐壓值 通常來(lái)說(shuō)，電感器的耐壓值（常稱電壓強(qiáng)度）是指電器元件在規(guī)定時(shí)間下能夠承受的最大電壓值。在電路中，通
2023-10-24 10:04:481450 功率器件：Power Integrations推出的PowiGaN技術(shù)是業(yè)界首款GaN-on-Sapphire功率IC，已經(jīng)在手機(jī)快充上大量出貨。國(guó)內(nèi)蘇州捷芯威也推出了藍(lán)寶石基氮化鎵高壓保護(hù)開關(guān)器件，單管耐壓2000V
2023-10-18 15:59:201 電力系統(tǒng)的未來(lái)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，DAH Solar Co., Ltd.的世界首個(gè)集成型光伏（PV）系統(tǒng)采用
2023-10-16 16:34:15246 
Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強(qiáng)大的GaN功率半導(dǎo)體（下一代電力系統(tǒng)的未來(lái)）領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導(dǎo)通電
2023-10-12 16:40:56250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模塊SPE10S60F-A（600V/10A）的波輪洗衣機(jī)控制方案，F(xiàn)U6813是一款集成電機(jī)控制引擎(ME)和8051內(nèi)核的高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用芯片，內(nèi)置高
2023-09-20 17:03:22
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來(lái)其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25657 
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過(guò)較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
Transphorm在公告中表示，他們的氮化鎵將被用于大恒能源的Solar Unit產(chǎn)品線，GaN器件可以實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更可靠的太陽(yáng)能系統(tǒng)，同時(shí)還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量。Transphorm還表示，氮化鎵技術(shù)在全球光伏領(lǐng)域的市場(chǎng)空間將超過(guò)5億美元。
2023-08-30 16:42:34826 
與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果，充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺(tái)的基本優(yōu)勢(shì)。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 日 － 新世代電力系統(tǒng)的未來(lái)，氮化鎵（GaN
2023-08-28 13:44:35154 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無(wú)刷電動(dòng)機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
Yaskawa企業(yè)技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理Motoshige Maeda表示：“如果功率半導(dǎo)體器件無(wú)法承受短路事件，系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認(rèn)為GaN功率晶體管無(wú)法滿足像我們這樣的重載電力應(yīng)用所需的短路要求。
2023-08-14 11:47:32345 650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅(qū)動(dòng)IC，提供ID7U603規(guī)格書關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:11:044 供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:10:05
同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻，以應(yīng)對(duì)較高的功率需求，并保證能量傳輸?shù)男省＠纾?b class="flag-6" style="color: red">功率晶體管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模塊屬于典型的功率元件。
2023-06-30 16:28:141019 圖1所示電路顯示了一個(gè)電路，其中低壓微控制器與高壓域（包括輸出開關(guān)及其柵極驅(qū)動(dòng)器）電氣隔離（出于安全原因）。更快的開關(guān)速度意味著更快的開關(guān)瞬變。例如，GaN功率系統(tǒng)的開關(guān)時(shí)間通常為5ns（比傳統(tǒng)
2023-06-28 14:33:33275 
測(cè)試平臺(tái)實(shí)物圖
基于GaN器件的半橋電路測(cè)試平臺(tái)，我們對(duì)三安集成的200V 20mΩ GaN EHEMT進(jìn)行了相關(guān)測(cè)試。Class D功率電路的核心為逆變電路，而逆變拓?fù)鋵?shí)則為各種頻率的脈沖調(diào)制波控制下
2023-06-25 15:59:21
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
用于無(wú)線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計(jì)
2023-06-21 07:35:15
GaN功率集成電路技術(shù):過(guò)去，現(xiàn)在和未來(lái)
2023-06-21 07:19:58
年 6 月 15 日 – 新世代電力系統(tǒng)的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案
2023-06-19 17:47:16337 氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。 該器件
2023-06-16 18:25:04267 
為了滿足數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的需求，對(duì)電源的需求越來(lái)越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構(gòu)造了一個(gè)1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過(guò)對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來(lái)的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源
2023-06-02 13:54:07395 非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場(chǎng)比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057 
電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號(hào)電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這些因素往往給準(zhǔn)確預(yù)測(cè)器件大信號(hào)性能造成更多困難。
2023-05-24 09:40:011374 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463 0402元件改成0201甚至01005除了耐壓、精度、貼片工藝 還需要注意哪些細(xì)節(jié)
2023-05-05 18:29:34
GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時(shí)和部件數(shù)量，并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
您可以通過(guò)多種方式控制GaN功率級(jí)。LMG5200 GaN 半橋功率級(jí)的 TI 用戶指南使用無(wú)源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動(dòng)它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動(dòng) LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41962 
供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:39:344 供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:24:105 供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:15:592 供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:02:491 供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:48:131 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410
2023-04-03 09:43:321166 
900V耐壓的GaN器件，為汽車、工業(yè)及家電類應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)選擇。 伴隨著日益增加的功率需求，負(fù)載范圍內(nèi)更高的效率以及不斷升高的供電電壓的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，汽車、工業(yè)及家電類應(yīng)用越來(lái)越需要高性能、高可靠性
2023-03-30 11:48:45562 NUT/SCREWDRIVERSETW/HANDLE2PC
2023-03-29 21:00:14
TRANSISTOR GAN 600W
2023-03-29 14:25:16
逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
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