英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19282 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35331 碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實現更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125 碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 在當今快速發展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 碳化硅二極管的優點和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應用。與傳統的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優點和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:27408 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33455 
MOS管在直流充電樁上的應用，推薦瑞森半導650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
和IGBT的區別。 1. 結構差異： 碳化硅是一種化合物半導體材料，由碳原子和硅原子組成。它具有非常高的熔點和熱導性，使其在高溫和高功率應用中具有出色的性能。碳化硅晶體管的結構通常更復雜，由多個寄生二極管組成，因此其電子流動路徑更復
2023-12-08 11:35:531782 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10422 
三安光電目前擁有1200V系列碳化硅二極管（sic）和mosfet，可應用于800v平臺。其中，碳化硅（sic）二極管產品經過持續的反復作業，推出了第四代高性能產品，7種產品通過汽車規格認證
2023-10-12 10:59:55617 ，有助于滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴展了SBD的應用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極管(FWD)構成，續流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(SBD)。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果
2023-09-22 10:26:25205 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260 碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規模生產，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:02879 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451805 
如今，大多數半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。
2023-09-05 10:56:05277 
在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia
2023-08-14 16:06:29540 
寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現的高功率應用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優勢。
2023-08-04 11:04:17480 1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高電壓、高性能 Z-Rec ?碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式，可
2023-07-31 10:15:57
1200 V、20 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 10:13:58
電壓/高溫測試的 1200 V 碳化硅 (SiC) 二極管。E 系列二極管非常適合車載和非車載汽車充電器應用以及太陽能逆變。 特征1200
2023-07-31 10:05:53
1200 V、15 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 10:03:33
1200 V、10 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 10:01:33
電壓/高溫測試的 1200 V 碳化硅 (SiC) 二極管。E 系列二極管非常適合車載和非車載汽車充電器應用以及太陽能逆變。 特征1200 伏肖特基整流
2023-07-31 09:58:26
1200 V、8 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 09:52:20
1200 V、5 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 09:50:22
1200 V、2 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 09:46:38
碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451092 ??1700V,25A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標準高于標準硅溶液,同時達到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00
1700V,10A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標準高于標準硅溶液,同時達到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管
2023-07-27 10:19:54
1700V,5A,至247-2包件,第6代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標準高于標準硅溶液,同時達到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管可以很
2023-07-27 10:17:56
1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 10:16:08
1200V,40A,至247-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D40120H是一個1200V離散碳化硅肖特基二極管(40A),其特點是MPS(合并PIN肖特基)設計,是更強大和可靠
2023-07-27 10:14:00
1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:58:50
1200V型,30A型,至247-2型包,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D30120H是一個1200V離散碳化硅肖特基二極管(30A),其特點是MPS(合并PIN肖特基)設計,是更強
2023-07-27 09:46:22
1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:44:25
1200V,20A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管
2023-07-27 09:40:47
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:34:59
1200V型,20A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:32:48
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:30:31
1200V型,15A型,到220-2型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:14:59
1200V型,15A型,至247-3型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:11:43
1200V型,15A型,至247-2型包,第4代離散的SCHHOSTKY二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準
2023-07-27 09:09:11
1200V型,10A型,到220-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:49:42
1200V型,10A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-26 17:46:42
1200V型,10A型,到252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:43:35
1200V型,10A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:41:29
1200V,8A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:30:11
1200V,8A,到252-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:27:50
1200V,5A,到220-2包件,第4代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格,
2023-07-26 17:25:50
1200V型,5A型,至252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格.
2023-07-26 17:23:39
1200V,2A-220-2包件,第4代離散S肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:19:54
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:17:31
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:15:10
600 V、20 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:50:38
600 V、16 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:46:45
600 V、10 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:39:12
600 V、10 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:29:01
600 V、8 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:24:29
600 V、8 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:21:52
600 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:17:04
600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:14:55
600 V、6 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:12:16
600 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:09:36
600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:07:08
600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 09:51:09
600 V、3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 09:21:52
600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:45:09
600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:42:41
600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:37:00
600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:32:22
600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42
600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:23:06
等特性，從而降低了能耗并縮小了系統尺寸。特別是在光伏、儲能、充電和電動汽車等高壓大功率應用中，碳化硅材料的優勢得以充分發揮。 納芯微全新推出1200V系列SiC二極管產品，該系列產品專為光伏、儲能、充電等工業場景而設計。 其
2023-07-10 15:45:02324 
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6，原裝，庫存現貨熱銷 MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5
2023-07-05 15:50:06
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
2023-06-15 10:36:54205 
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34800 碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導體器件，具有低開啟電壓、高速開關、高溫性能等優點，廣泛應用于電源、驅動、逆變器、電動汽車等領域。
2023-06-04 16:09:002089 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統成本。
2023-05-25 10:39:07281 根據公司披露：上海瀚薪具備多年的車規級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發及量產經驗。量產產品均在各市場龍頭企業得到認可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903 
、高速數字電路、射頻電路等領域。相比于普通的 pn 結二極管，肖特基二極管的 pn 結由金屬與半導體材料直接接觸形成，而不是由摻雜半導體 。其工作原理為，當肖特基二極管正向偏置時，電子從金屬側進入半導體中
2023-05-23 14:47:57
了解電源中碳化硅 （SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設計過程中的關鍵組件。與硅基技術相比，作為一項相對較新的技術，可視化這些碳化硅組件的性能可以幫助設計人員更輕松地利用這項技術。
2023-05-20 17:02:261014 
碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關損耗也較低，通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術領域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277 
年來碳化硅材料應用于電子設備技術有了長足的發展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優點
2023-05-05 17:00:1195 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數及反向恢復時間接近零的特點，使得在PFC電路（功率因數校正）上的MOSFET開通損耗減少，效率得到進一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384 
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結構，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細節等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:48
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