SemiSouth發(fā)布耐壓為650V和1700V的SiC制JFET

　　美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件（650V產(chǎn)品的英文發(fā)布資料，1700V產(chǎn)品的英文發(fā)布資料）。

　　耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在脈沖驅(qū)動(dòng)時(shí)為80A，工作溫度范圍為-55～+150℃，采用TO-220封裝。

　　耐壓為1700V的產(chǎn)品名稱為“SJDT170R1400”，導(dǎo)通電阻為1400mΩ。特點(diǎn)是采用了可抑制電感的新型封裝“SMD D2PAK-7L”，外形尺寸為16mm×10mm×4.4mm。據(jù)介紹，SJDT170R1400專門針對(duì)1700V耐壓的用途，實(shí)現(xiàn)了6.85mm的爬電距離。采用D2PAK-7L封裝的產(chǎn)品將從2012年第三季度開始樣品供貨，采用TO-247-3L封裝的產(chǎn)品已經(jīng)開始樣品供貨。

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JFET(21788) JFET(21788)
半導(dǎo)體芯片(69635) 半導(dǎo)體芯片(69635)
to220封裝(10954) to220封裝(10954)

評(píng)論

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未來(lái)智能城市的動(dòng)力引擎：潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）

潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。產(chǎn)品特點(diǎn)：易于使用：650V GaN

2023-06-12 16:38:34

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ACPL-333J輸出鎖低電平-5V

，1700V，60A，SIC，這個(gè)管子的Qg是256nC，Rg=1.8Ω，tdon和tr分別為52ns和32ns。IXDN609SI的一部分參數(shù)和驅(qū)動(dòng)的電路原理圖如下目前的狀況是ACPL-333J的輸出

2023-06-10 15:32:20

18650和mcp1700的電源問題如何解決？

在我的項(xiàng)目中，我需要用 18650 電池為 esp12 供電。我試過使用帶有 1uF 電容（Vin-GND、Vout-GND）的 mcp1700 3.3v，此設(shè)置使 esp 無(wú)法啟動(dòng)，所以我嘗試

2023-05-31 07:36:54

開關(guān)電源設(shè)計(jì)優(yōu)質(zhì)選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管

Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅

2023-05-26 03:05:02

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瀚薪科技完成B輪融資，已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬(wàn)顆

根據(jù)公司披露：上海瀚薪具備多年的車規(guī)級(jí)SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場(chǎng)龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍

2023-05-25 10:34:27

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ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT！

非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT

2023-05-25 00:25:01

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ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

2023-05-24 15:19:34

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