耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內(nèi)部集成了開關(guān)管和同步整流管，通過它們進(jìn)行電壓的轉(zhuǎn)換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過程中，該芯片通過PWM
2024-03-22 11:31:10
JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時(shí)序的要求。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個(gè)
2024-03-18 14:36:43
如何區(qū)別普通電阻和保險(xiǎn)電阻？如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻好壞？ 普通電阻和保險(xiǎn)電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細(xì)介紹如何區(qū)分普通電阻和保險(xiǎn)電阻，并說明如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險(xiǎn)電阻的定義
2024-03-05 15:48:06
201 ，原始取得MOS管、IGBT管、TVS二極管、元器件封測(cè)方面幾十項(xiàng)發(fā)明專利，通過歐盟ROHS及REACH檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。“slkor”發(fā)展成為國(guó)際知名品牌，薩科微產(chǎn)品被超10000家客戶采用！薩科微工廠
2024-03-05 14:23:46
帶來怎樣的驚喜呢？拭目以待吧。
瑞薩 RZ/G2UL 系列處理器是一款專為工業(yè)級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)的芯片，它集成了 ARM Cortex-A55 高性能 CPU 和 ARM Cortex-M33 實(shí)時(shí)CPU
2024-02-04 23:38:07
150V高耐壓降壓芯片是一種電源管理芯片，其主要功能是將輸入電壓降低到較低的輸出電壓。以下是一般的高耐壓降壓芯片的工作原理：
輸入電壓穩(wěn)壓：首先，芯片會(huì)接收輸入電壓，這個(gè)電壓可能來自電池、電源適配器
2024-01-26 14:13:26
隨著科技的不斷進(jìn)步，電動(dòng)車控制器芯片作為電動(dòng)車的核心部件，其性能和品質(zhì)對(duì)于電動(dòng)車的性能和安全性至關(guān)重要。SL3038 耐壓150V恒壓芯片是一款高效、可靠的降壓IC，適用于60V、72V、90V等
2024-01-18 16:54:36
抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結(jié)構(gòu)和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地從多個(gè)方面對(duì)這兩種電阻進(jìn)行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 型號(hào)：FDG6303N-VB絲印：VBK3215N品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：2個(gè)N溝道- 額定電壓：20V- 額定電流：2A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：150mΩ @ 4.5V
2023-12-21 10:44:17
用萬用表如何檢測(cè)普通電阻器？ 萬用表是一種多功能測(cè)量工具，用于測(cè)量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測(cè)各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬用表來檢測(cè)普通電阻器的詳細(xì)步驟
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通電橋測(cè)電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測(cè)量工具，廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說明其測(cè)量電阻的優(yōu)勢(shì)和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392758 型號(hào)：PV600BA-VB絲印：VBA1311品牌：VBsemi參數(shù)說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：12A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：12mΩ @ 10V
2023-12-14 11:43:03
型號(hào): NTJD4001NT1G-VB絲印: VBK3215N品牌: VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 20V- 最大電流: 2A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS
2023-12-14 10:34:15
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
SL3038的輸入電壓范圍為4.5V至150V，使得它能夠適應(yīng)各種不同的電源電壓。這意味著您可以在不同的輸入電壓下使用SL3038，從而實(shí)現(xiàn)更靈活的應(yīng)用。
2. 高耐壓能力
SL3038的最大
2023-11-28 17:03:22
華芯微特SWM241系列性能完美兼容瑞薩的R5F100LEA，提供更高性價(jià)比的小家電32位MCU，SWM241 系列 32 位 MCU 內(nèi)嵌 ARM? CortexTM-M0 內(nèi)核
24位系統(tǒng)定時(shí)器
2023-11-20 15:43:07
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:56189 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 請(qǐng)教大俠們 瑞薩的集成LO芯片8V97051，8V97051 L,8V97051 A
這三款有沒有區(qū)別？？
2023-10-30 12:36:41
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個(gè)常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個(gè)主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-29 11:21:55933 型號(hào) ME9435絲印 VBA2333品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6A 導(dǎo)通電阻 40mΩ @10V, 54mΩ @4.5V
2023-10-28 14:24:47
瑞薩RX130在時(shí)鐘頻率32MHz時(shí)，指令最短執(zhí)行時(shí)間是多少？
2023-10-28 07:01:18
TDK的NTCRP系列（NTC熱敏電阻）廣泛應(yīng)用于各種可靠性要求較高的應(yīng)用中，包括電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)電機(jī)和電池、工業(yè)設(shè)備的溫度檢測(cè)等。而嚴(yán)格的絕緣電阻和絕緣耐壓測(cè)試是保障用戶使用安全性和可靠性的重要措施
2023-10-25 15:55:03283 
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 ? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:50
0 SL3160
150V/0.8A 開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器
概述
SL3160 是一款用于開關(guān)電源的內(nèi)置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制器。
SL3160 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)和自供電功能，可滿足
2023-09-18 14:44:25
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:22
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:44:11
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:42:05
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 07:30:53
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 06:56:21
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:28:58
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:55
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:44
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superp&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 07:17:57
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:12:49
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
波動(dòng)，起到開關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻也會(huì)提高，效率會(huì)變差，因此，如何同時(shí)兼顧更高耐壓和更低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。風(fēng)扇電機(jī)通常會(huì)使用多個(gè)MOSFET進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，為了節(jié)
2023-09-14 19:12:41305 
相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時(shí)間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，射頻技術(shù)在越來越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 【瑞薩RAMCU創(chuàng)意氛圍賽】基于RA6M5的電子墨水屏微信信息站大信(QQ:8125036)一、創(chuàng)意方案簡(jiǎn)介
手機(jī)微信是我們?nèi)粘Ｉ钪惺褂迷絹碓蕉嗟耐ㄐ殴ぞ咧唬謾C(jī)微信在給我們帶來便利的同時(shí)，也
2023-08-28 04:06:56
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng) 用，開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:16538 
報(bào)告中介紹，隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)大，當(dāng)應(yīng)用在計(jì)算機(jī)和航空電子等領(lǐng)域中時(shí)，低導(dǎo)通壓降能夠縮小整機(jī)的冷卻系統(tǒng)，從而降低整機(jī)尺寸和成本，所以用戶對(duì)器件的導(dǎo)通電阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 比起通用型片式電阻（RK73）把最高使用電壓加以高耐壓化
2023-08-02 16:47:01506 
收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板后一直對(duì)米爾旗下開發(fā)板的做工感到非常精致，同時(shí)也有著很強(qiáng)大的功能，也一直很喜歡米爾系列開發(fā)板。
引領(lǐng)工業(yè)市場(chǎng)從32位MPU向64位演進(jìn)
基于瑞薩高性價(jià)比RZ/G2L
2023-07-29 00:21:11
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:10:05
同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 關(guān)于電阻的使用，很多做低壓供電電子產(chǎn)品的硬件工程師不關(guān)注耐壓，甚至不知道有這個(gè)參數(shù)。
2023-07-10 10:35:28651 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
效的保證，芯片的內(nèi)部缺陷遠(yuǎn)小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，其高溫穩(wěn)定性大大提高。 內(nèi)阻低 超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。
體積小 在同等
2023-06-13 16:30:37
收到的米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板上電測(cè)試一下SSH登錄方式和其它測(cè)試！
SSH登錄
在使用之前，需要事先連接網(wǎng)絡(luò)，筆者這里使用的是以太網(wǎng)，事先需要使用串口的登錄，然后輸入以下命令查看IP地址
2023-06-11 21:47:39
【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】1. PWM驅(qū)動(dòng)LED以及STLINK下載配置【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】2. KEIL下串口重定向printf和scanf
前言
OLED是單片機(jī)開發(fā)中會(huì)
2023-05-26 14:06:17
大多是基于51、stm32、arduino，所以想試試將自己玩過的模塊移植到瑞薩上
PS:本人本次參賽題目為基于NBIOT和阿里云的采集系統(tǒng)，但是發(fā)現(xiàn)板子上自帶esp8266模塊，會(huì)先采用esp8266
2023-05-26 09:42:11
今天剛剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板，拆開包裹后給人的感覺是驚艷，板卡設(shè)計(jì)真的很棒，來看看視頻做個(gè)簡(jiǎn)單了解吧。
更多板卡可以登錄官網(wǎng)了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13
電源接口場(chǎng)景
MYC-YG2LX核心板及開發(fā)板簡(jiǎn)單介紹
基于瑞薩高性價(jià)比RZ/G2L處理器，具有極強(qiáng)的泛用性和易用性；
1/2xCortex-A55@1.2GHz+Cortex-M
2023-05-22 21:53:44
引言
很高興能有機(jī)會(huì)參加【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】，在以前學(xué)習(xí)stm32的時(shí)候，就是野火的開發(fā)板、文檔以及視頻帶我入門的。現(xiàn)在有空體驗(yàn)一下野火的產(chǎn)品——瑞薩系統(tǒng)的 啟明4M2 ，主控
2023-05-21 17:02:36
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
感謝
感謝電子發(fā)燒友論壇、感謝米爾電子，把米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板試用話動(dòng)的機(jī)會(huì)給了我。雖然周五就收到了開發(fā)板，但是由于復(fù)陽(yáng)了，為了能及時(shí)的完成試用活動(dòng)，所以今天努力的爬起來完成開箱報(bào)告。
開箱
2023-05-14 19:41:46
Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
、靈活性較差。為此，RT-Thread 聯(lián)合 瑞薩 推出了全新的 HMI Board 開發(fā)模式，取代傳統(tǒng)的 HMI + 主控板 硬件，一套硬件即可實(shí)現(xiàn) HMI + IoT + 控制 的全套能力。依托于瑞薩
2023-05-08 08:22:12
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
瑞薩RH850 R7F7010693 誰能破解？可以的加我V：13520223020
2023-04-22 14:29:33
有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時(shí)和部件數(shù)量，并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:24:105 供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:02:491 供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:48:131 供應(yīng)SGTP5T60SD1D國(guó)產(chǎn) igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1D關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:43:53
1 比賽歷程總結(jié)我是在RA4M2測(cè)評(píng)活動(dòng)第一次深入接觸瑞薩，瑞薩的產(chǎn)品真的是非常豐富，而且生態(tài)也做得非常好，有專業(yè)的開發(fā)工具，比如e2Studio，Renesas RA Smart
2023-04-02 21:56:47
感言有幸參加瑞薩舉辦的RA4M2網(wǎng)關(guān)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)賽，了解了瑞薩RA系列單片機(jī)布局，工具鏈支持等。因?yàn)楣ぞ哝湹耐昝乐С郑琑A4M2作品開發(fā)起來事半功倍，用戶可以只專注于功能邏輯的開發(fā)而不需要了解底層硬件
2023-03-31 16:07:32
逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
1200V耐壓的MOS管。當(dāng)前市面上這種MOSFET較少，且價(jià)格都很貴。另外，常規(guī)的1200V高壓MOSFET，其導(dǎo)通電阻比600V MOSFET的Rds(on)高，不容易實(shí)現(xiàn)高效率的要求。選擇ISOP交錯(cuò)并聯(lián)LLC拓?fù)洌涂梢岳^續(xù)采用600V的MOS管，型號(hào)豐富，成本低，且模塊效率高。
2023-03-24 11:08:587905 
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