中國科學院“先導”項目成果發(fā)布。 根據中科院計算所副所長包云崗介紹，第二代“香山”開源高性能RISC-V處理器核，于2022年9月研制完畢，計劃2023年6月流片。性能超過2018年Arm公司發(fā)布的 Cortex-A76內核。 ? 高性能的開源RISC-V內核 RISC-V 起源于加州大學伯克利分校，發(fā)
2023-06-01 01:13:00
2133 柵的設計解決了SiC MOSFET中柵極氧化物的可靠性問題，并克服了常見的SiC MOSFET在控制和驅動方面的限制，這加速了SiC MOSFET上車的節(jié)奏。 ? 在第二代產品上，英飛
2024-03-19 18:13:181431 
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優(yōu)點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:4667 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 潮，令800V平臺、SiC電驅開始打進20萬內的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內廠商又有多款SiC MOSFET產品通過了車規(guī)級認證，這將繼續(xù)推動SiC功率器件量產上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產
2024-03-13 01:17:002631 
RK3576處理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平臺，它集成了獨立的6TOPS（Tera Operations Per Second，每秒萬億次操作）NPU（神經網絡處理單元），用于
2024-03-12 13:45:25
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續(xù)創(chuàng)新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 全球知名音頻品牌Bose近日宣布推出其全新音頻可穿戴設備——Bose Ultra開放式耳機。這款耳機采用第二代高通?S5音頻平臺，并支持Snapdragon Sound驍龍暢聽技術，旨在為用戶帶來無與倫比的高清音頻體驗、快速穩(wěn)健的連接性能以及更持久的續(xù)航時間。
2024-03-11 10:30:28144 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）近期取得了一項重要的技術突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產品，分別為650V 40mΩ規(guī)格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技術的SMPD塑封半橋模塊產品，并順利通過了車規(guī)級可靠性認證（AQG324）。
2024-03-07 09:37:27150 近期，科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14315 茂睿芯推出第二代CAN FD收發(fā)器MCAN1462，是國內首款支持10Mbps通信速率、具有信號改善能力（SIC）的CAN FD收發(fā)器
2024-03-01 10:47:03290 
在通用PWM發(fā)電機中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網等領域[2-9] ，展示了新技術的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 據報道，韓國三星代工廠已經開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術的芯片，稱為 SF3。這一發(fā)展標志著半導體行業(yè)的一個重要里程碑，因為三星與臺積電競爭下一代先進工藝節(jié)點的量產主導權。韓國知名權威
2024-01-22 16:10:14456 
第二代配網行波故障預警與定位裝置YT/XJ-001：守護電力線路的超能"哨兵" 電力，如同現代社會的血脈，支撐著我們的生活和工作正常運行。然而，一旦這條血脈出現故障，生活和工作
2024-01-22 15:11:19135 
據行業(yè)知情人士透露，SK On最近與現代汽車簽署了一份價值約萬億韓元的協(xié)議。根據這份協(xié)議，SK On將成為現代汽車第二代電動汽車平臺項目的首個合作伙伴，為其提供電池。
2024-01-18 15:57:20233 近日，中科馭數自研第二代DPU芯片K2在眾多云生態(tài)創(chuàng)新應用技術產品中脫穎而出，成功入選由中國云產業(yè)聯盟暨中關村云計算產業(yè)聯盟發(fā)布的“2023年中國云生態(tài)創(chuàng)新應用技術產品”。這一殊榮既是對中科馭數第二代DPU芯片K2在行業(yè)領先地位的認可，也展現出DPU芯片在云產業(yè)中的關鍵價值和重要意義。
2024-01-18 09:20:05443 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規(guī)級可靠性認證，該產品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 
高通技術公司近日宣布推出全新第二代驍龍?XR2+平臺，這一創(chuàng)新平臺旨在為MR和VR設備帶來更出色的性能和體驗。第二代驍龍XR2+平臺具備強大的硬件配置，支持高達4.3K的單眼分辨率和12路及以上的并行攝像頭，從而為用戶帶來更加清晰、沉浸的MR和VR體驗。
2024-01-08 15:22:27396 近日，高通技術公司再次引領行業(yè)前沿，推出了全新的第二代驍龍XR2+平臺。這一平臺的性能顯著提升，其中GPU頻率提升了15%，CPU頻率提升了20%，為MR和VR體驗開辟了全新的可能性。
2024-01-05 15:19:51224 近日，高通技術公司宣布推出全新第二代驍龍?XR2+平臺，這款平臺將為XR設備帶來前所未有的清晰度與流暢度，為工作和娛樂提供無與倫比的沉浸式體驗。
2024-01-05 15:13:25255 第二代驍龍XR2+平臺支持4.3K單眼分辨率和12路及以上并行攝像頭，帶來更清晰沉浸的MR和VR體驗。
2024-01-05 09:47:38209 近日，國內智能投影品牌希影正式發(fā)布便攜旗艦投影L12 Pro的升級款L12 Pro第二代，并宣布上架華為商城全面開售。 作為希影旗下銷量“扛把子”系列之一，希影L系列此前就深受廣大用戶喜愛，取得了
2024-01-03 17:08:37667 在新榮耀三周年暨榮耀100系列新品發(fā)布會上，榮耀100 Pro閃耀登場，讓數字系列再次引領時尚影像新風潮。榮耀100 Pro搭載 第二代驍龍8移動平臺 ，將獨特的美學設計、出色的性能表現、單反級寫真相機以及創(chuàng)新的智能體驗融于一體。本期體驗報告，一起來感受這款時尚新品從設計到體驗的全面升級。
2024-01-02 11:43:39456 智繪微電子官方宣布，第二代具有完全自主知識產權的圖形處理芯片“IDM929”成功實現了一次性流片成功，并順利點亮！
2023-12-29 10:46:04452 還發(fā)布了第二代SiC MOSFET產品，不僅兼容15~18V驅動，而且比導通電阻下降25%，其損耗更低、成本更優(yōu)，綜合性能達到國際一流水平。
2023-12-25 18:42:34559 
1996年及之后生產的所有輕型車量都必須采用第二代隨車診斷系統(tǒng)（OBDⅡI）標準。OBDII的主要目的是降低排放污染，而設立OBD I（1988年）的主要目的是檢查傳感器或其電路是否有問題。
2023-12-21 16:52:56143 
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 今天江蘇宇拓電力科技來為大家說明一下產品介紹：第二代配網行波故障預警與定位裝置YT/XJ-001 一、產品概述 第二代配網行波故障預警與定位裝置YT/XJ-001是一種先進的故障預警與定位系統(tǒng)，專為
2023-12-11 09:22:58207 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17221 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21431 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 
深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
2023-12-04 15:26:12293 
易天光通信作為通信行業(yè)的新秀，深耕通信領域近十余載，近期推出了全新升級的第二代100G ZR4 80KM光模塊，將成為未來通信發(fā)展的重要里程碑，為易天和客戶的交流合作打開了一扇突破傳輸距離限制的嶄新大門。
2023-12-01 16:56:56243 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
Core2是M5StackCore系列的第二代主機，它搭載了ESP32芯片和可觸摸屏，具有易于堆疊、可拓展和快速開發(fā)的特性。自2020年發(fā)布至今，Core2在國內外市場持續(xù)熱銷受到廣大用戶的喜愛
2023-11-18 08:29:08465 
SiC功率開關，利用意法半導體最先進的第二代和第三代SiC MOSFET技術，確保低 RDS(開)值。這些器件
2023-11-14 15:48:49356 據稱，第二代Vision Pro的項目代號為Project Alaska，設備標識符為N109，整體外觀與初代Vision Pro接近。盡管它在很大程度上沿用初代設計，不過會調整揚聲器等零件的位置。
2023-11-13 17:05:35476 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
泵、空調等汽車系統(tǒng)，產品優(yōu)點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統(tǒng)設計靈活性。 ? 新模塊內置1200VSiC功率開關管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術確保碳化硅開關管具有很低的導通電阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262 超聲波在日常生活中無處不在，在醫(yī)療領域，借助超聲波可用于洗牙、協(xié)助診斷各種疾病;在汽車領域，利用超聲波可探測障礙物到車輛的距離。本文為大家介紹立功科技第二代超聲波雷達(AK2)的解決方案。
2023-10-17 15:36:104051 
炬芯科技宣布全新第二代2.4G/BT低延遲無線收發(fā)音頻SoC芯片ATS3031發(fā)布量產，終端品牌產品已經上市規(guī)模銷售。
2023-10-07 12:29:17637 越來越嚴苛，已經超出了硅 （Si） 基 MOSFET的能力，因而基于碳化硅 （SiC） 的新型晶體管架構應運而生。 雖然新式器件在所有關鍵性能指標方面都有明顯的優(yōu)勢，但由于各種局限性和應用的不確定性，設計人員對第一代 SiC器件持謹慎態(tài)度是明智的。第二代器件規(guī)格方面經過
2023-10-03 14:40:001643 
產品均搭載高通技術公司推出的第二代高通S5音頻平臺，支持Snapdragon Sound驍龍暢聽技術，帶來包括無損音頻、穩(wěn)健連接和超低時延等強大特性。
2023-09-22 12:25:341655 白皮書
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書中，我們討論了最新一代超低抖動三次泛音晶體振蕩器的特點、優(yōu)勢、性能和特性，這些振蕩器旨在為各種高速應用提供穩(wěn)定準確的時鐘信號
2023-09-13 09:51:52
材料領域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:271931 
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節(jié)省了空間，并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
處理速度大幅提升，成像速度是第一代的1.6 倍，內存開銷較上一代平臺降低了75%，計算平臺I/O吞吐訪問性能達到Jetson NX平臺的1.4倍。基于以上關鍵性能提升，第二代平臺通用計算資源有了冗余
2023-08-25 11:42:19229 
談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 
據介紹，瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓(Vgs)為15-18V，可提升應用兼容性，簡化應用系統(tǒng)設計。在產品結構上，第二代SiC MOSFET與第一代產品同為平面柵MOSFET，但進一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703 電子發(fā)燒友網站提供《LSI第二代6Gb/s超級磁盤陣列SATA+SAS控制器卡常見問題.pdf》資料免費下載
2023-08-22 15:52:17
0 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線，開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
車載充電機（On-Board Charger，簡稱為OBC）的基本功能是：電網電壓經由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車載充電機，給車載動力電池進行慢速充電。基本半導體第二代SiC碳化硅
2023-08-17 10:07:23
在自己的開發(fā)板移植了蜂鳥E203二代，用IDE測試hello world程序，報了下面錯誤，有大佬能幫忙看看嘛，或者遇到過相關的救救孩子，太感謝了。
詳細一點的我寫在這了，發(fā)帖復制粘貼不了
2023-08-16 07:44:24
第二代數字OLED尾燈將配備6個OLED面板，共計360個發(fā)光單元，可在每10毫秒生成一個新圖像，使其具備交互燈功能，使外部燈光作為智能顯示屏，與其他道路使用者互聯交互。
2023-08-09 16:52:39825 對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
第二代平臺支持AI降噪，支持錄音功能，支持視頻表盤，支持第三方應用程序，支持WebAssembly技術，擁有更加豐富的外圍接口資源，更精簡的BOM，更大的內存，滿足個性化需求等等領先優(yōu)勢。在此基礎上，整體的性能更加強勁功耗更低。
2023-08-05 08:31:18672 
電子發(fā)燒友網站提供《第二代6gb/s MegaRAID控制器卡片和快速路徑軟件.pdf》資料免費下載
2023-08-02 14:54:490 使用。其中PFC維也納電路AC/DC的開關頻率40kHz左右，一般使用650V的超結MOSFET或者650V的IGBT，劣勢是器件多，硬件設計復雜，效率低，失效率
2023-08-02 10:29:00
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535 2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式發(fā)布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片開始便快速獲得了市場廣泛認可和品牌客戶的普遍好評。隨著技術的不斷創(chuàng)新和突破，為了更加
2023-07-25 17:14:201309 2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式發(fā)布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片開始便快速獲得了市場廣泛認可和品牌客戶的普遍好評。隨著技術的不斷創(chuàng)新和突破，為了更加
2023-07-25 14:04:22387 
2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式發(fā)布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片開始便快速獲得了市場廣泛認可和品牌客戶的普遍好評。隨著技術的不斷創(chuàng)新和突破，為了更加
2023-07-24 17:16:17839 
USB Implementers Forum 已將 USB 3.0 更新為 USB 3.1。 FLIR 更新了其產品描述來反映此項更改。 ?本頁將介紹 USB 3.1 以及第一代與第二代 USB 3.1 之間的差異及兩者能給機器視覺開發(fā)人員帶來的實際益處。
2023-07-14 14:52:23670 
我們不妨稱之為第二代，第一代為單管IGBT控制器，第二代為SIC 控制器，最新的暫稱第三代）進行對比兩代控制器的設計區(qū)別。
2023-07-06 10:22:06811 
ZMOD4410 數據表附錄 - IAQ 第二代：附加特性
2023-07-03 18:35:080 [RZ/Five] RZ/G 系列，第二代用戶手冊概述：硬件
2023-06-30 18:54:160 6月28日，全球頂級移動通信盛會上海MWC正式拉開帷幕。作為領先的全場景智能車芯企業(yè)，芯馳科技攜第二代中央計算架構SCCA2.0，以及全系列高性能、高安全車規(guī)芯片產品和解決方案閃亮登場！ 2023
2023-06-29 11:09:21353 1. 高通第二代驍龍4 芯片發(fā)布，傳由臺積電轉單三星代工 ? 據外媒報道，高通公司本月27日正式發(fā)布第二代驍龍4移動平臺（Snapdragon 4 Gen 2），據傳將從前代的臺積電6納米工藝平臺
2023-06-29 10:54:291085 要點 — ?? 第二代驍龍4旨在進一步推動5G等先進技術在全球范圍內普及 ?? 滿足消費者對入門級產品的需求，提供輕松自如的多任務處理、先進的照片和視頻拍攝以及可靠的連接功能 ??搭載該平臺的商用
2023-06-27 00:05:011083 
要 點 — ?? 擴展的第二代高通S3音頻平臺產品組合，專為藍牙適配器而打造，包括支持Snapdragon Sound驍龍暢聽技術。 ?? Snapdragon Sound驍龍暢聽技術和LE
2023-06-22 09:50:01253 
要求。 本文推薦基本半導體第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工業(yè)電源，可以替代英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59:00
NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第二部分，將重點介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的動態(tài)特性。
2023-06-16 14:39:39538 
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光儲一體機，將會比上一代器件在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面性能更加出色。
2023-06-12 14:58:36337 經典核基于第二代“香山”工程化優(yōu)化，對標ARM A76，為工業(yè)控制、汽車、通信等泛工業(yè)領域提供CPU IP核；高性能核則基于第三代“香山”（昆明湖）性能提升，對標ARM N2，為數據中心和算力設施等領域提供高性能CPU IP核。
2023-06-08 16:41:26966 
當前量產主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于各種下一代移動應用。鎧俠?UFS 產品性能的改進使這些應用程序能夠利用 5G 的連接優(yōu)勢，從而加快下載速度、減少延遲時間并改善用戶體驗。 鎧俠UFS 4.0產品
2023-06-06 14:30:191526 
的“RISC-V 開源處理器芯片生態(tài)發(fā)展論壇”上，第二代“香山”（南湖架構）開源高性能 RISC-V 核心正式發(fā)布。據介紹，“香山”于 2022 年 6 月啟動工程優(yōu)化，同年 9 月研制完畢，計劃 2023 年 6
2023-06-05 11:51:36
TE Connectivity第二代充電插座系列，涵蓋國標、美標、歐標、日標系列，通過革新性結構優(yōu)化設計，可以為客戶大幅簡化裝配流程，節(jié)省75%以上裝配時間，產出效率提升4倍以上，并帶來自動化生產可能。
2023-06-01 10:49:30615 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關頻率高達幾百K赫茲，門極驅動的設計在應用中就變得格外關鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07998 
得益于兩個并發(fā)數據連接，第二代高通雙卡雙通支持更出色的游戲、數據、通話和流媒體用戶體驗 ? ? 多SIM卡功能是智能手機最早的技術突破之一，通過支持用戶接入多個蜂窩網絡來應對連接挑戰(zhàn)。 ? 然而
2023-05-31 16:33:22945 
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強度，更低的損耗和
2023-05-29 10:16:48
據開芯院首席科學家包云崗介紹，第二代“香山”于2022年6月啟動工程優(yōu)化，同年9月研制完畢，計劃2023年6月流片，性能超過2018年ARM發(fā)布的Cortex-A76，主頻2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462 
周(Display Week 2023)，展示面向未來顯示器的第二代LED技術，包括基于WICOP Pixel技術的microLED顯示器和有助于用戶保持眼睛健康的低藍光(LBL)顯示器。
2023-05-25 10:14:05402 Arasan Chip Systems是移動和物聯網SoC半導體IP的領先供應商，今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC設計的第二代MIPI D-PHY IP。
2023-05-19 14:51:22570 Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
第二代準諧振 PWM 控制器
2023-03-24 14:41:30
第二代準諧振 PWM 控制器 SOT23-6
2023-03-24 14:01:59
然而不知不覺中，現在這套電驅系統(tǒng)已經升級到了第二代，除了結構上的變化，部分零部件也采用了全新的設計，借著這次試駕名爵 eHS 的機會，我了解到了第二代 EDU 的一些細節(jié)信息，下面跟大家分享。
2023-03-24 10:53:312194
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