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2024-03-22 14:11:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙P溝道增強型mosfet TPS1120數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:19:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單P溝道增強型mosfet TPS1100數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:13:590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V,雙N溝道溝槽MOSFET BSS138AKS-Q產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-02-21 13:58:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V,雙N溝道溝槽MOSFET 2N7002AKS-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 13:57:090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道80 V,1.2 mOhm,標準級MOSFET LFPAK88數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 10:04:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道80 V,2.4 mOhm,標準級MOSFET BUK7J2R4-80M數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 10:03:150 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,2.6 mOhm,160 A邏輯電平MOSFET PSMN2R5-40YLB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:58:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,2.2 mOhm,180 A標準電平MOSFET PSMN2R2-40YSB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:56:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,2.1 mOhm,180 A邏輯電平MOSFET PSMN2R0-40YLB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:55:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,1.9 mOhm,200 A標準電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:53:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,1.8 mOhm,200 A邏輯電平MOSFET PSMN1R7-40YLB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:51:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,3.5 mOhm,120 A標準電平MOSFET PSMN3R5-40YSB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:50:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,3.3 mOhm,120 A邏輯電平MOSFET PSMN3R2-40YLB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:46:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,2.8 mOhm,160 A標準電平MOSFET PSMN2R8-40YSB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:45:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道,100 V,1.09 mOhm,具有增強SOA的MOSFET 在CCPAK1212i包中目標數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:57:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NextPower 100 V,1.04 mOhm,N溝道MOSFET CCPAK1212i包目標數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:55:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道MOSFET CCPAK1212包PSMN1R0-100ASF目標數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:53:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V,雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:03:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V,P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:02:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道80 V,3.1 mOhm,標準級MOSFET LFPAK56數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-29 11:15:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LFPAK56中的N溝道40 V,1.3 mΩ邏輯電平MOSFET BUK9Y1R3-40H數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-26 09:25:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NCE N溝道增強型功率MOSFET NCE3010S數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-24 11:06:590 功率MOSFET有兩種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設計的過程中選擇N管還是P管,要針對實際的應用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號多,成本低;P溝道MOSFET選擇的型號較少,成本高。
2024-01-19 15:31:54218 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V,N溝道溝槽MOSFET BSS138AK-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-14 10:20:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V,N溝道溝槽MOSFET BSS138AKW-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-14 10:11:070 。按導電溝道功率MOSFET可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道,增強型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道,功率MOSFET主要是N溝道增強型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PL2302GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費下載
2024-01-05 11:12:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PL2300GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費下載
2024-01-05 11:08:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V,N溝道溝槽MOSFET BXK9Q29-60A英文資料.pdf》資料免費下載
2024-01-04 14:22:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,0.81 mOhm,320 A標準電平MOSFET PSMNR70-40YSN英文資料.pdf》資料免費下載
2024-01-04 14:19:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NextPower 80 V,3.1 mOhm,160 A,N溝道MOSFET LFPAK56包裝產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:42:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:28:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040120L4A0:1200 V,40 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:26:191 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙N溝道40 V,13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D(半橋配置)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 14:31:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1R3-80SSF:N溝道MOSFET LFPAK88包目標數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2023-12-19 16:08:210 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040L3A0:1200伏,40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:37:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:36:290 根據(jù)提供的型號和參數(shù),以下是對該 MOSFET 型號 P1203ED-VB 的詳細參數(shù)和應用簡介:**型號:** P1203ED-VB**絲印:** VBE2311**品牌:** VBsemi
2023-12-18 17:31:41
型號:CES2301-VB絲印:VB2290品牌:VBsemi參數(shù)說明:- **P溝道:** 該器件是一種P溝道MOSFET,電流在P溝道中流動,通常用于不同類型的應用,如電源開關(guān)等。- **工作
2023-12-18 11:45:33
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 了導電的通路,稱為溝道,根據(jù)溝道的載流子類型,可分為N溝道和P溝道,像這種需要外加柵壓才能使溝道產(chǎn)生的MOSFET稱為增強型,如果在零柵壓時溝道已經(jīng)存在的則稱為耗盡型。
2023-11-30 15:54:49398 p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分? 區(qū)分p溝道和n溝道的關(guān)鍵在于材料的雜質(zhì)摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質(zhì)能夠改變材料的導電性質(zhì),從而使其成為p溝道或n溝道。 首先,讓我們來了
2023-11-23 09:13:422314 硬件面試中有遇到過這樣的事嗎?通常讓你畫一個增強型的MOSFET,或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 型晶體管,它屬于電壓控制型半導體器件。根據(jù)導電溝道類型和柵極驅(qū)動電壓的不同,可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關(guān)和放大電路中,可以控制電流流動并放大信號。
2023-11-03 14:56:23293 型號 SQD50P0615LGE3絲印 VBE2625品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 50A 導通電阻 20mΩ @10V, 25m
2023-11-02 09:28:15
型號 FR5305絲印 VBE2625品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 50A 導通電阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
2023-10-30 10:03:05
型號 FDD5614P絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導通電阻 61mΩ @10V, 72m
2023-10-28 11:48:41
和小功率MOSFET類似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 IAR能否支持對兆易的GD32進行編程開發(fā)
2023-10-11 07:30:23
簡要解讀BGA、CSP封裝中的球窩缺陷
2023-10-08 08:47:53329 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:35:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:43:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN040-100QS N溝道標準電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
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2023-09-26 11:11:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN012-100QS N溝道、標準電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 11:05:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN020-100QS N溝道、標準電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 11:01:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN011-100QS N溝道、標準電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 10:59:231 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN012-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 10:57:380 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN011-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 10:54:290 BGA和CSP封裝技術(shù)詳解
2023-09-20 09:20:14951 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CubeMX創(chuàng)建WL LoRa EndNode應用.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:00:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32WL FUOTA應用設計.pdf》資料免費下載
2023-09-19 15:01:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32WL硬件簡介.pdf》資料免費下載
2023-09-19 14:53:251 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32WL軟件簡介.pdf》資料免費下載
2023-09-19 14:51:321 該調(diào)光控制LED驅(qū)動器電路采用LM3409P溝道MosFET控制器設計,用于降壓(降壓)電流調(diào)節(jié)器。
2023-09-16 17:19:00328 SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET,根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
CSP是近幾年才出現(xiàn)的一種集成電路的封裝形式,目前已有上百種CSP產(chǎn)品,并且還在不斷出現(xiàn)一些新的品種。盡管如此,CSP技術(shù)還是處于發(fā)展的初期階段,因此還沒有形成統(tǒng)一的標準。不同的廠家生產(chǎn)不同的CSP
2023-09-08 14:09:40294 雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy],流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 垂直導電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應,如果把水平的溝道變?yōu)榇怪?b class="flag-6" style="color: red">溝道,從側(cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應。
2023-08-28 10:10:392920 功率MOSFET有兩種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設計的過程中選擇N管還是P管,要針對實際的應用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號多,成本低;P溝道MOSFET選擇的型號較少,成本高。
2023-08-25 10:07:56188 CSP的內(nèi)部布線長度(僅為0.8~1.O mm)比QFP或BGA的布線長度短得多,寄生引線電容、引線電阻及引線電感均很小,從而使信號傳輸延遲大為縮短。CSP的存取時間比QFP或BGA
2023-08-20 09:42:071101 SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS,由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大,故在高壓領域,普通MOSFET導通阻抗大,難以滿足實際應用需要
2023-08-18 08:32:56513 有四個主要元件可滿足電池反向保護,分別是恢復整流二極管、肖特基整流二極管、P 溝道 MOSFET 和 N 溝道 MOSFET。
2023-08-10 14:00:10263 這款簡單的MOSFET測試儀可以快速測試增強型N型和P溝道MOSFET。它檢查柵極、漏極和源極之間的短路。
2023-07-27 10:12:52600 通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C,強茂P溝道MOSFET是汽車設計工程師理想的選擇,可實現(xiàn)簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45526 上的電壓控制流入漏極的電流量。MOSFET有兩種類型,“p溝道”和“n溝道”。這兩種類型都可以處于增強或耗盡模式(見圖1)。這意味著總共有四種不同類型的MOSFET。
2023-07-07 10:13:352972 在H橋電路中實現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人,但可能需要一些嚴格的計算和參數(shù)才能實現(xiàn)最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 在這個設計中,我們看到了使用N溝道MOSFET實現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 HY1908D/U/V N溝道增強型MOSFET規(guī)格書免費下載。
2023-06-14 17:04:041 當前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 *附件:power1.pdf
遇到一個電源板無法供電故障,此電源電路采用P溝道MOS限流保護設計。正常啟動時Q14柵極上電慢,低于源極,MOS管導通,經(jīng)過后級U9基準和U27運放組成恒壓源電路,限制
2023-06-05 22:50:12
借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET,您可以輕松地實現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān),以隔離電路的一部分,并在電路其余部分關(guān)閉時從次級電源為其供電,以便待機工作 (圖1 )。通過使用互補對,您可
2023-05-31 17:49:243200 為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 光電傳感器WL-CSP封裝芯片底部填充膠應用由漢思新材料提供光電傳感器芯片(CCD)經(jīng)過聯(lián)系客戶工程技術(shù)和研究其提供的封裝工藝流程。了解到以下信息。客戶用膠項目是:光電傳感器芯片(CCD
2023-05-18 05:00:00546 ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 在本文中,我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路,該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005288 CSP2510C 數(shù)據(jù)表
2023-04-26 19:29:441 MOSFET是以金屬層(M)柵極隔著氧化層(O)利用電場效應來控制半導體(S)的場效應晶體管,其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同,MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型,通常又稱為N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30691 Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12
GreenBridgeTM系列高效橋式整流器
雙N溝道和雙P溝道PowerTrench
?MOSFET N溝道:100 V,6 A,110 mΩP溝道:-80 V,-6 A,190 mΩ
2023-03-29 15:07:20
MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL
2023-03-29 10:49:46
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,選用高達 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45514
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