電子發燒友網站提供《具有過壓保護和阻斷場效應晶體管(FET) 控制的5V/12V 電子熔絲(eFuse) 數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 11:19:42
0 電子發燒友網站提供《具有電平位移&可調轉換率控制的1.2V-8V，3A 聚合物薄膜場效應晶體管(PFET) 高側負載開關數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:38:190 柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）等。
2024-03-13 11:41:42
222 
電子發燒友網站提供《汽車應用中用于高頻CPU內核功率的同步降壓場效應晶體管 (FET) 驅動器TPS51604-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:08:470 據麥姆斯咨詢報道，德國弗勞恩霍夫光子微系統研究所（Fraunhofer IPMS）開發出一種用于芯片式pH值測量的傳感層，并成功將其集成到離子敏感場效應晶體管（ISFET）中。
2024-03-11 09:34:31152 
場效應晶體管是一種常用的半導體器件，用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:54829 IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導體器件，它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）。 該板采用EPC EPC2218 100V FET和低靜態電流、高頻LTC7890雙降壓DC/DC同步控制器，
2024-02-22 13:43:55
？
再者在場效應管這種單極性導電半導體中，為什么只是有一種離子導電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導電，請問這是為什么？同樣對于場效應管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
場效應管，即場效應晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導體器件。
2024-02-20 15:31:17514 
繼電器通過通斷線圈產生磁場來控制機械開關，實現對電路的控制。而場效應晶體管（MOS管）是一種基于半導體材料工作的場效應晶體管，通過柵極施加正負偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態。
2024-02-18 10:16:41545 
是設計成功的關鍵。 為了滿足這些要求，開關模式電源系統的設計者需要從使用傳統的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉為使用其它器件，因為硅器件正在迅速接近其理論極限。 因此設計者需要考慮基于寬帶隙 (WBG) 材料的器件，如
2024-02-13 17:34:00657 
在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來搬運電流的，P溝道FET是由空穴來搬運電流的，因此也稱之為單極晶體管。
2024-02-05 16:31:36667 
Qorvo最近發布了一款新的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品，這款產品專為電動汽車（EV）而設計，符合車規標準。
2024-02-01 10:22:29163 是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
電子發燒友網站提供《P溝道增強型場效應晶體管 CJ2301數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-19 13:39:580 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
越大，而另一方面，漏源之間電壓越大，溝道電阻也越大，兩者相互作用，電流不隨有很大的變化達到平衡。此時場效應管的功率隨漏源之間電壓降增大而增大，因為此時電流基本不變。
以上是我對晶體管和場效應管的理解，如有問題請指正。
2024-01-18 16:34:45
舉例而言，一個結型場效應管，采用自偏置結構，即柵極和源極短接在一起源極也有一個電阻，在電源和漏極接一個負載，此時場效應管可以看做是一個互導放大器，壓控電流源，請問此時這種電路的輸入輸出電阻應該怎么求
2024-01-15 18:06:15
氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設計方式與雙極晶體管電路的設計方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40372 晶體管是電子學和邏輯電路中的基本構件，用于開關和放大。MOSFET是場效應晶體管(FET)的一種，其柵極通過使用絕緣層進行電隔離。因此，它也被稱為IGFET(絕緣柵場效應晶體管)。
2023-12-29 09:58:11727 
場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152269 
電子發燒友網站提供《SDA09T N溝道增強模式場效應晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:19:430 電子發燒友網站提供《N溝道增強模式場效應晶體管SDA09T英文手冊.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:14:520 電子發燒友網站提供《N溝道增強模式場效應晶體管SDA09T規格書.pdf》資料免費下載
2023-12-22 11:32:470 【科普小貼士】什么是結型場效應晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:44353 
【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
場效應晶體管柵極電流是多大 場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關和調制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 選擇場效應晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38165 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）或 IGFET（絕緣柵場效應晶體管）是一種場效應晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，MOSFET 是數字和模擬電路中最常見的晶體管類型。
2023-12-04 15:11:15407 
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應
2023-11-24 16:54:18632 MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體)+FET(FieldEffectTransistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬
2023-11-18 08:11:021311 
FET是場效應晶體管，它通過控制柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流，從而實現邏輯功能。
2023-11-17 17:21:34843 
JFET的全稱為結型場效應晶體管，MOSFET的全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場效應晶體管（FET），場效應晶體管通過電場來控制導電溝道的電導率
2023-11-07 14:36:342283 美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 根據專利摘要，該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
場效應管(MOSFET)也叫場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優點。場效應晶體管的工作原理是基于電場效應，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區域的載流子發生漂移，從而改變電流的導通狀態。
2023-09-28 17:10:46799 在半導體器件的講解中，場效應晶體管應該說最值得拿來詳細介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04946 
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
的通信和工業基礎設施等領域。氮化鎵場效應晶體管能夠以較低的系統成本，實現更小、更快、散熱性能更優、更輕便的系統。
2023-09-25 08:17:54422 
MOS場效應晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導體器件，圖1是N溝導MOS管芯結構原理圖，即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區，其中一個稱源，用S表示，另一個稱漏，用D表示，在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層，并引出一電極，稱柵，用G表示。應用中 D接正，8接地，G用正電源控制。
2023-09-19 11:06:05644 
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:291490 
場效應管MOSFET是mos管嗎？場效應管mos管的區別？場效應管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應管（FET）都屬于半導體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152542 晶體管和場效應管的區別? 晶體管和場效應管是電子設備中常用的兩種元器件，它們都是半導體器件，用于放大和控制電流的流動。雖然它們在某些方面可能有一些相似之處，但它們也有很多明顯的不同點。下面將會詳細
2023-08-25 15:29:343024 根據專利摘要，本申請提供集成電路技術領域，場效應晶體管，可以簡化集成電路的制造過程，降低生產費用。集成電路由設置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個聲道層。
2023-08-23 10:05:13793 
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數據處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現
2023-08-21 17:06:18
場效應晶體管簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
2023-08-18 16:01:28591 
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+ FET (Field Effect Transistor場效應晶體管
2023-08-16 09:22:213849 
Qorvo （UnitedSiC） 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴大了公司的性能地位，并擴大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產品組合
2023-08-07 14:47:17368 
區域組成：柵極、源極和漏極。與雙極晶體管不同，FET 是電壓控制器件。柵極處的電壓控制電流從晶體管的源極流向漏極。場效應晶體管具有非常高的輸入阻抗，從幾兆歐 (MΩ) 到更大的電阻值。
這種高輸入阻抗
2023-08-02 12:26:53
Transistors to Microfluidic Devices”的綜述文章，回顧了集成傳感器的主要研究進展，并重點介紹了場效應晶體管在化學和生化分析器件開發中的潛在應用。
2023-07-28 10:23:32227 
FET電流源是一種有源電路，它使用場效應晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡單的方法，只需使用單個FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準電壓源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-07-17 15:52:502153 
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27410 
MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結構。
2023-07-11 10:56:241285 
NP160N055TUKMOS場效應晶體管
2023-07-07 18:41:520 功率MOS場效應晶體管電參數指標中規定的電參數一般分為三大類：直流參數、交流參數和極限參數。
2023-07-05 14:57:19336 
我們將CPU簡單看作場效應晶體管FET的集合。這么多個FET隨著每一次的翻轉都在消耗者能量。
2023-06-29 17:30:42935 
Oxide Semiconductor FET，簡稱MOSFET,1960年誕生）組成。 ? 2 場效應管的分類及工作原理 場效應管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。 在雙極型晶體管中
2023-06-29 09:21:342017 
管（ Meta Oxide Semiconductor FET，簡稱MOSFET,1960年誕生 ）組成。 ? ? ? 2 場效應管的分類及工作原理 場效應管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。 在雙極
2023-06-28 08:39:283644 
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
供應后羿hy1908 80V/90A mos管，提供hy1908場效應晶體管參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-08 14:05:12
功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
MOSFET是金屬－氧化物－半導體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
FET是Field effect transistor的縮寫，稱為場效應管。它是晶體管的一種，也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說的雙極晶體管。它們的工作原理完全不同。
2023-05-25 17:27:362957 
正常時陽值成為數下歐以值較小司圍2.2 VMOS場效應品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場效應晶體管的R和R的檢測
2023-05-24 10:35:15229 
柵型場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
場效應晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導體器件，它是一種基于電場效應的三極管。與普通的三極管相比，場效應晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優點。
2023-05-17 15:15:374157 
場效應管是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34847 場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
場效應晶體管是依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081508 
場效應晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應來控制輸出電路電流的半導體器件，并以此命名。因為它只依靠半導體中的多數載流子來導電，所以又稱為單極晶體管。場效應晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23693 功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率
2023-05-01 18:36:131102 
共源雙N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 18:19:58
P-通道
增強模式
場效應晶體管
2023-03-28 18:19:26
場效應晶體管 2個N溝道 20V 6A
2023-03-28 17:23:57
P溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 15:17:35
N溝道MOS場效應晶體管
2023-03-28 14:33:20
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 14:32:55
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 14:32:55
雙N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:54:37
n通道增強模場效應晶體管
2023-03-28 12:54:03
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:52:42
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:52:41
P溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:52:41
P溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:52:22
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:45:09
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-24 15:07:16
P溝道增強型場效應晶體管
2023-03-24 13:56:30
每個晶體管的兩個p-n結提供了電荷流動的電子能壘，而晶體管可以通過向溝道上方的柵極施加電壓來導通。
2023-03-24 10:58:255426 場效應晶體管硅N通道結型
2023-03-24 10:04:49
場效應晶體管硅N溝道結型
2023-03-24 10:04:48
一、物料概述ESN4485是P溝道增強型MOS場效應晶體管。采用先進的溝槽技術和設計，以低柵極電荷提供出色的RDS（ON）。該裝置適用于直流-直流轉換、電源開關和充電電路。標準產品ESN4485不含
2023-03-23 18:08:46
電子發燒友App
工商網監
評論