非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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電池+STM8+RF433無線門鎖時，如何既能保持RF433的數據接收，又能最低功耗待機
2024-03-18 07:13:38
嵌入式鐵電存儲器可實現超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理，是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
與主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）有不同的特點和應用場景。 首先，我們來詳細了解ROM的特點和分類。ROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電或重啟系統后，存儲在ROM中的數據仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構成
2024-02-05 10:05:10732 1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出DA14592低功耗藍牙（LE）片上系統（SoC），成為瑞薩功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+
2024-01-19 16:37:30586 美光科技近日宣布推出業界首款標準低功耗壓縮附加內存模塊（LPCAMM2），這款產品提供了從16GB至64GB的容量選項，旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設計空間及模塊化設計。
2024-01-19 16:20:47262 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出新款低功耗藍牙（LE）片上系統（SoC），即DA14592。這款產品憑借其超低功耗和微型尺寸，成為瑞薩電子系列中功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+）低功耗藍牙產品。
2024-01-19 16:18:15322 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15512 近日，三星宣布正在研發一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創新技術具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領未來內存技術的發展。
2024-01-12 14:42:03282 ，但它的指標是每個腳可驅動60毫安的負載（如匹配幾十歐姆的電阻），即滿負荷的功耗最大可達60*16=960mA，當然只是電源電流這么大，熱量都落到負載身上了。
誤區六：存儲器有這么多控制信號，我
2024-01-09 08:04:28
的。那么如何解決呢？本文將對RF模組在Sleep狀態下如何做到最低功耗進行說明。RF模組sleep時RF模組的IO狀態先要獲知RF模組Sleep時，RF模組的IO
2024-01-06 08:13:43141 
藍牙技術聯盟于2010年推出了藍牙4.0規范，其中低功耗藍牙的出現滿足了小型電池供電設備進行低功耗無線連接的需求，因此得到廣泛應用。本文章將帶你深入了解低功耗藍牙的應用。低功耗藍牙簡介2010
2023-12-28 08:24:49350 
最高48MHz。芯片有TSSOP20, QFN20兩種封裝類型。PY32L020 單片機集成I2C、SPI、USART 等通訊外設，1 路 12bit ADC，2 個 16bit 定時器，一個低功耗
2023-12-20 16:02:38
如何充分利用單片機（MCU）的非易失性存儲器 單片機（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數據和程序的重要組成部分。它可以保留數據，即使在斷電或復位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49499 mW。取消選擇該器件時，CMOS待機電流小于200 A。 型號AT28C256-25FM/883功能描述電可擦除可編程只讀存儲器 256K 11MIL
2023-12-08 15:05:01
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工業應用節能。
2023-12-08 09:27:10394 
如果按照資料里的：0x1419 0x0000 準備從存儲器位置0x19讀取數據。
0x2000 0x0100 準備從控制寄存器讀取數據。SDO輸出16位字，其中最后10位包含存儲器位置0x19的內容
2023-12-06 06:04:03
電子發燒友網站提供《基于非易失性存儲器的數字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17910 
低功耗雙倍速率同步動態隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
半導體存儲器用于數據存儲。按照電源在關斷后數據是否依舊被保存的方式區分，存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 這個最低功耗可以達到多少
2023-11-07 07:33:19
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
構、應用和OTA在線升級。此外，芯片串行外設IO和集成的應用程序IP還能夠讓客戶以最小的BOM成本開發自己的產品。
采用高效率片上電源管理、低功耗射頻前端、低功耗時鐘產生架構、振蕩器快速啟動技術等電路技術
2023-10-27 17:23:53
摘要：萊迪思(Lattice )半導體公司在這應用領域已經推出兩款低成本帶有SERDES的 FPGA器件系列基礎上，日前又推出采用富士通公司先進的低功耗工藝，目前業界首款最低功耗與價格并擁有SERDES 功能的FPGA器件――中檔的、采用65nm工藝技術的 LatticeECP3系列。
2023-10-27 16:54:24235 大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
stm8l系列低功耗待機電流最低能達到多少呢
2023-10-15 11:25:16
處理器提供多種存儲器接口，其中包括16位lpddr2，ddr3，ddr3l，nand flash，nor flash，emmc，具有qspi spi接口可與廣泛的外設進行連接，如wifi、藍牙、gps、顯示屏及攝像頭等。
2023-10-09 07:41:53
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術的飛速發展，數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
在MCU的使用中，經常遇到需要存儲參數或掉電保持數據等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲器
2023-09-21 09:14:39812 行車記錄儀方案 聯發科低功耗迷你安卓主板。超小尺寸的安卓主板，尺寸為43mm*57.5mm。主板搭載聯發科四核/八核64位A53架構的CPU，具有超低功耗。默認內置1G+8G/2G+16G內存
2023-09-20 19:02:43655 
電子發燒友網站提供《復旦微FM3316/3313/3312低功耗MCU芯片技術手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-20 14:49:201 存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關閉后仍能保持片內信息。
2023-09-09 16:22:282617 根據專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導體相關技術領域中存儲單位與上線之間漏電測定的復雜技術問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設定存儲。
2023-09-07 14:27:24523 
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
技術，每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數據速率 (DDR) 同步動態隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統存儲器最主流的存儲器技術，因為它使用電容器作為存儲元件來實現高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
電池+STM8+RF433無線門鎖時，如何既能保持RF433的數據接收，又能最低功耗待機
2023-08-07 09:19:31
\\Applications\\X-NUCLEO-NFC08A1\\ap2p_proprietary中，兩個st25r16與st25r16b如何進行P2P通信，目前已經跑通了，但是看代碼的設置都一樣，為何是st25r16為Initiator，st25r16b為Target，可以反過來設置嘛？具體怎么操作
2023-08-07 07:31:04
富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產品。目前已實現量產產品。 在不斷變化的環境中，隨著傳感器信息數據量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
℃ – 最大8K字節RAM，支持奇偶校驗 –128字節OTP存儲器? CRC 硬件計算單元? 復位和電源管理 – 低功耗模式（Sleep，DeepSleep） – 上
2023-08-01 15:45:220 HC88L051F4是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的增強型8位單片機，內部有16KBytesFLASH程序存儲器，256BytesIRAM和1024BytesXRAM，最多18個雙向
2023-07-26 09:25:410 BCR25FM-14LJ 數據表
2023-07-07 18:37:550 BCR25FM-12LB 數據表
2023-07-07 18:37:020 BCR8FM-16LB 數據表
2023-07-05 20:06:220 BCR16FM-16LH 數據表
2023-07-05 19:51:530 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業
2023-06-29 09:39:03382 片選提供了許多選項，可以在每個片選上設置這些選項，以允許連接到各種外部器件。存儲器映射的外部片選區域地址從 0x60000000 開始。有關更多詳細信息，請參見《硬件用戶手冊》。 8.5.1 使用外部16位存儲器器件 連接具有字節選擇線的外部16位存儲器器件時，將MCU的A1連接到存
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲器的發展歷程 繼續關于存儲器的發展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發展史，本期內容我們將回顧易失性存儲器的發展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數據，但在關閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28873 Card外部存儲器。LTM32F103ZET6芯片支持多種省電模式，使其能夠滿足各種低功耗應用的要求，其內部框架圖如下： LTM32F103ZET6芯片主要特性： ARM 32位Cortex-M3內核 512KB閃存、64KB SRAM高
2023-06-26 14:12:19793 
半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數據信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數據會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、數據閃存和外部存儲器區域。 圖16. RA6M3存儲器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421 
ROM中存儲的數據在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數據將會丟失。
2023-06-20 16:38:442014 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
請問N76E003低功耗，掉電模式最低可以做到多少uA ?我怎么調也在120uA呢!
2023-06-14 08:39:42
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
不斷推出和優化新型存儲設備，例如開放通道固態盤、可字節尋址的非易失性存儲器以及存算一體化設備。此外，陸續推出模擬器、仿真器和軟件定義設備開發平臺，促進了新型存儲設備的設計和優化。
2023-06-05 15:47:55406 作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點，雖然容量和密度限制了其大規模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織方式為256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
今天的內容是兩則科技新聞，“用于物聯網應用的全球最低功耗的無線芯片”，和“一款多頻段微型芯片天線”。由于芯片的面積分別為1平方毫米，和21平方毫米，差不多是1粒芝麻和2粒大米的大小，故稱為芝麻芯片
2023-05-24 06:00:00626 
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術，與傳統的存儲器技術相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 核320M，低功耗保活，音頻code，回聲消除及降噪等，廣泛適用于可視貓眼，門鎖，門鈴，ipc，內窺，兒童相機等應用市場
RISC-V芯片架構，雙核，支持 DVP，UVC雙攝像頭接口，支持720P
2023-05-23 09:59:32
SPI系列（FM25）容量覆蓋512Mb~4Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。PPI系列為（FM29）容量覆蓋2Gb~8Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。
2023-05-11 15:08:56477 單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產品在1967年由貝爾實驗室提出，并于1971年由英特爾進一步開發。
2023-05-10 11:03:57408 下一階段，復旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，FM25N將補全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26377 
工規、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產品基于95nm先進EEPROM工藝，具備低功耗、超寬電壓、高可靠等特性，其中擦寫壽命大于400萬次、數據保
2023-05-04 13:56:111160 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
基本上，我想將數據寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執行代碼，存儲語音、文本和數據，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數器，可鎖定的64位序列號區域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
隨著需求的變化和技術的迭代，固態硬盤在接口、協議和形態上都出現了很多新發展和新變化。今天瑞薩君就為大家介紹這款 適用于計算機系統的PCIe非易失性存儲器Express（NVMe）固態硬盤解決方案
2023-03-30 20:00:06674 存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
FM25Q16A-SO-U-G
2023-03-29 21:45:01
超低功耗16M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
FRAM存儲器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15
ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設備。
2023-03-25 15:49:351054
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