IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
蓉矽半導體近日宣布，其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30
228 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19282 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35331 納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場上其他領先的解決方案相比， SPM31
2024-02-27 16:04:04458 
第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場上其他領先的解決方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而總體
2024-02-27 15:42:11121 智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發布暨代理商大會。此次大會上，至信微發布了一系列行業領先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:17286 本文介紹了針對電機驅動進行優化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術，與標準技術相比，可大幅減少靜態損耗，并具備高可控性。而二極管因為優化了場截止設計，其振蕩發生
2024-01-09 14:24:50232 
IGBT 是應用最廣泛的可控功率電子開關，一個200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎？它可以每個周期快速關斷600安培的電流，電流密度高達300安培每平方厘米！這個耐壓1200V的IGBT芯片只有紙張的厚度，可以想象圍繞芯片的物理界面的機械應力會有多大。
2023-11-27 09:39:42434 
什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 描述 EiceDRIVER?緊湊型 - 寬體封裝電流隔離式單通道IGBT驅動器IC，采用CT技術，適用于600V / 1200V IGBT模塊。 特性 ? 根據
2023-11-08 15:42:59
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBT MODULE 1200V 5000W
2023-11-01 10:26:39
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10422 
2023年10月，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異，開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:26485 
;1200V系列SiC二極管。
陸芯科技的產品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、單管和模塊，具有以下技術優勢：通過優化耐壓終端環，實現IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達到工業級和汽車級可靠性
2023-10-16 11:00:14
來源：半導體芯科技編譯 Magnachip開始全面量產用于電動汽車PTC加熱器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V絕緣
2023-09-19 16:04:38306 繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應用在PrimePACK模塊中，再次刷新
2023-09-14 08:16:10430 
型號：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導通
2023-08-25 16:58:531477 
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產品型號為 JHY140N120HA。產品外觀和內部電路拓撲如下圖所示。
2023-08-25 15:40:571056 
新品用于高速開關應用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測
2023-07-31 16:57:59584 增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 在此方向上，青桐資本項目伙伴「量芯微半導體（GaNPower）」（以下簡稱「量芯微」）在全球范圍內率先實現1200V 硅基GaN HEMT的商業化量產，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進行了器件測試。
2023-07-19 16:37:301366 
RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:50
0 RJH1CM6DPQ-E0 數據表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM7DPQ-E0 數據表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CV7DPQ-E0 數據表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 的汽車驅動產品來實現“充電五分鐘續航百公里”的效果。 ? 針對這一需求，士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅動模塊——600A/1200V IGBT模塊（B3模塊）, 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力，為用戶帶來更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735 本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機
2023-05-31 16:51:27636 EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產品，用于高功率應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機（高達10kW）。
2023-05-18 16:18:24315 合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 RJH1CM6DPQ-E0 數據表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM7DPQ-E0 數據表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CV7DPQ-E0 數據表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 隨著全球電氣化技術的快速發展，對功率模塊的需求已經達到了前所未有的程度，相關產品的市場規模急劇擴大，幾乎超出了芯片制造商的產能提升速度。
2023-05-10 10:48:02279 中，采用了羅姆的新產品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常務執行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右） 隨著全球電動化技術的快速發展，對功
2023-04-26 15:27:11517 
。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51606 
以下文章來源于安森美，作者安森美領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業界領先的性能
2023-04-06 16:07:10367 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應用。產品特點得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產品系列產品型號：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58674 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
2023-03-29 15:28:40
IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
2023-03-29 15:28:38
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:15
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:11
IGBT 1200V 9A 45W TO252AA
2023-03-29 15:24:50
IGBT 1200V 9A 45W TO252AA
2023-03-29 15:24:47
IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
2023-03-29 15:16:31
IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
2023-03-29 15:16:31
IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
2023-03-29 15:16:29
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:46
IGBT MODULE 1200V 183A HEX
2023-03-29 15:14:45
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:42
IGBT MODULE 1200V 325A
2023-03-29 15:14:41
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:39
IGBT MODULE 1200V 250A
2023-03-29 15:14:38
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
2023-03-29 15:14:37
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:31
IGBT MODULE 1200V 250A
2023-03-29 15:14:30
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:22
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:19
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:15
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:13
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:12
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:12
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:08
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 28A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:02
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:01
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:01
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:57
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:56
IGBT 1200V 88A SOT-227B
2023-03-29 15:13:54
IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
2023-03-29 15:13:53
IGBT 1200V 100A SOT-227B
2023-03-29 15:13:53
電子發燒友App
工商網監
評論