等公司是這一歷史階段的先驅。現在，ASIC 供應商向所有人提供了設計基礎設施、芯片實施和工藝技術。在這個階段，半導體行業開始出現分化。有了設計限制，出現了一個更廣泛的工程師社區，它們可以設計和構建定制
2024-03-13 16:52:37
為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
376 
想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
采用熱增強封裝技術的 100V GaN 功率級，可將解決方案尺寸縮小 40% 以上，提高功率效率，并將開關損耗降低 50%。 業界超小型 1.5W 隔離式直流/直流模塊可為汽車和工業應用提供比之前
2024-03-07 16:03:04211 電子發燒友網站提供《1.5A 輸出電流高功率密度降壓/升壓轉換器TPS631000數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-07 10:23:21
0 新聞亮點： 采用熱增強封裝技術的 100V GaN 功率級，可將解決方案尺寸縮小 40% 以上，提高功率效率，并將開關損耗降低 50%。 業界超小型 1.5W 隔離式直流/直流模塊可為汽車和工業
2024-03-06 14:40:5370 
? 在處理激光光學時，功率和能量密度是需要理解的兩個重要概念。這兩個術語經常互換使用，但含義不同。表1定義了與激光光學相關的功率密度、能量密度和其他相關術語。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:22167 
管控，能采用精細化管理模式，在細節上規避常規問題發生；再從新時代發展背景下提出半導體封裝工藝面臨的挑戰，建議把工作重心放在半導體封裝工藝質量控制方面，要對其要點內容全面掌握，才可有效提升半導體封裝工藝質量。 引言 從半導
2024-02-25 11:58:10275 
共讀好書 半導體產品在由二維向三維發展，從技術發展方向半導體產品出現了系統級封裝（SiP）等新的封裝方式，從技術實現方法出現了倒裝（FlipChip），凸塊（Bumping），晶圓級封裝（Wafer
2024-02-21 10:34:20176 
來源：半導體芯科技SiSC 功率半導體是電子產業鏈中最核心的器件之一，能夠實現電能轉換和電路控制，在電路中主要起著功率轉換、功率放大、功率開關、線路保護、逆流及整流等作用。后道封裝是保證器件可靠性
2024-01-12 17:00:06673 
2024年1月4日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:01227 
隨著科技的飛速發展，半導體已經成為現代社會不可或缺的核心元器件。半導體封裝作為半導體產業鏈的重要環節，對保護芯片、提高芯片性能和降低生產成本具有重要意義。本文將以雙列直插式封裝（Dual In-line Package，DIP）為例，探討半導體封裝的發展歷程、技術特點、應用領域及未來趨勢。
2023-12-26 10:45:21414 
AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案
2023-12-25 13:36:42235 
在電力電子系統的設計和優化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07276 
過去幾十年里，半導體技術快速發展，芯片特性顯著提升。大功率半導體器件是由多顆半導體裸芯片通過封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無法匹配芯片特性等挑戰。
2023-12-20 09:47:43417 
新半導體技術將提升功率轉換效率
2023-12-15 09:18:51165 
在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導體封裝的不同分類，包括制造半導體封裝所用材料的類型、半導體封裝的獨特制造工藝，以及半導體封裝的應用案例。
2023-12-14 17:16:52442 
電子發燒友網站提供《最大限度地提高高壓轉換器的功率密度.doc》資料免費下載
2023-12-06 14:39:00308 功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
2023-12-05 15:06:06364 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
新的寬帶隙半導體技術提高了功率轉換效率
2023-11-30 18:00:18212 
通過GaN電機系統提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
異構集成時代半導體封裝技術的價值
2023-11-28 16:14:14223 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38279 
非互補有源鉗位可實現超高功率密度反激式電源設計
2023-11-23 09:08:35284 
隨著汽車行業逐步縱深電氣化，我們已經創造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
高功率應用需要高功率密度和可靠的功率半導體，且成本合理。分立器件降低了解決方案的總成本，但在重負載循環期間必須承受高熱要求。為了滿足這些要求，功率半導體應具有較低的總損耗，使用標準封裝中最大的芯片
2023-11-16 17:26:531059 
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續下去，從而實現新的市場、應用和產品。這篇博客向設計工程師介紹了意法半導體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術，幫助
2023-11-16 13:28:337015 
其實除了這些傳統的封裝，還有很多隨著半導體發展新出現的封裝技術，如一系列的先進封裝和晶圓級封裝等等。盡管半導體封裝技術不斷發展，但仍面臨著一些挑戰。首先，隨著半導體元件尺寸的不斷縮小，封裝
2023-11-15 15:28:431071 
環氧模塑料是一種重要的微電子封裝材料, 是決定最終封裝性能的主要材料之一, 具有低成本和高生產效率等優點, 目前已經成為半導體封裝不可或缺的重要材料。本文簡單介紹了環氧模塑料在半導體封裝中的重要作用
2023-11-08 09:36:56533 
功率半導體是電力電子技術的關鍵組件，主要用作電路和系統中的開關或整流器。如今，功率半導體幾乎廣泛應用于人類活動的各個行業。我們的家電包括功率半導體，電動汽車包括功率半導體，飛機和宇宙飛船包括功率半導體。
2023-11-07 10:54:05459 
功率半導體，作為現代電子領域的關鍵組成部分，扮演著將電能轉化、控制和分配到各種設備的重要角色。專門設計用于處理高功率電信號和控制電力流動的半導體器件，與低功率應用中使用的小信號半導體不同，功率半導體經過優化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27490 
充電機(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調等汽車系統，產品優點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統設計靈活性。 ? 新模塊內置1200V SiC功率開關管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術確保碳化硅開關管具有
2023-10-31 15:37:59887 
泵、空調等汽車系統，產品優點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統設計靈活性。 ? 新模塊內置1200VSiC功率開關管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術確保碳化硅開關管具有很低的導通電阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262 作者簡介作者：OmarHarmon,ZhenboZhao,LukasHein翻譯：ZhaoKai/摘要/今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發熱充分
2023-10-28 08:14:58517 
高功率密度、非常緊湊的設計和簡化的裝配過程。該產品系列為系統設計人員提供了四件裝、六件裝和圖騰柱配置的選擇，以提高其靈活性。 這些模塊包括1,200V SiC電源開關，采用意法半導體尖端的第二代和第三代SiC MOSFET技術，以確保最小的RDS(on)值。這些器件以最小的溫度依賴性
2023-10-26 17:31:32741 模塊的高效率、高功率密度和高可靠性的挑戰需要通過持續的模塊改進來支持。阻斷電壓為 1700V 和 3300V 的全 SiC MOSFET 模塊已從研究階段成功開發到量產，并滿足最高的牽引質量、可靠性和性能標準。 封裝和芯片移位 近年來，下一代高功率
2023-10-24 16:11:30382 
隨著寬禁帶半導體的發展，功率半導體器件往更高的功率密度，更高的芯片溫度以及更高的可靠性方向發展，相應地也對于功率半導體模塊封裝的提出了更高的要求。
2023-10-22 09:27:32503 
解更多公司，建議查詢相關網站。 sic功率半導體技術如何實現成果轉化 SIC功率半導體技術的成果轉化可以通過以下途徑實現： 與現有產業合作：尋找現有的使用SIC功率半導體技術的企業，與他們合作，共同研究開發新產品，將技術轉化為商業化
2023-10-18 16:14:30586 點擊 “東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導率、高熱導率等優越的物理性能，應用前景廣闊。 目前，東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02268 
電驅和電控向大功率等級方向發展，短時峰值功率輸出能力越來越高，實現更好的用戶體驗 電驅和電控向高功率密度方向發展，節省整車空間，降低整車重量
2023-10-17 15:31:472124 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅動或電力系統等應用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
半導體封裝技術的發展一直都是電子行業持續創新的重要驅動力。隨著集成電路技術的發展，半導體封裝技術也經歷了從基礎的封裝到高密度、高性能的封裝的演變。本文將介紹半導體封裝工藝的四個等級，以助讀者更好地理解這一關鍵技術。
2023-10-09 09:31:55932 
主體結構采用SPM的結構，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:51201 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個有待解決的重要問題。另外，早期應用的故障率遠高于預期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰是繼續提高功率密度和效率，并提升可靠性和經濟性，以滿足未來應用需求。本文將介紹寬帶隙 （GaN） 技術，以及該技
2023-10-03 14:26:00305 
半導體封裝是半導體制造過程中不可或缺的一部分，它保護了敏感的半導體元件并提供了與其他電子組件的電氣和機械接口。本文將詳細探討半導體封裝的功能和應用范圍。
2023-09-28 08:50:491270 
電力電子產品設計人員致力于提升工業和汽車系統的功率效率和功率密度，這些設計涵蓋多軸驅動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術設計了波長為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術設計了高效激光器驅動電路，整機具有散熱好、低功耗和高可靠性等優點。
2023-09-19 08:23:52
了該封裝的功率密度上限。目標應用領域：1200VP7模塊首發型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產品，新的IGBT7產品進一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430 意法半導體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經驗…? 適用于汽車的高生產率
2023-09-08 06:33:00
和管理者。今年，Nexperia（安世半導體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產品現已雙雙入圍年度功率半導體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140 目前BGA封裝技術已廣泛應用于半導體行業，相較于傳統的TSOP封裝，具有更小體積、更好的散熱性能和電性能。
在BGA封裝的植球工藝階段，需要使用到特殊設計的模具，該模具的開窗口是基于所需的實際焊球
2023-08-21 13:38:06
從事半導體行業，尤其是半導體封裝行業的人，總繞不開幾種封裝工藝，那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術。
2023-08-21 11:05:14524 
，比如近幾年，單電機的功率越來越大，功率密度越來越高，每一次性能上的提升都是材料、散熱、電路控制方面的進步。 ? 此前《中國制造2025重點領域技術路線圖》中的目標是，到2025年和2030年，國內乘用車驅動電機20s有效比功率分別要達到≥
2023-08-19 02:26:001870 
依靠簡單的經驗法則來評估電源模塊密度的關鍵因素是遠遠不夠的，例如電源解決方案開關頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅動系統密度的負載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統和相關器
2023-08-18 11:36:27264 大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現更高的環保效率。
2023-08-18 11:21:40355 
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現更高的環保效率。
2023-08-18 11:05:26237 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
近年來，半導體封裝變得越發復雜，更加強調設計的重要性。半導體封裝設計工藝需要各類工程師和業內人士的共同參與，以共享材料信息、開展可行性測試、并優化封裝特性。在之前的文章：[半導體后端工藝:第四篇
2023-08-07 10:06:19361 
從事半導體行業，尤其是半導體封裝行業的人，總繞不開幾種封裝工藝，那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術。
2023-08-01 11:48:081172 
電子發燒友網站提供《高功率密度200W游戲適配器TM PFC+HB LLC轉換器.pdf》資料免費下載
2023-07-31 15:28:514 ，通過檢測，來判斷產品的性能，是否仍然能夠符合預定要求，以便于產品設計、改進、鑒定及出廠檢驗用。半導體激光器封裝件高低溫循環試驗箱技術參數:1、工作室尺寸：按用戶要
2023-07-21 17:23:17
幾乎每個應用中的半導體數量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設計挑戰都歸結于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34220 
為什么提高功率密度是轉換器設計人員的重要目標？不論是數據中心服務器等能源密集型系統，還是道路上越來越智能的車輛，為其供電的電源轉換電路需要能夠在更小的空間內處理更大的功率。真的就是那么簡單。
2023-07-08 11:14:00343 無獨有偶，在車規級功率半導體領域布局的車企不止吉利一家。近日，深藍汽車與斯達半導體達成合作，雙方組建了一家名為 " 重慶安達半導體有限公司 " 的全新合資公司，雙方將圍繞車規級功率半導體模塊開展合作，共同推進下一代功率半導體在新能源汽車領域的商業化應用。
2023-06-25 16:47:45556 
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
半導體芯片是如何封裝的？這是一個很好的問題。半導體芯片通常需要被封裝起來才能使用。封裝工藝的目標是將裸露的芯片保護起來，同時連接它們到外部引腳，以便于在電路板等設備中使用。
2023-06-21 14:33:561349 升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設計
2023-06-21 07:35:15
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
功率密度本設計實現35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標準足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優化產品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
OBC和低壓DC/DC的集成設計可以減小系統的體積;提高功率密度，降低成本。寬帶隙半導體器件GaN帶來了進一步發展的機遇提高電動汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
微電子封裝用主流鍵合銅絲半導體封裝技術
2023-06-06 10:25:48424 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構建RF功率放大器（PA）的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057 
功率密度和靈活性便是 Wolfspeed 和 Astrodyne TDI（ATDI）合作的原因，雙方一同挖掘 SiC 技術的優勢，以滿足現代半導體制造/工藝設備的多種電源需求。我們攜手使用 SiC
2023-05-20 15:46:51436 
在功率器件領域，除了圍繞傳統硅器件本身做文章外，材料的創新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優勢，能夠幫助廠商大幅提升系統密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
制造工藝對封裝技術的影響，探究了各種半導體封裝內部連接方式之間的相互關系，旨在為我國半導體封裝技術應用水平的快速提升帶來更多參考和啟迪。
2023-05-16 10:06:00497 隨著半導體工藝的不斷進步，封裝技術也在逐漸演變。晶圓級封裝（Wafer-Level Packaging，WLP）和傳統封裝技術之間的差異，以及這兩種技術在半導體行業的發展趨勢和應用領域，值得我們深入了解。
2023-05-12 13:26:05681 
功率半導體技術經過 60 余年發展，器件阻斷能力和通態損耗的折衷關系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導體材料為大功率半導體技術及器件帶來了新的發展機遇。
2023-05-09 14:27:552716 
能量轉換效率是一個重要的指標，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎上再有所提升。為了實現這一提升，開始逐漸采用越來越復雜的轉換拓撲，如移相全橋（PSFB）和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代，寬帶隙（WBG）器件更是以其驚人的開關速度被譽為未來的半導體業明珠。
2023-05-08 09:39:17735 
郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。
2023-04-26 10:21:32718 隨著電子產品的迅速發展，半導體封裝技術已經成為整個半導體產業的重要組成部分。從早期的簡單封裝到現代高密度、高集成度的封裝，半導體封裝技術在不斷地演進。目前，市場上常見的半導體封裝技術可以歸納為三大類：傳統封裝技術、表面貼裝技術和先進封裝技術。本文將詳細介紹這三大類半導體封裝技術的特點、優勢和發展趨勢。
2023-04-25 16:46:21682 
摘要半導體技術的進步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術的發展和進步，也由此產生了各種各樣的封裝形式。當前功率器件的設計和發展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現出模塊化
2023-04-20 09:59:41710 
瑞森半導體的超結MOS系列、SiC MOS系列、SiC SBD系列均滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求，誠邀咨詢
2023-04-18 10:21:55271 
瑞森半導體的超結MOS系列、SiC MOS系列、SiC SBD系列均滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求，誠邀咨詢
2023-04-17 17:56:30548 
技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大。從中長期看，國內功率半導體需求將持續快速增長。根據前瞻產業研究院預測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯網
2023-04-14 16:00:28
技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大。從中長期看，國內功率半導體需求將持續快速增長。根據前瞻產業研究院預測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯網
2023-04-14 13:46:39
點擊藍字?關注我們 隨著科技發展和環境保護的要求，電力轉換系統效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓撲也受到了許多人的關注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:04635 
作為一種寬帶隙晶體管技術，GaN正在創造一個令人興奮的機會，以實現電力電子系統達到新的性能和效率。GaN的固有優勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現。
2023-04-07 09:16:45575 
作為高可靠性芯片連接技術，銀燒結技術得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導體頭部公司相繼推出類似技術，已在功率模塊的封裝中取得了應用。
2023-03-31 12:44:271882 交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉換器的快速發展。高開關頻率和高溫操作是實現這一目標的兩個關鍵因素。
2023-03-30 17:37:53914 功率密度指標評價需要在一定的前提條件下進行，與指標定義、評價對象、運行電壓、工作溫度及其冷卻條件、持續時間、恒功率調速范圍等因素密切相關，不同前提下功率密度量化指標差異巨大。
2023-03-27 14:12:002004 對于電源管理應用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉換器的額定（或標稱）輸出功率除以轉換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49710 
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