恩智浦推出全新面向工業與物聯網應用的MCX微控制器產品組合，賦能安全邊緣計算，其中MCX N系列為用戶帶來高能效多任務處理、AI加速、智能外設與靈活的開發體驗。
2024-03-21 13:33:11
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臺積電的 Suk Lee 發表了題為“摩爾定律和半導體行業的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導體行業傳奇而動蕩的歷史中發掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
和自適應 SoC 產品組合的最新成員。Spartan UltraScale+ 器件能為邊緣端各種 I/O 密集型應用提供成本效益與高能效性能，在基于 28 納米及以下制程技術的
2024-03-07 14:33:2389 
IGBT應用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動變頻器，此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
在IGBT短路時，假設在導通時短路，此時IGBT驅動電壓達到穩定高值，就是IGBT已經完全導通，此時刻觸發外部電路短路，用示波器查看驅動電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時間內響應后，驅動電壓
2024-02-25 11:31:12
IGBT模塊或者單管應用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達到穩定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號轉換為高電壓、高電流能力的輸出信號。在工業控制和電源
2024-02-20 11:00:57204 為什么IGBT的短路耐受時間只有10us？10us又是如何得來的？ IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種常用的功率半導體器件，用于控制高功率的電流和電壓。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體
2024-02-18 15:54:55235 IGBT導通過程發生的過流、短路故障 IGBT導通過程中可能發生的過流、短路故障一直是電力電子領域研究的熱點問題之一。IGBT 是一種新型的功率半導體器件，它結合了普通晶體管的低壓控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 IGBT開通過程發生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導體器件，常用于電力電子領域。它具有開關速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優點，因此在各種電源、驅動、變換和控制系統中得到廣泛應用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 IGBT過流和短路故障的區別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導體功率開關器件。在工業和電力領域廣泛應用，常常用于高壓、高電流的開關電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32274 在電力電子技術領域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應用的半導體開關器件。它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極型晶體管（BJT）的載流能力強的優點。
2024-02-18 10:29:261055 
IGBT應用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應用的半導體器件。在實際應用中，IGBT可能會遭遇多種短路類型。下面，我將詳細介紹IGBT應用中常見的短路類型。 1. IGBT內部開路
2024-02-18 10:21:57222 短路是什么原因造成的 igbt上下橋短路原因? 短路是一種電路故障，其特點是電流繞過正常的電路路徑，通過一條或多條低阻抗的路徑流過。IGBT是一種常見的功率半導體器件，可用于控制和放大電流
2024-02-18 10:08:38322 短路耐受時間是指IGBT在短路條件下能夠持續導通而不發生故障的時間。這個參數對于系統保護策略的設計至關重要，因為它決定了系統在檢測到短路并采取措施（如關閉IGBT或限制電流）之前可以容忍的最長
2024-02-06 16:43:251317 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個復雜且多元的問題，涉及多個因素相互作用。以下是對IGBT擊穿短路原因的詳細分析，旨在達到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:53897 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，因其高效率和快速開關特性而受到青睞。
2024-02-06 11:14:40303 由于短路會導致負載電阻降低或短路，使得電流突然增大。IGBT作為開關管，其額定電流通常有限，該突然增大的電流可能會超過IGBT管的額定電流，導致IGBT管過電流而被破壞。
2024-02-06 10:26:54574 服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
標準。安森美(onsemi)作為一家半導體供應商，為高要求的應用提供能在惡劣環境下運行的產品，且這些產品達到了高品質和高可靠性。之前我們分享了如何對IGBT進行可靠性測試，今天我們來介紹如何通過可靠性審核程序確保IGBT的產品可靠性。
2024-01-25 10:21:16997 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導體器件，它的特點是結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 客戶，提高我們以完整的系統解決方案完善整體產品組合的能力。這項重組決定是意法半導體推進公司既定戰略重要一步，符合我們向所有利益相關者承諾的價值主張，也與我們在2022年設定的業務和財務目標一致。
2024-01-12 09:21:55277 半導體放電管的選型技巧 半導體放電管是一種用于電子設備中的重要元件。在選型時，需要考慮一系列的因素，包括電壓、電流、功率、封裝、溫度特性等。 一、電壓特性 半導體放電管的電壓特性是選型的首要考慮因素
2024-01-03 13:54:31167 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日推出符合 AEC-Q101 標準的產品組合
2023-12-24 09:32:02490 11 月 28 日，安世半導體 BG MOS 產品線高級應用經理方舟先生，為廣大工程師帶來了《Nexperia車規級 MOSFET - 提升 EV 驅動能效的絕佳選擇》的網絡研討會，重點介紹了安世半導體最新車規級 MOSFET 產品，及其在新能源汽車車身和底盤中的應用。
2023-12-15 10:35:31417 功率半導體冷知識：IGBT短路結溫和次數
2023-12-15 09:54:25311 
根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
技術的產品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產品組合，重點如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實現高功率密度，可用于商用車和農用車(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 
IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？
2023-12-08 16:55:30455 
功率半導體電流額定值和熱設計
2023-12-07 14:36:27233 
功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
這里，我們只關注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312602 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 前段時間與現場設計師討論到額定限制短路電流I~q~這個參數的時候，被問到它與斷路器的額定極限短路分斷能力I~cu~和額定運行短路分斷能力I~cs~的區別，甚至與短時耐受電流I~cw~的差異。
2023-12-04 11:26:44419 
絕對最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對最大額定值 絕對最大額定值是指在任何工作條件下，設備允許的最大電壓、電流、功率以及溫度等參數的界限值。IGBT IPM（Insulated Gate
2023-11-24 14:15:33368 電子發燒友網站提供《ADI電源管理產品組合.pdf》資料免費下載
2023-11-24 11:48:45
0 國內各家（英飛凌、安森美）車載IGBT的產品性能上的對比情況車載IGBT分為幾個層級，主要分為A0/A00級以下，A級車，還有一些專用車例如物流和大巴車。在2015年以前是沒有IGBT車規級的說法
2023-11-23 16:48:00556 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 Synopsys, Inc.11月8日宣布擴展其 ARC處理器 IP 產品組合，納入新的RISC-V ARC-V 處理器 IP，使客戶能夠從各種靈活、可擴展的處理器選項中進行選擇
2023-11-09 12:41:33468 什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 10月30日，2023慕尼黑華南電子展在深圳國際會展中心盛大開幕，珠海極海半導體有限公司（以下簡稱“極海”）攜最新汽車電子、電機控制及工業與能源領域的產品組合及應用解決方案亮相本次展會。
2023-10-31 11:31:15466 IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個IGBT芯片、驅動電路、保護電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設備中的半導體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052492 
萊尼 EcoSense Nxt 和萊尼 EcoSense Nxt+ 拓寬了電纜制造商的產品組合
2023-10-25 10:48:37250 。
比亞迪半導體2007年建立IGBT模塊生產線，2009年完成首款車規級IGBT芯片開發，可提供包含裸芯片、單管、功率模塊等不同形式的產品。于2008年底發布其自研車規級IGBT4.0技術。
l 揚杰
2023-10-16 11:00:14
芯未半導體的半導體項目于去年8月開工。當時芯片未完成項目共投資10億元人民幣，分兩個階段建設，竣工投產后，將向包括igbt芯片、模塊和解決方案構成產品等的電力半導體設計企業提供igbt特有的授權委托加工服務。
2023-10-16 10:13:52390 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
華為全聯接大會2023期間，在"攜手伙伴，加速中小企業智能化"商業市場峰會上，華為發布了三個產品組合，如面向多個行業場景的華為零漫游分布式Wi-Fi解決方案。這些產品組合將幫助合作伙伴在商業市場贏得更多客戶，取得更多成功。
2023-09-26 06:53:48542 絕緣柵雙極晶體管（以下簡稱IGBT）是一種復合半導體器件，融合了MOSFET的快速開關能力、高頻操作、高輸入阻抗、簡單的驅動電路和有利的熱特性等優點，同時還具備了GTR的大電流承載能力和高阻擋電壓
2023-09-21 14:08:161047 
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 。Nexperia在其龐大的產品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉換和電機驅動應用中的功率密度，包括工業電機驅動（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服電機）、機器人、電梯、機器操作手、工業自動化、功率逆變
2023-09-19 02:43:54232 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:39:11586 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ▌峰會簡介第五屆意法半導體工業峰會即將啟程，現我們敬邀您蒞臨現場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導體核心技術，推動加快可持續發展計劃，實現突破性創新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
25年來，技術創新一直是意法半導體公司的戰略核心，這也是意法半導體當前能夠為電力和能源管理領域提供廣泛尖端產品的原因。意法半導體的產品組合包括高效率的電源技術，如：? 碳化硅功率分立器件? 高壓
2023-09-07 07:36:32
意法半導體的廣泛數字電源產品組合可滿足數字電源設計的要求。我們的產品包括MCU（專為數字功率轉換應用而設計，采用全數字控制方法）和數字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲器）。意法半導體
2023-09-07 06:49:47
意法半導體的廣泛數字電源產品組合可滿足數字電源設計的要求。我們的產品包括MCU（專為數字功率轉換應用而設計，采用全數字控制方法）和數字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲器）。意法半導體
2023-09-06 07:44:16
電子發燒友網站提供《Brocade推出Fabric Vision增強第5代產品組合.pdf》資料免費下載
2023-08-29 11:04:190 功能安全是指系統檢測、診斷和安全地緩解故障發生，防止對人和環境造成傷害的能力。
它是在汽車、工業和機器人等市場開發安全關鍵應用的關鍵。
ARM提供產品、工具、平臺和軟件來實現功能安全，從而加快這些安全關鍵型應用程序的上市時間
2023-08-29 06:39:51
Infineon(英飛凌)作為一家全球領先的半導體解決方案提供商，其IGBT管產品在市場上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號:一、英飛凌IGBT管前10熱門
2023-08-25 16:58:531477 
，減少人力資源消耗，為半導體行業降本增效。Novator系列全自動影像儀創新推出的飛拍測量、圖像拼接、環光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測量需求，解決各行業尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06
近日，基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）宣布推出負載開關產品系列，進一步擴充其模擬和邏輯產品組合。NPS4053是本次產品發布的主角，這是一款高密度集成電路(IC
2023-08-18 09:25:07544 精準控制功耗，具備超強系統安全性。 ? 奈梅亨， 2023 年 8 月 17 日 ：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出負載開關產品系列，進一步擴充其模擬和邏輯產品組合
2023-08-17 09:25:18351 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進一步改善短路與通態壓降的矛盾關系，研究了
IGBT 背面工藝對抗短路能力的影響。通過 TCAD 仿真，在 IGBT 處于負載短路工作期間，針對
2023-08-08 10:14:470 半橋和共發射極模塊產品組合。模塊的最大電流規格高達 800 A ，擴展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅動電路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17916 
近年來薩科微半導體發展神速，在掌握第三代半導體碳化硅功率器件技術的基礎上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產品。薩科微副總經理賀俊駒介紹，在功率器件應用市場
2023-07-31 11:14:43404 
今年以來，國外某些國家仍然在拉動其盟友在對中國的半導體領域進行打擊，意味著國產化半導體的進程將進一步加速。如今在國內，是否有純國產的IGBT單管生產廠家的產品型號值得推薦呢？
2023-07-14 10:29:28408 
新推出的ISOFACE雙通道數字隔離器進一步壯大了英飛凌的隔離產品組合，可廣泛適用于服務器、通信和工業SMPS、工業自動化系統、電機控制和驅動、儲能系統及太陽能逆變器等各種應用。
2023-07-06 09:55:00228 。Nexperia在其龐大的產品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉換和電機驅動應用中的功率密度，包括工業電機驅動（例如
2023-07-05 16:34:291053 IGBT作為一種新型功率半導體器件，是工業控制及自動化領域的核心元器件，其作用類似于人類的心臟，能夠根據裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的。因此，IGBT
2023-06-25 15:37:321286 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 現可提供具備高效開關和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封裝 ? 奈梅亨， 2023 年 6 月 21 日： 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布擴充NextPower
2023-06-21 09:21:57595 
盡管當前全球半導體產業處于下行周期，總體市場氛圍需求不振，但依然存在IGBT等少數供不應求的領域。消息稱，英飛凌、意法半導體國外大廠IGBT交期均在50周以上，產能緊張或將持續至2025年。而這
2023-06-19 15:35:08360 Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Nexperia | 擴展用于汽車以太網的 ESD 保護解決方案產品組合 Nexperia（安世半導體）宣布擴展其備受贊譽的汽車以太網 ESD 保護器件產品組合。 近日，基礎半導體器件領域的專家
2023-05-29 10:33:19363 Wolfspeed 產品組合涵蓋大量需要低至高功率解決方案的許多行業和應用，包括電動汽車（EV）、工業電源、電網基礎設施、太陽能和可再生能源、測試設備、不間斷電源（UPS）和其它高功率系統。其中包括
2023-05-20 15:20:11508 Diodes 公司（Diodes） （Nasdaq：DIOD） 宣布推出同步降壓轉換器產品組合的新產品。AP62500和AP62800 的連續輸出電流額定值分別為5A 和8A，讓工程師在開發針對效率或尺寸進行優化的負載點（POL） 解決方案時，更具彈性。
2023-05-15 16:11:29556 當地時間5月9日，全球領先的功率半導體供應商瑞能半導體攜其最新產品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET
2023-05-10 14:19:30770 
據統計，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲能逆變器里占比高、數量多，是必不可少的半導體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用輸入輸出（GPIO）擴展器產品組合，旨在提高電子系統的靈活性和重復利用能力。其中
2023-05-04 17:34:04898 
產品組合，旨在提高電子系統的靈活性和重復利用能力。其中一款GPIO擴展器NCA9595采用可通過寄存器配置的內部上拉電阻，可根據實際需要自定義以優化功耗。當需要擴展I/O數量時，利用該產品組合可實現簡潔的設計，同時盡可能減少互連。這有助于設計工程師增添新功能，而且不會增加
2023-04-28 10:37:19612 
）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
及前瞻產業研究院數據，預計2021年我國半導體分立器件市場規模將達到3,229億元。就國內市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產業研究院數據，預計2021年我國半導體分立器件市場規模將達到3,229億元。就國內市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其
2023-04-14 13:46:39
中國北京（2023年4月12日）—業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice今日宣布，旗下車規級GD25/55 SPINOR Flash和GD5F SPI NAND Flash系列產品
2023-04-13 15:18:46
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:17
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:13
IGBT是高頻開關器件，芯片內部的電流密度大。當發生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結溫升高，導致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。
2023-04-06 17:31:175475 
新工具帶來元器件級測試和外場測試解決方案，為當前電動交通充電測試產品提供強大補充 解決方案以通信協議為側重點，通過一致性測試和型式認證提高產品互操作性 擴大后的產品組合可為整個電動汽車充電開發
2023-03-28 18:41:101326 IGBT模塊作為汽車電驅系統最常昂貴的開關元件。IGBT同時具有功率MOSFET導通功率小及開關速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導體元件
2023-03-23 16:01:54
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