碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
二極管種類有很多,按照所用的半導體材料,可分為鍺?極管(Ge管)和硅?極管(Si管),現在也有用碳化硅做材料的二極管,美國的cree和深圳薩科微slkor(www.slkoric.com)半導體推出
2024-03-05 14:23:46
區域和準中性N-區域。準中性P-型區域是耗盡區邊緣與P-側二極管邊緣之間的間隔。
準中性N型區域是耗盡區邊緣與N端二極管邊緣之間的距離。假設該分離距離為無窮大。當我們向二極管邊界移動時,電荷載流子的濃度
2024-01-25 18:01:01
碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統、智能電網、軌道交通等領域具有廣泛的應用前景。
2024-01-09 09:26:49379 在當今快速發展的電力電子領域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)等,主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。
2023-12-27 10:08:56305 碳化硅二極管的優點和局限性分析 碳化硅(SiC)二極管是一種新型半導體材料,在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應用。與傳統的硅(Si)材料相比,碳化硅二極管具有許多優點和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:27408 和IGBT的區別。 1. 結構差異: 碳化硅是一種化合物半導體材料,由碳原子和硅原子組成。它具有非常高的熔點和熱導性,使其在高溫和高功率應用中具有出色的性能。碳化硅晶體管的結構通常更復雜,由多個寄生二極管組成,因此其電子流動路徑更復
2023-12-08 11:35:531782 11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18756 光電二極管接到ADL5304,光電二極管偏置需要10V,是否必須雙電源供電?
2023-11-24 07:50:26
TOLL Schottky SKY 肖特基二極管,大電流應用時的應用注意事項!
48V PD3.1選用肖特基做240W,480W PD電源,48V 10A的注意事項Motive TMBS TOLL封裝肖特基紹 V1.2_頁面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
LLC電源 輸出次級側使用肖特基二極管產品整流
LLC次級側使用肖特基二極管產品,灌膠電源有優秀的散熱效果
2023-11-20 21:36:35
AD210芯片的16、17、19 這3個PIN,內部有二極管的鉗位保護嗎? 即:對正15V電源的二極管,對-15V電源的二極管;是否存在?
外部電路應該怎么對管腳進一步保護呢?
2023-11-13 06:53:50
,有助于滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV,極大擴展了SBD的應用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極管(FWD)構成,續流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(SBD)。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果
2023-09-22 10:26:25205 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260 功率器件在工業應用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
和管理者。今年,Nexperia(安世半導體)的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產品現已雙雙入圍年度功率半導體! 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140 寬帶隙半導體使許多以前使用硅(Si)無法實現的高功率應用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性,并說明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個指標上具有明顯的優勢。
2023-08-04 11:04:17480 1700 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式的第六代高電壓、高性能 Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管,可實施到任何定制模塊設計中較低的正向電壓、較小
2023-07-31 10:26:57
1700 V、25 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式的第六代高電壓、高性能 Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管,可實施到任何定制模塊設計中較低的正向電壓、較小
2023-07-31 10:23:31
1700 V、10 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式的第六代高電壓、高性能 Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管,可實施到任何定制模塊設計中較低的正向電壓、較小
2023-07-31 10:21:42
1700 V、5 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式的第六代高電壓、高性能 Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管,可實施到任何定制模塊設計中較低的正向電壓、較小
2023-07-31 10:19:45
1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高電壓、高性能 Z-Rec ?碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式,可
2023-07-31 10:15:57
650 V、4 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 Gen 3 系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關、零正向和放大器、反向恢復和高頻操作。針對
2023-07-31 09:29:20
600 V、4 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關、零正向和放大器、反向恢復和高頻操作。針對
2023-07-31 09:17:53
600 V、3 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關、零正向和放大器、反向恢復和高頻操作。針對
2023-07-31 09:15:56
600 V、2 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關、零正向和放大器、反向恢復和高頻操作。針對
2023-07-31 09:12:19
??1700V,25A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標準高于標準硅溶液,同時達到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00
1700V,10A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標準高于標準硅溶液,同時達到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管
2023-07-27 10:19:54
1700V,5A,至247-2包件,第6代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標準高于標準硅溶液,同時達到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管可以很
2023-07-27 10:17:56
1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 10:16:08
1200V,40A,至247-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D40120H是一個1200V離散碳化硅肖特基二極管(40A),其特點是MPS(合并PIN肖特基)設計,是更強大和可靠
2023-07-27 10:14:00
1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:58:50
1200V型,30A型,至247-2型包,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D30120H是一個1200V離散碳化硅肖特基二極管(30A),其特點是MPS(合并PIN肖特基)設計,是更強
2023-07-27 09:46:22
1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:44:25
1200V,20A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管
2023-07-27 09:40:47
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:34:59
1200V型,20A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:32:48
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:30:31
1200V型,15A型,到220-2型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:14:59
1200V型,15A型,至247-3型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-27 09:11:43
1200V型,15A型,至247-2型包,第4代離散的SCHHOSTKY二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準
2023-07-27 09:09:11
1200V型,10A型,到220-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:49:42
1200V型,10A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障
2023-07-26 17:46:42
1200V型,10A型,到252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:43:35
1200V型,10A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:41:29
1200V,8A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:30:11
1200V,8A,到252-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:27:50
1200V,5A,到220-2包件,第4代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格,
2023-07-26 17:25:50
1200V型,5A型,至252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強大的組合,提高效率和降低組件價格.
2023-07-26 17:23:39
1200V,2A-220-2包件,第4代離散S肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:19:54
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:17:31
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設計,這是更強大和可靠的標準肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:15:10
650 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術針對高性能電力電子應用進行了優化,包括服務器
2023-07-25 11:44:54
650 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 6 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術針對高性能電力電子應用進行了優化,包括服務器
2023-07-25 11:25:07
650 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術針對高性能電力電子應用進行了優化,包括服務器
2023-07-25 11:12:54
600 V、20 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:50:38
600 V、16 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:46:45
600 V、10 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:39:12
600 V、10 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:29:01
600 V、8 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:24:29
600 V、8 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:21:52
600 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:17:04
600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:14:55
600 V、6 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:12:16
600 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:09:36
600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:07:08
600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 09:51:09
600 V、3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 09:21:52
600 V、3 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 09:18:50
600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-24 17:45:09
600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-24 17:42:41
600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-24 17:37:00
600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-24 17:32:22
600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42
600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-24 17:23:06
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝,原裝,庫存現貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量,可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管,原裝,庫存現貨熱銷MSM06065G1 品牌:美浦森 封裝:DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6,原裝,庫存現貨熱銷 MSM06065G1 品牌:美浦森 封裝:DFN5
2023-07-05 15:50:06
SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應,即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導體中的載流子向金屬一側偏移,形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34800 碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導體器件,具有低開啟電壓、高速開關、高溫性能等優點,廣泛應用于電源、驅動、逆變器、電動汽車等領域。
2023-06-04 16:09:002089 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 根據公司披露:上海瀚薪具備多年的車規級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發及量產經驗。量產產品均在各市場龍頭企業得到認可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903 在典型的二極管中,p-n結由p型和n型半導體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導體。然后,你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結,而不是p-n結(這是這些二極管得名的地方)。
2023-05-24 11:19:54506 的主要特點包括高頻特性好、低反向漏電流、低正向壓降、長期可靠性好等。在電路中使用肖特基二極管需要根據具體應用場合和用途來選擇器件的封裝、電性能以及參數等。
1.產品結構Product Structure
2023-05-23 14:47:57
碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關損耗也較低,通常比硅低100倍?;?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277 年來碳化硅材料應用于電子設備技術有了長足的發展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優點
2023-05-05 17:00:1195 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 合并PIN肖特基結構可帶來更高的穩健性和效率 ? 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30796 能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數及反向恢復時間接近零的特點,使得在PFC電路(功率因數校正)上的MOSFET開通損耗減少,效率得到進一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384 二極管常見的封裝類型,DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等,相信大家都很熟悉。圖源:百度百科封裝指的是安裝半導體集成電路芯片用的外殼。對于電子元器件來說,封裝是非常有必要
2023-04-13 14:09:54
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
碳化硅肖特基二極管
2023-03-27 13:51:50
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