電子發燒友網站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 14:11:23
0 JW7109是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:41502 如何區別普通電阻和保險電阻？如何檢驗保險電阻好壞？ 普通電阻和保險電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細介紹如何區分普通電阻和保險電阻，并說明如何檢驗保險電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
**類型：** N-Channel 溝道 MOSFET- **電壓等級：** 60V- **電流等級：** 28A- **導通電阻（RDS(ON)）：** 80mΩ @
2024-02-20 09:57:40
電子發燒友網站提供《NCE N溝道增強型功率MOSFET NCE3010S數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-24 11:06:590 抗浪涌電阻和普通電阻的區別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結構和特性方面有很大的區別。本文將詳盡、詳實、細致地從多個方面對這兩種電阻進行比較分析。 1. 功能區別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 功率MOSFET是一種廣泛應用于電力電子轉換器的高性能開關器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度和良好的熱穩定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統中發揮著重要作用。 結構
2024-01-17 17:24:36294 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 型號：SPD09N05-VB絲印：VBE1695品牌：VBsemi參數說明：- 類型：N溝道- 額定電壓：60V- 最大電流：18A- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：73mΩ @ 10V, 85m
2023-12-20 11:18:21
）：** 60V，表示MOSFET的耐壓上限，可用于需要較高電壓的電路。- **持續電流（ID）：** 45A，表示MOSFET可以承受的最大電流。- **導通電阻（RDS(O
2023-12-18 09:05:59
型號: FDS3672-NL-VB絲印: VBA1104N品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 100V- 最大電流: 9A- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 32m
2023-12-16 09:50:18
型號: IRF530S-VB絲印: VBL1101M品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 100V- 最大電流: 20A- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 100m
2023-12-15 13:48:13
型號: FDC6401N-VB絲印: VB3222品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 20V- 最大電流: 4.8A- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 22m
2023-12-15 10:15:22
型號: BSO072N03S-VB絲印: VBA1311品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 30V- 最大電流: 12A- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 12m
2023-12-15 09:25:38
型號：IRF640NS-VB絲印：VBL1208N品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：200V- 最大電流：40A- 導通電阻（RDS(ON)）：48m
2023-12-14 17:14:22
型號: MCH3409-TL-VB絲印: VBK1270品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 20V- 最大電流: 4A- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 45m
2023-12-14 16:35:15
型號：FQD3N50C-VB絲印：VBE165R04品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：650V- 最大電流：4A- 導通電阻（RDS(ON)）：2200m
2023-12-14 16:10:27
型號: BF1107-VB絲印: VB162K品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 60V- 最大電流: 0.3A- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 2800m
2023-12-14 15:40:19
型號：FDC637AN-VB絲印：VB7322品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：6A- 導通電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V
2023-12-14 15:12:28
型號: 44N10-VB絲印: VBM1104N品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 100V- 最大電流: 55A- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 36m
2023-12-14 13:42:59
：1.2V；封裝：SOT23-6應用簡介：P2402CAG (VB7322) 是一款N溝道MOSFET，適用于需要中等功率電流控制的應用。其中等導通電阻使其在多種應用中
2023-12-08 16:34:43
;應用簡介：N3PF06適用于功率開關和逆變器等應用的P溝道MOSFET。其低導通電阻和高耐壓特性有助于降低功率損耗和提高效率。適用領域與模塊：適用于電源開關、逆變器和功
2023-12-08 16:18:17
IRLR7843TRPBF (VBE1303)參數說明:極性：N溝道；額定電壓：30V；最大電流：100A；導通電阻：2mΩ @ 10V, 3mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V
2023-12-08 15:47:58
：IRLR3110ZPBF適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關、電機控制和逆變器等領域模塊。其極低的導通電阻使其在低電壓降場景中性能卓越。優勢與適用領域
2023-12-08 15:44:47
IRFR1205TRPBF (VBE1638)參數說明:極性：N溝道；額定電壓：60V；最大電流：45A；導通電阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V
2023-12-08 15:21:47
;應用簡介：FR3505是一款高功率N溝道MOSFET，適用于高電流、高功率的應用，常見于電機驅動、電源開關和電池管理等領域模塊。其低導通電阻和高電流承載能力使其
2023-12-06 15:31:48
：CES2312是一款中低電壓N溝道MOSFET，適用于電源開關、電機控制和穩壓等應用。其低導通電阻和可調的閾值電壓使其在多種場景中具備靈活性。優勢與適用領域：具有
2023-12-06 14:05:49
適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關、電機控制和逆變器等領域模塊。其極低的導通電阻使其在低電壓降場景中性能卓越。優勢與適用領域：適用于高功率應用，如電源開
2023-12-06 13:38:03
是一款高電流N溝道MOSFET，適用于高性能電源開關、電機控制和逆變器等領域模塊。其低導通電阻和高電流承載能力使其在大電流應用中表現優異。
2023-12-06 11:56:13
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
電路和外置場效應晶體管驅動電路等，具有外部元件少，電路簡單等優點。
當接通輸入電源后，FS4067進 入充電狀態，控制外置N溝道MOSFET導通，電感電流上升，當上升到外部電流檢測電阻設置的上限時，外置
2023-11-21 12:14:43
的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:56189 電子發燒友網站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:290 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N溝道功率MOSFET。絲印為VBE1307，具有以下詳細參數 額定電壓（Vds） 30V
2023-11-08 15:51:23
型號 NTR4170NT1G絲印 VB1330品牌 VBsemi詳細參數說明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 30V- 最大電流 6.5A- 導通電阻 30mΩ@10V, 33m
2023-11-07 10:46:53
型號 AP2306GN絲印 VB1240品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 20V 最大電流 6A 導通電阻 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V
2023-11-06 10:21:13
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
型號 IRF8788TRPBF絲印 VBA1302品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 20A 導通電阻 4mΩ@10V, 4.5m
2023-11-03 15:31:19
型號 STD10NF10T4絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導通電阻 115mΩ@10V, 121m
2023-11-03 13:44:15
型號 AO4430絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導通電阻 5mΩ @10V, 6.5mΩ @4.5V
2023-11-03 11:26:46
型號 FDT86113LZ絲印 VBJ1101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 5A 導通電阻 100mΩ@10V, 120m
2023-11-02 11:37:02
型號 AO3416絲印 VB1330品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6.5A 導通電阻 30mΩ @10V, 33mΩ @4.5V
2023-11-01 14:27:18
型號 15N10 TO251絲印 VBFB1101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 15A 導通電阻 115mΩ @10V
2023-11-01 13:45:32
型號 AFN4634WSS8RG絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導通電阻 5mΩ @10V, 6.5m
2023-11-01 11:21:18
型號 RSD050N10TL絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導通電阻 115mΩ @10V
2023-10-31 14:54:56
IRLR3410TRPBF詳細參數說明 極性 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 18A 導通電阻 115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V
2023-10-31 14:23:09
型號 IRF7413TRPBF絲印 VBA1311品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 12A 導通電阻 12mΩ @10V, 15m
2023-10-31 11:06:50
型號 FDC3512絲印 VB7101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 3.2A 導通電阻 100mΩ @10V, 127m
2023-10-31 10:23:37
IRFR4620TRPBF詳細參數說明 極性 N溝道 額定電壓 200V 額定電流 25A 導通電阻 54mΩ @ 10V, 112mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V
2023-10-30 11:06:43
精密電阻和普通電阻的區別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區別在于精度和穩定性。本文將詳細介紹
2023-10-29 11:21:55933 型號 AP4563GH絲印 VBE5415品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N+P溝道MOSFET 最大耐壓 ±40V 最大電流 50A/50A 導通電阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13
型號 BSN20絲印 VB162K品牌 VBsemi詳細參數說明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 60V- 最大電流 0.3A- 導通電阻 2800mΩ @10V, 3000m
2023-10-28 09:33:35
FDC5661N詳細參數說明 - 極性 N溝道- 額定電壓 60V- 額定電流 7A- 導通電阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V- 門源電壓 20Vgs (±V
2023-10-27 17:10:05
AOB414 (VBL1102N)參數說明：N溝道，100V，70A，導通電阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓2V，封裝：TO263。應用簡介：AOB414適用于高
2023-10-26 16:36:04
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
我們知道，SiC MOSFET現階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發的導通電阻和閾值電壓等問題，最近，日本東北大學提出了一項新的外延生長技術，據說可以將柵氧界面的缺陷降低99.5%，溝道電阻可以降低85.71%，整體SiC MOSFET損耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49611 
? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
電子發燒友網站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 07:30:53
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:55
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:44
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
射頻電阻和普通電阻區別? 隨著科技的不斷進步和應用范圍的擴大，射頻技術在越來越多領域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 垂直導電平面結構功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應，如果把水平的溝道變為垂直溝道，從側面控制溝道，就可以消除JFET效應。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統設計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
和卓越的功率特性而聞名。無論是高性能工業設備還是創新電子產品，STF140N6F7都能勝任。STF140N6F7擁有60V的工作電壓，典型導通電阻僅為0.0031
2023-08-21 16:34:33
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要
2023-08-18 08:32:56513 
Q A 問： Vishay熱敏電阻的計算工具 (阻值-溫度表) Vishay 熱敏電阻的計算工具為Vishay 的許多 ? NTC 熱敏電 ? 提供了一個電阻-溫度表。此免費工具可下載到任何一臺
2023-07-05 20:05:09295 
。功率MOSFET的漏極之間有一個寄生二極管，當漏極與反向電壓連接時，器件連接。功率MOSFET的導通電阻具有正溫度系數，有利于并聯器件時的均流。
2023-07-04 16:46:37975 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:14477 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
在H橋電路中實現P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
PTS4842 N溝道高功率MOSFET規格書
PTS4842采用溝槽加工技術設計，實現極低的導通電阻。并且切換速度快，傳輸效率提高。這些特征結合在一起，使這種設計成為一種適用于各種DC-DC應用的高效可靠的設備。
2023-06-14 16:55:480 AEC-Q200 認證，采用 SOT-227 小型封裝，可直接安裝在散熱器上的全新厚膜功率電阻。? Vishay MCB? ISOA? 具有高脈沖處理能力，在 85?C底殼溫度下，功率耗散達 120
2023-06-03 08:25:02533 
。“導通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數，但對于普通的MOSFET而言，由于導通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
高壓SiC MOSFET的結構和技術存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區的導通電阻隨電壓等級相應增加，其他結構（溝道、JFET區等）的存在進一步提高了總導通電阻。
2023-05-04 09:43:181393 
ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
中國上海， 2023 年 3 月 30 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
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